机译:用于高级双栅氧化物p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的等离子体氮化和热氮化氧化物可靠性问题的系统研究
Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan;
NBTI; HCI; PNO; TNO; core; I/O;
机译:具有超薄等离子氮化SiON栅极电介质的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在负偏置温度不稳定性下的界面陷阱和氧化物电荷产生
机译:氮流量比与溅射氮化钛栅体平面金属氧化物半导体场效应晶体管和鳍型金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性的比较研究
机译:使用NH_3氮化和N_2O生长的栅极氧化物抑制P〜+ -Poly-SiGe栅极P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的硼渗透
机译:栅极湿法再氧化对在4H-SiC上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性和沟道迁移率的影响(0001)
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生