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一个超薄氧化物nMOSFET器件的直接隧穿电流经验公式(英文)

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建立了一个直接隧穿电流的经验公式 .将氧化层厚度作为可调参数 ,用这个经验公式可以很好地拟合超薄氧化物 n MOSFET器件的直接隧穿电流 .在拟合中所得到的氧化层厚度比用量子力学电压 -电容方法模拟得到的氧化层厚度小 ,其偏差在 0 .3nm范围内 .

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来源
《半导体学报》 |2004年第5期|516-519|共4页
作者
张贺秋; 许铭真; 谭长华;
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作者单位

北京大学微电子学研究所;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
直接隧穿电流; nMOSFET; 超薄;

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