National University of Singapore (Singapore).;
机译:具有高有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于高级双栅氧化物p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的等离子体氮化和热氮化氧化物可靠性问题的系统研究
机译:迁移率降低和电源电压对高级p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的负偏压温度不稳定性的影响
机译:锗锡P沟道隧穿场效应晶体管:双轴拉伸应变和表面取向的影响
机译:溶液可加工双极性半导体聚合物的单极n沟道和p沟道有机场效应晶体管
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管