硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅型与非门闪存的擦除法

摘要

本发明公开了一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)型与非门闪存的擦除法，包括由栅极施加一初始电压至存储单元的衬底一预定期间，以降低存储单元的阈值电压。此外，该方法也包括由栅极施加一连串的电压至存储单元的衬底，以进一步降低存储单元的阈值电压，其中该一连串的电压中的一后续电压的大小是小于该一连串的电压中的一先前电压的大小。