机译:具有集成电路重点模型的量子力学校正仿真程序,用于仿真超薄氧化物金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流
Department of Computational Nanoelectronics, National Nano Device Laboratories, P.O. BOX 25-178, 1001 Ta-hsueh Rd., Hsinchu City, Hsinchu 300, Taiwan;
gate tunneling current; compact model; esaki-tsu formula; physical-based explicit classical surface potential quantum mechanical corrected surface potential; SPICE; ultrathin oxide MOSFET; DC characteristics; device modeling; circuit simulation;
机译:具有集成电路的仿真程序强调电路模拟双栅极正反馈场效应晶体管的紧凑型建模
机译:基于物理的,精确的紧凑模型,考虑了纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管中的量子力学效应,直接隧穿栅极电流
机译:考虑Ambolar特征的隧道场效应晶体管集成电路强调模型的替代模拟程序
机译:具有超薄氧化物的MOSFET中的量子机械栅极电流仿真
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:基于GaMnAs的垂直自旋金属氧化物半导体场效应晶体管中的侧栅电场引起的大电流调制和隧穿磁阻变化
机译:通过金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄栅极电介质进行电子传输的量子力学和原子能级从头计算
机译:mOs VLsI(金属氧化物半导体超大规模集成电路)的开关级时序仿真。