机译:具有金属间隔层的金属氧化物-氮化物-氧化物-硅-NAND NAND闪存器件的单元间干扰效应的降低
National Research Laboratory for Nano Quantum Electronics Devices, Department of Electronics and Computer Engineering,Hanyang University, Seoul 133-791, Korea;
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机译:异常的单元间干扰对p型浮栅和控制栅NAND闪存的影响
机译:考虑串扰和短通道效应的nand闪存单元器件的Vth漂移建模
机译:考虑串扰和短通道效应的nand闪存单元设备中的$ V_ {rm th} $位移建模
机译:利用金属间隔层增强纳米级电荷陷阱闪存器件的器件特性
机译:闪存设备中的热载流子效应。
机译:用于减少Z干扰的垂直NAND闪存的新型程序方案
机译:NAND操作下单层和双层铂纳米晶体闪存器件的性能和可靠性研究
机译:在以下问题中:某些探针卡组件,其组件以及某些经过测试的DRam和NaND闪存设备以及包含它们的产品。第337-Ta-621号调查