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孟庆之; 李尊朝; 关云鹤; 张也非;
西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;
隧穿场效应晶体管; 可移动电荷; 表面势; 漏电流; 解析模型;
机译:陷阱辅助隧穿对双栅隧道场效应晶体管中陷阱辅助隧穿电流的影响
机译:带间隧穿和沟道传输的双材料栅隧穿场效应晶体管的紧凑解析模型
机译:SiO_2 /高k栅堆叠电介质的对称双栅无结晶体管的直接隧穿栅电流模型
机译:单栅和双栅隧穿场效应晶体管的特性优化
机译:用于实验室动物笼子监测的悬浮栅场效应晶体管模型。
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:大电流调制和隧穿磁阻由a变化 基于Gamnas的垂直自旋中的侧栅电场 金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:超晶格绝缘栅场效应晶体管Inp中的抑制栅极电流
机译:双极结型晶体管,其隧穿电流通过场效应晶体管的栅极作为基极电流
机译:具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
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