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【24h】

Modeling of $V_{rm th}$ Shift in nand Flash-Memory Cell Device Considering Crosstalk and Short-Channel Effects

机译:考虑串扰和短通道效应的nand闪存单元设备中的$ V_ {rm th} $位移建模

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摘要

A threshold-voltage (Vth) shift of sub-100-nm NAND flash-memory cell transistors was modeled systematically, and the modeling was verified by comparing with the data from measurement and 3-D device simulation. The Vth shift of the NA
机译:对100nm以下NAND闪存单元晶体管的阈值电压(Vth)偏移进行了系统建模,并通过与来自测量和3-D器件仿真的数据进行比较,验证了该建模。 NA的Vth偏移

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