基于环栅纳米线隧穿场效应晶体管的解析模型

摘要

对环栅纳米线结构的隧穿场效应晶体管进行建模分析,给出电流解析模型,证明隧穿场效应管有良好的亚阈特性。研究发现,环栅纳米线隧穿场效应管的亚阈值斜率SS的大小与圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox以及漏电压Vdd的变化规律均成正比,即圆柱体硅直径dnw、环栅氧化层厚度tox和漏电压Vdd越小,亚阈区的性能越好。这一模型的研究为场效应晶体管在低功耗电路中的应用打下良好基础。