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亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟

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利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟,比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布,并讨论了器件的短沟效应.

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来源
《第二届全国纳米技术与应用学术会议》|2002年|144-146|共3页
会议地点宁波
作者
刘弋波; 刘恩峰; 刘晓彦; 韩汝琦;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类场效应器件;
关键词
流体动力学; 阈值电压; 短沟效应; 电子温度; 漂移速度; 场效应晶体管;

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