机译:对单栅,双栅和全栅隧穿隧道场效应晶体管进行建模
IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium Department of Electrical Engineering, K.U.Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, Belgium;
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机译:具有(001)或(111)Si表面沟道的超薄体单栅极和双栅极绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子有限电子迁移率的经验模型
机译:非掺杂单栅和双栅场效应晶体管几何结构在极限量子极限下的反向栅电容
机译:单栅绝缘体上硅(SOI)隧道场效应晶体管(Tfets)的分析模型
机译:p-n-p-n双栅隧穿场效应晶体管的RF建模
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:p-n-p-n双栅隧穿场效应晶体管的射频建模