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目录
第1章 绪 论
1. 1双栅隧穿场效应晶体管简介
1.2 双栅隧穿场效应晶体管的基本性能
1.3 对双栅隧穿场效应晶体管已有的研究
1.4 研究背景与意义
第2章 双栅隧穿场效应晶体管的建模与仿真方法
2 . 1 建模仿真软件T CAD-AT LAS简介
2. 2 双栅隧穿场效应晶体管的建模与仿真
2. 3 本章小结
第3章 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管
3.1 引言
3.2 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管开/关态时内部的能带分布
3.3 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管工作时内部的电场分布
3.4 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管的转移特性
3 . 5 漏区浓度对G aS bAs同质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
3 . 6 源区浓度对G aS bAs同质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
3.7 本章小结
第4章 AlxGa1-xSb/GaAs异质结双栅隧穿场效应晶体管
4.1 引言
4.2 AlxGa1-xSb/GaAs异质结双栅隧穿场效应晶体管中铝摩尔分数x的优化
4.3 栅氧化物层的厚度对Al0.05Ga0.95S/GaAs异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
4 .4 温度对Al 0. 0 5Ga 0 .9 5S b/G aAs异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
4 .5 栅介电常数对Al 0. 0 5Ga 0 .9 5S b/G aAs异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
4.6 本章小结
第5章 SixGe1-x/InxGa1-xP异质结双栅隧穿场效应晶体管
5.1 引言
5.2 SixGe1-x/InxGa1-xP异质结双栅隧穿场效应晶体管中硅摩尔分数x的优化
5.3 SixGe1-x/InxGa1-xP异质结双栅隧穿场效应晶体管中铟摩尔分数x的优化
5.4 温度对Si0.9Ge0.1/In0.01Ga0.99P异质结双栅隧穿场效应晶体管器件性能的影响
5.5 本章小结
第6章 总结与展望
6.1 论文总结
6.2 工作展望
参考文献
致谢
附录-Silvaco-Atlas Simulation Files
附录1 GaSbAs同质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件
附录2 AlxGa1-xSb/GaAs异质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件
附录3 SixGe1-x/InxGa1-xP异质结双栅隧穿场效应晶体管的器件模拟文件
攻读学位期间发表论文目录
个人简历