用于降低后段处理中紫外线引起的硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅双位闪存器件充电的紫外线阻障层

摘要

一种保护硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)闪存单元(24)免于紫外线引起充电的方法，包括在半导体器件(10、50)中制造SONOS闪存单元(24)；和在SONOS闪存单元(24)上沉积至少一层紫外线防护层(38、46、48或52)，该紫外线防护层包含有实质为紫外线不透光的材料。提供一种SONOS闪存器件(10、50)，该SONOS闪存器件包括SONOS闪存单元(24)，和至少一层其中包含有实质为紫外线不透光材料的紫外线防护层(38、46、48或52)。