一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管，涉及半导体集成电路制造技术领域。本发明所述的场效应晶体管包括底栅电极、底栅介质层、底栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、高掺杂P型GaAs层、欧姆接触层、源漏金属电极、顶栅介质层、顶栅电极，其中源漏金属电极位于欧姆接触层两侧，在源漏金属电极中间刻蚀栅槽结构至界面控制层上表面，并将顶栅介质层均匀覆盖在栅槽结构内表面，最后将顶栅电极制备在顶栅介质层上。本发明利用双栅结构和界面控制层设计，实现了PMOS场效应晶体管更好的栅控功能和低界面态密度，能够满足高性能PMOS管的技术要求。