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【2h】

Novel Program Scheme of Vertical NAND Flash Memory for Reduction of Z-Interference

机译：用于减少Z干扰的垂直NAND闪存的新型程序方案

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期刊名称 Micromachines
作者
Su-in Yi; Jungsik Kim;
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作者单位

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年(卷),期 2021(12),5
年度 2021
页码 584
总页数 10
原文格式 PDF
正文语种
中图分类
关键词

机译：NAND闪存;干扰;技术计算机辅助设计（TCAD）仿真;干扰;程序;非易失性存储器（NVM）;

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