考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型

摘要

研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的量子化能级 ,从而计算出在不同偏置条件下的 DT电流 .模型实现了 n MOSFET's栅隧穿电流的二维模拟 ,可以模拟在不同栅漏偏置条件下的器件工作情况 ,具有较广泛的适用性 .通过对比表明 ,本模型能够与实验结果很好地吻合 ,且速度明显优于数值方法 .利用模型可很好地对深亚微米