对多级单元NAND闪存器件和MLC NAND闪存器件进行编程的方法

摘要

一种对NAND闪存器件进行编程的方法，包括：编程电压生成电路将初始编程电压脉冲施加到NAND闪存的预定页面；控制器验证所述预定页面的多个验证电平，所述多个验证电平小于验证所述预定页面的最低程序状态的第一状态验证电压；所述控制器在所述预定页面的所述多个验证电平之一通过验证时确定后续编程电压脉冲的幅度；以及所述编程电压生成电路将所述后续编程电压脉冲施加到所述预定页面。