机译:双栅隧穿场效应晶体管的准解析模型
Department of Electrical Engineering, University of California, Los Angeles , CA, USA;
Double gate (DG); tunnel field-effect transistor (TFET); tunneling;
机译:双栅垂直T形隧道场效应晶体管表面电位的二维分析模型和漏极电流
机译:基于渐逝模式的双金属双栅极隧道场效应晶体管的紧凑型建模
机译:介质口袋感应双栅隧道场效应晶体管的分析建模与性能分析
机译:p-n-p-n双栅隧穿场效应晶体管的RF建模
机译:隧道场效应晶体管技术的紧凑模型和i-MOS平台开发。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:p-n-p-n双栅隧穿场效应晶体管的射频建模