机译:单栅绝缘体上硅(SOI)隧道场效应晶体管(Tfets)的分析模型
Department of Electronic Eng, Sogang Univ., 1 Shinsu-dong, Mapo-gu, Seoul 121-742, Republic of Korea;
Department of Electronic Eng, Sogang Univ., 1 Shinsu-dong, Mapo-gu, Seoul 121-742, Republic of Korea;
Tunneling field-effect transistor (TFET); Band-to-band tunneling; Analytical modeling; Poisson's equation;
机译:具有(001)或(111)Si表面沟道的超薄体单栅极和双栅极绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子有限电子迁移率的经验模型
机译:新型双栅极金属注入堆叠栅极氧化术隧道场效应晶体管(TFET)的分析模型,用于低功耗和高速性能
机译:使用载流子浓度法的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)的分析模型
机译:围绕栅极隧道场效应晶体管(TMSG-TFET)的分析方法
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:门正常杂栅电介质(GHG)隧道场效应晶体管(TFET)的设计指南
机译:绝缘体上硅(sOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(mOsFET's)的总剂量响应