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IEEE transactions on device and materials reliability

SCIEI

中文名称：IEEE关于设备和材料可靠性的交易

ISSN：1530-4388
出版周期：

发文量：1159

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1.Reliability Analysis of Memories Suffering Multiple Bit Upsets

机译：遭受多位翻转的存储器的可靠性分析
- 作者：Reviriego P.;Maestro J. A.;Cervantes C.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2007年第4期
- Memory;
- Multiple Bit Upsets (MBUs);
- memory;
- multiple bit upsets (MBUs);
- reliability;
2.Reliability of Low-Temperature-Processing Hafnium Oxide Gate Dielectrics Prepared by Cost-Effective Nitric Acid Oxidation Technique

机译：成本有效的硝酸氧化技术制备的低温处理氧化Ha栅电介质的可靠性
- 作者：Chang C.-H.;Hwu J.-G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2007年第4期
3.Optimizing Pulsed OBIC Technique for ESD Defect Localization

机译：优化脉冲OBIC技术以实现ESD缺陷定位
- 作者：Essely F.;Guitard N.;Darracq F.;Pouget V.;Bafleur M.;Perdu P.;Touboul A.;Lewis D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2007年第4期
4.Introduction to the Special Issue on Negative Bias Temperature Instability

机译：负偏置温度不稳定性特刊简介
- 作者：La Rosa G.;Krishnan A.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2007年第4期
5.A new SPICE reliability simulation method for deep submicrometer CMOS VLSI circuits

机译：深亚微米CMOS VLSI电路的SPICE可靠性仿真新方法
- 作者：Xiaojun Li;Jin Qin;Bing Huang;Xiaohu Zhang;Bernstein J.B.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
6.Observations of NBTI-induced atomic-scale defects

机译：NBTI引起的原子尺度缺陷的观察
- 作者：Campbell J.P.;Lenahan P.M.;Krishnan A.T.;Krishnan S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
7.Thermomechanical Reliability of Low-Temperature Sintered Silver Die Attached SiC Power Device Assembly

机译：低温烧结银模附着SiC功率器件组件的热机械可靠性
- 作者：Bai J.G.;Lu G.-Q.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
8.The Impact of Mechanical Defects on the Reliability of Solar Cells in Aerospace Applications

机译：机械缺陷对航空航天应用中太阳能电池可靠性的影响
- 作者：Zimmermann C.G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
9.Structure and Conductance of the Breakdown Spot During the Early Stages of Progressive Breakdown

机译：渐进式击穿早期击穿点的结构和电导
- 作者：Condorelli G.;Lombardo S. A.;Palumbo F.;Pey K.-L.;Tung C. H.;Tang L.-J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
10.TCAD Methodology for ESD Robustness Prediction of Smart Power ESD Devices

机译：TCAD方法论智能功率ESD器件的ESD稳健性预测
- 作者：Salamero C.;Nolhier N.;Gendron A.;Bafleur M.;Besse P.;Zecri M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
11.Ruggedness of Integrated VDMOS Transistors Under TLP Stress

机译：TLP应力下集成VDMOS晶体管的坚固性
- 作者：Moens P.;Bychikhin S.;Pogany D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
12.Physics and Characterization of Various Hot-Carrier Degradation Modes in LDMOS by Using a Three-Region Charge-Pumping Technique

机译：LDMOS中三区电荷泵技术对各种热载流子降解模式的物理性质和表征
- 作者：Cheng C.C.;Lin J.F.;Wang T.;Hsieh T.H.;Tzeng J.T.;Jong Y.C.;Liou R.S.;Pan S.C.;Hsu S.L.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
13.Reliability of BGA Solder Joints on the Au/Ni/Cu Bond Pad-Effect of Thicknesses of Au and Ni Layer

机译：BGA焊点对Au / Ni / Cu焊盘的可靠性-Au和Ni层厚度的影响
- 作者：Alam M.O.;Wu B.Y.;Chan Y.C.;Rufer L.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
- ageing;
- ball grid arrays;
- copper alloys;
- diffusion;
- fracture toughness;
- gold alloys;
- interface phenomena;
- mechanical testing;
- metallisation;
- nickel alloys;
- reflow soldering;
- reliability;
- shear strength;
- 0.35 to 2.8 micron;
- 0.5 mins;
- 150 C;
- 225 C;
- Au-Ni-Cu;
- BGA solder join;
14.Modeling of Nonstationary Heating of Semiconductor Structures Under HEMP Actions With Short Pulse Duration

机译：短脉冲持续时间下HEMP作用下半导体结构非稳态加热的建模
- 作者：Alexeev V.F.;Zhuravliov V.I.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
15.Mechanism of Charging Damage During Plasma-Enhanced Silicon Nitride/Oxide Thin-Film Deposition

机译：等离子增强氮化硅/氧化物薄膜沉积过程中的充电损伤机理
- 作者：Cheung K.P.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
16.Introduction to the Special Issue on Smart Power Device Reliability

机译：智能电源设备可靠性特刊简介
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
17.High-Field Degradation of Poly-Si Gate p-MOS and n-MOS Devices With Nitrided Oxides

机译：具有氮化氧化物的多晶硅栅极p-MOS和n-MOS器件的高场降解
- 作者：Krause G.;Beug M.F.;Ferretti R.;Prasad S.;Hofmann K.R.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
18.ESD-Protection Design With Extra Low-Leakage-Current Diode String for RF Circuits in SiGe BiCMOS Process

机译：SiGe BiCMOS工艺中用于射频电路的具有超低漏电流二极管串的ESD保护设计
- 作者：Ker M.-D.;Hsiao Y.-W.;Wu W.-L.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
19.Component-Level Measurement for Transient-Induced Latch-up in CMOS ICs Under System-Level ESD Considerations

机译：在系统级ESD考虑下的CMOS IC中瞬态感应锁存的组件级测量
- 作者：Ker M.-D.;Hsu S.-F.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
20.Anomalous Safe Operating Area and Hot Carrier Degradation of NLDMOS Devices

机译：NLDMOS器件的异常安全工作区和热载流子降解
- 作者：Brisbin D.;Lindorfer P.;Chaparala P.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
21.Anomalous Reduction of Hot-Carrier-Induced On-Resistance Degradation in n-Type DEMOS Transistors

机译：n型DEMOS晶体管中热载流子导通电阻衰减的异常减少
- 作者：Wu K.M.;Chen J.F.;Su Y.K.;Lee J.R.;Lin Y.C.;Hsu S.L.;Shih J.R.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
22.Acceleration of Dielectric Charging in RF MEMS Capacitive Switches

机译：射频MEMS电容开关中介电充电的加速
- 作者：Yuan X.;Peng Z.;Hwang J. C. M.;Forehand D.;Goldsmith C. L.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
- charge injection;
- dielectric devices;
- life testing;
- microswitches;
- RF MEMS capacitive switches;
- accelerated life tests;
- dielectric charging;
- dielectric traps;
- switch reliability;
- Accelerated life test;
- MEMS;
- RF;
- charging;
- dielectric;
- lifetime;
- reliability;
- switch;
- temper;
23.Energy and Spatial Distribution of Traps in $hbox{SiO}_{2}/hbox{Al}_{2}hbox{O}_{3}$ nMOSFETs

机译：$ hbox {SiO} _ {2} / hbox {Al} _ {2} hbox {O} _ {3} $ nMOSFET中陷阱的能量和空间分布
- 作者：Crupi I.;Degraeve R.;Govoreanu B.;Brunco D. P.;Roussel P.;Van Houdt J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
- MOSFET;
- interface states;
- sapphire;
- silicon compounds;
- SiO2-Al2O3;
- bulk traps;
- charge-pumping measurements;
- dielectric stack;
- energy distribution;
- gate dielectrics;
- interface traps;
- nMOSFET;
- spatial distribution;
- spatial profiling;
- tra;
24.Using soft secondary electron programming to reduce drain disturb in floating-gate NOR flash EEPROMs

机译：使用软二次电子编程来减少浮栅NOR闪存EEPROM中的漏极干扰
- 作者：Kumar P.B.;Nair D.R.;Mahapatra S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
25.Two-trap-assisted tunneling model for post-breakdown I-V characteristics in ultrathin silicon dioxide

机译：超薄二氧化硅中击穿后I-V特性的两阱辅助隧穿模型
- 作者：You-Lin Wu;Shi-Tin Lin
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
26.Thermal-stability improvement of a sulfur-passivated InGaP/InGaAs/GaAs HFET

机译：硫钝化InGaP / InGaAs / GaAs HFET的热稳定性提高
- 作者：Po-Hsien Lai;Ssu-I Fu;Yan-Ying Tsai;Chih-Hung Yen;Hung-Ming Chuang;Shiou-Ying Cheng;Wen-Chau Liu
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
27.Statistical modeling for postcycling data retention of split-gate flash memories

机译：统计模型，用于分离门闪存的后循环数据保留
- 作者：Ling-Chang Hu;An-Chi Kang;Shih J.R.;Yao-Feng Lin;Wu K.;Ya-Chin King
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
28.Reliability-extrapolation methodology of semiconductor laser diodes: is a quick life test feasible?

机译：半导体激光二极管的可靠性外推法：快速寿命测试是否可行？
- 作者：Jia-Sheng Huang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
29.Reliability of Pb-free preplated leadframe under atmosphere and accelerated aging test

机译：大气中无铅预镀引线框架的可靠性和加速老化测试
- 作者：Jongwoo Park;Young-Hee Kim;Seung-Woog Wang;Seung-Woo Lee;Hyungoo Jeon
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
- copper compounds;
- corrosion;
- electronics packaging;
- finishing;
- life testing;
- reliability;
- Cu/sub 2/O;
- Cu/sub 2/S;
- accelerated aging test;
- atmospheric corrosion;
- copper substrate;
- cupric oxide;
- cuprous oxide;
- cuprous sulfide;
- discoloration;
- dual inline package;
- forming p;
30.Impact of self-heating effect on long-term reliability and performance degradation in CMOS circuits

机译：自热效应对CMOS电路长期可靠性和性能下降的影响
- 作者：Semenov O.;Vassighi A.;Sachdev M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
31.ESD failure mechanisms of analog I/O cells in 0.18-/spl mu/m CMOS technology

机译：采用0.18- / spl mu / m CMOS技术的模拟I / O单元的ESD失效机制
- 作者：Ming-Dou Ker;Shih-Hung Chen;Che-Hao Chuang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
32.Electrostatic discharge effects in ultrathin gate oxide MOSFETs

机译：超薄栅极氧化物MOSFET中的静电放电效应
- 作者：Cester A.;Gerardin S.;Tazzoli A.;Meneghesso G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
33.Visualization of progressive breakdown evolution in gate dielectric by conductive atomic force microscopy

机译：通过导电原子力显微镜可视化栅极电介质中的逐步击穿演化
- 作者：Li Zhang;Mitani Y.;Satake H.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
34.Surface electrostatic damage by microprocess robotic machines: diagnosis and reliability, process auditing, and remedies

机译：微工艺机器人对表面静电的损害：诊断和可靠性，工艺审核和补救措施
- 作者：Jacob P.;Nicoletti G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
35.Stress migration lifetime for Cu interconnects with CoWP-only cap

机译：仅使用CoWP帽的铜互连的应力迁移寿命
- 作者：Gambino J.P.;Johnson C.L.;Therrien J.E.;Hunt D.B.;Wynne J.E.;Smith S.;Mongeon S.A.;Pokrinchak D.P.;Levin T.M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
36.Safe operating area of GaAs MESFET for nonlinear applications

机译：GaAs MESFET在非线性应用中的安全工作区域
- 作者：Malbert N.;Labat N.;Ismail N.;Touboul A.;Muraro J.-L.;Brasseau F.;Langrez D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
37.Postbreakdown current in MOS structures: extraction of parameters using the Integral difference function method

机译：MOS结构中的击穿后电流：使用积分差函数法提取参数
- 作者：Miranda E.;Ortiz-Conde A.;Garcia-Sanchez F.J.;Farkas-Sosa E.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
38.Leakage current reduction techniques in poly-Si TFTs for active matrix liquid crystal displays: a comprehensive study

机译：有源矩阵液晶显示器的多晶硅TFT中的漏电流降低技术：全面研究
- 作者：Orouji A.A.;Kumar M.J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
39.Improvement of aging simulation of electronic circuits using behavioral modeling

机译：使用行为建模改进电子电路的老化仿真
- 作者：Marc F.;Mongellaz B.;Bestory C.;Levi H.;Danto Y.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
40.Imaging and dopant profiling of silicon carbide devices by secondary electron dopant contrast

机译：通过二次电子掺杂剂对比对碳化硅器件进行成像和掺杂剂分析
- 作者：Buzzo M.;Ciappa M.;Fichtner W.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
41.Flash memory electromagnetic compatibility

机译：闪存电磁兼容性
- 作者：Fogle A.D.;Don Darling;Blish R.C. II;Daszko G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
42.ESD protection for SOI technology using under-the-BOX (substrate) diode structure

机译：使用盒下（衬底）二极管结构的SOI技术的ESD保护
- 作者：Salman A.A.;Pelella M.M.;Beebe S.G.;Subba N.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
43.Enhanced SiO/sub 2/ reliability on deuterium-implanted silicon

机译：氘注入硅上增强的SiO / sub 2 /可靠性
- 作者：Kundu T.;Misra D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
44.Enhanced breakdown voltage, diminished quasi-saturation, and self-heating effects in SOI thin-film bipolar transistors for improved reliability: a TCAD simulation study

机译：TCAD仿真研究提高了SOI薄膜双极晶体管的击穿电压，降低了准饱和度以及自热效应，从而提高了可靠性：
- 作者：Roy S.D.;Kumar M.J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
45.Design for ASIC reliability for low-temperature applications

机译：针对低温应用的ASIC可靠性设计
- 作者：Yuan Chen;Westergard L.;Mojarradi M.M.;Johnson T.W.;Cozy R.S.;Billman C.;Burke G.R.;Kolawa E.A.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
46.Substrate Majority Carrier-Induced NLDMOSFET Failure and Its Prevention in Advanced Smart Power IC Technologies

机译：基板多数载流子引起的NLDMOSFET故障及其在先进智能功率IC技术中的预防
- 作者：Zhu R.;Khemka V.;Bose A.;Roggenbauer T.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
47.Study of Electrical Stress Effect on SiGe HBT Low-Noise Amplifier Performance by Simulation

机译：电应力对SiGe HBT低噪声放大器性能影响的仿真研究
- 作者：Yu C.;Yuan J. S.;Shen J.;Xiao E.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
48.The Effect of Sulfur Treatment on the Temperature-Dependent Performance of InGaP/GaAs HBTs

机译：硫处理对InGaP / GaAs HBT随温度变化的性能的影响
- 作者：Cheng S.-Y.;Fu S.-I.;Chen T.-P.;Lai P.-H.;Liu R.-C.;Chu K.-Y.;Chen L.-Y.;Liu W.-C.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
49.Modeling Lateral Parasitic Transistors in Smart Power ICs

机译：在智能功率IC中建模侧向寄生晶体管
- 作者：Oehmen J.;Olbrich M.;Hedrich L.;Barke E.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
50.Low-Frequency Noise-Based Degradation Prediction of$hboxAl_xhboxGa_1 - xhboxN/GaN$MODFETs

机译：$ hboxAl_xhboxGa_1-xhboxN / GaN $ MODFET的基于噪声的低频衰减预测
- 作者：Valizadeh P.;Pavlidis D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
51.Sixty Thousand Hour Light Output Reliability of AlGaInP Light Emitting Diodes

机译：AlGaInP发光二极管的六万小时光输出可靠性
- 作者：Grillot P. N.;Krames M. R.;Zhao H.;Teoh S.-H.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
52.Highly Reliable Nitride-Based LEDs With Internal ESD Protection Diodes

机译：具有内部ESD保护二极管的高度可靠的基于氮化物的LED
- 作者：Chang S.J.;Shen C.F.;Shei S.C.;Chuang R.W.;Chang C.S.;Chen W.S.;Ko T.K.;Sheu J.K.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
53.Comments on “Postbreakdown Current in MOS Structures: Extraction of Parameters Using the Integral Difference Function Method”

机译：关于“ MOS结构中的击穿后电流：使用积分差分函数法提取参数”的评论
- 作者：Nadarajah S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
54.Characterization of Total Safe Operating Area of Lateral DMOS Transistors

机译：横向DMOS晶体管总安全工作区的特性
- 作者：Moens P.;Van Den Bosch G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
55.Author's Reply

机译：作者的回复
- 作者：Miranda E.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
56.Analysis of the Back-Gate Effect on the on-State Breakdown Voltage of Smartpower SOI Devices

机译：Backgate对Smartpower SOI器件的通态击穿电压的影响分析
- 作者：Schwantes S.;Furthaler J.;Schauwecker B.;Dietz F.;Graf M.;Dudek V.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
57.Efficient Low-Temperature Data Retention Lifetime Prediction for Split-Gate Flash Memories Using a Voltage Acceleration Methodology

机译：使用电压加速方法对分隔门闪存的高效低温数据保留寿命预测
- 作者：Hu L.-C.;Kang A.-C.;Wu T.-Y.;Shih J. R.;Lin Y.-F.;Wu K.;King Y.-C.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
58.Effect of Ge Surface Nitridation on the$hboxGe/HfO_2/hboxAl$MOS Devices

机译：Ge表面氮化对$ hboxGe / HfO_2 / hboxAl $ MOS器件的影响
- 作者：Garg R.;Misra D.;Guha S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
59.Ultrathin gate-oxide breakdown-reversibility at low voltage

机译：低压下超薄栅氧化物的击穿可逆性
- 作者：Cheung K.P.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
60.Reversible off-state breakdown walkout in passivated AlGaAs/InGaAs PHEMTs

机译：钝化AlGaAs / InGaAs PHEMT中的可逆关断击穿
- 作者：Wen-Bin Tang;Yue-Ming Hsin
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
61.Rapid diagnostics of ASIC circuit marginalities using dynamic laser stimulation

机译：使用动态激光刺激快速诊断ASIC电路裕度
- 作者：Liao J.Y.;Woods G.L.;Marks H.L.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
62.Investigation of short-circuit failure limited by dynamic-avalanche capability in 600-V punchthrough IGBTs

机译：研究600 V穿通IGBT中受动态雪崩能力限制的短路故障
- 作者：Kwang-Hoon Oh;Young Chul Kim;Kyu Hyun Lee;Chong Man Yun
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
63.Impact of STI on the reliability of narrow-width pMOSFETs with advanced ALD N/O gate stack

机译：STI对具有先进ALD N / O栅极叠层的窄宽度pMOSFET可靠性的影响
- 作者：Chung S.S.;Chang-Hua Yeh;Hsin-Jung Feng;Chao-Sung Lai;Jiuun-Jer Yang;Chi-Chun Chen;Ying Jin;Shih-Chang Chen;Mong-Song Liang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
64.Enhancement in ultrathin oxide growth by thermal-induced tensile stress

机译：热致拉伸应力增强超薄氧化物的生长
- 作者：Chien-Jui Hung;Jenn-Gwo Hwu
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第1期
65.Via-depletion electromigration in copper interconnects

机译：铜互连中的通孔耗尽电迁移
- 作者：Christiansen C.J.;Baozhen Li;Gill J.;Filippi R.;Angyal M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
66.Transmission EELS attachment for SEM

机译：用于SEM的透射EELS附件
- 作者：Tao Luo;Khursheed A.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
67.Thermal runaway in integrated circuits

机译：集成电路中的热失控
- 作者：Vassighi A.;Sachdev M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
68.Stress-induced electromigration backflow effect in copper interconnects

机译：铜互连中应力诱导的电迁移回流效应
- 作者：Ney D.;Federspiel X.;Girault V.;Thomas O.;Gergaud P.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
69.Stacked dual-oxide MOS energy band diagram visual representation program (IRW student paper)

机译：堆叠式双氧化物MOS能带图可视表示程序（IRW学生论文）
- 作者：Southwick R.G. III;Knowlton W.B.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
70.SRAM circuit-failure modeling and reliability simulation with SPICE

机译：利用SPICE进行SRAM电路故障建模和可靠性仿真
- 作者：Xiaojun Li;Jin Qin;Bing Huang;Xiaohu Zhang;Bernstein J.B.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
71.Challenges in barrier and seed layers characterization of Cu technology IC devices

机译：铜技术IC器件的势垒和种子层表征面临的挑战
- 作者：Kun Li;Er E.;Yeow T.;Dong Tang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
72.Application of conductive AFM on the electrical characterization of single-bit marginal failure

机译：导电原子力显微镜在单位边缘失效电学表征中的应用
- 作者：Bailon M.F.;Salinas P.F.F.;Arboleda J.P.S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
73.A new degradation mode for heterojunction bipolar transistors under reverse-bias stress

机译：反向偏置应力下异质结双极晶体管的一种新的退化模式
- 作者：Ruat M.;Angers R.;Pakfar A.;Ghibaudo G.;Chantre A.;Revil N.;Pananakakis G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
74.Electronic system reliability: collating prediction models

机译：电子系统可靠性：整理预测模型
- 作者：Goel A.;Graves R.J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
75.Electron trap generation in high-/spl kappa/ gate stacks by constant voltage stress

机译：恒定电压应力在高/ spl kappa /栅堆叠中产生电子陷阱
- 作者：Young C.D.;Heh D.;Nadkarni S.V.;Rino Choi;Peterson J.J.;Barnett J.;Byoung Hun Lee;Bersuker G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
76.Polarity-dependent device degradation in SONOS transistors due to gate conduction under nonvolatile memory operations

机译：由于非易失性存储器操作下的栅极导通，SONOS晶体管中与极性相关的器件性能下降
- 作者：Jeong-Hyong Yi;Hyungcheol Shin;Young-June Park;Hong Shick Min
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
77.Origin of Vt instabilities in high-k dielectrics Jahn-Teller effect or oxygen vacancies

机译：高k电介质Jahn-Teller效应或氧空位中Vt不稳定性的起因
- 作者：Ribes G.;Bruyere S.;Roy D.;Parthasarthy C.;Muller M.;Denais M.;Huard V.;Skotnicki T.;Ghibaudo G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
78.Moisture influence on porous low-k reliability

机译：水分对多孔低k可靠性的影响
- 作者：Michelon J.;Hoofman R.J.O.M.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
79.Linking corrosion and catastrophic failure in low-power metallized polypropylene capacitors

机译：将低功率金属化聚丙烯电容器的腐蚀与灾难性故障联系起来
- 作者：Brown R.W.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2期
80.On-Chip Characterization of Single-Event Transient Pulsewidths

机译：单事件瞬态脉冲宽度的片内特性
- 作者：Narasimham B.;Ramachandran V.;Bhuva B. L.;Schrimpf R. D.;Witulski A. F.;Holman W. T.;Massengill L. W.;Black J. D.;Robinson W. H.;McMorrow D.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2006年第2006期
81.Special reliability features for Hf-based high-/spl kappa/ gate dielectrics

机译：基于H的高/ splκ/栅极电介质的特殊可靠性功能
- 作者：Ma T.P.;Bu H.M.;Wang X.W.;Song L.Y.;He W.;Miaomiao Wang;Tseng H.-H.;Tobin P.J.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
82.Review on high-k dielectrics reliability issues

机译：高介电常数可靠性问题回顾
- 作者：Ribes G.;Mitard J.;Denais M.;Bruyere S.;Monsieur F.;Parthasarathy C.;Vincent E.;Ghibaudo G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
83.Point defects in ZrO/sub 2/ high-/spl kappa/ gate oxide

机译：ZrO / sub 2 / high- / splκ/栅氧化层中的点缺陷
- 作者：Robertson J.;Ka Xiong;Falabretti B.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
84.Magnetic resonance studies of trapping centers in high-/spl kappa/ dielectric films on silicon

机译：硅上高/ splκ/电介质膜中俘获中心的磁共振研究
- 作者：Lenahan P.M.;Conley J.F. Jr.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
85.Impact of high-/spl kappa/ dielectric HfO/sub 2/ on the mobility and device performance of sub-100-nm nMOSFETs

机译：高/ spl kappa /电介质HfO / sub 2 /对100nm以下nMOSFET迁移率和器件性能的影响
- 作者：Watling J.R.;Lianfeng Yang;Asenov A.;Barker J.R.;Roy S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
86.Damage mechanisms in impact-ionization-induced mixed-mode reliability degradation of SiGe HBTs

机译：SiGe HBT的碰撞电离引起的混合模式可靠性退化中的损伤机理
- 作者：Chendong Zhu;Qingqing Liang;Al-Huq R.A.;Cressler J.D.;Yuan Lu;Tianbing Chen;Joseph A.J.;Guofu Niu
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
87.Conduction band-edge States associated with the removal of d-state degeneracies by the Jahn-Teller effect

机译：通过Jahn-Teller效应消除d态简并性的导带边缘状态
- 作者：Lucovsky G.;Fulton C.C.;Zhang Y.;Zou Y.;Luning J.;Edge L.F.;Whitten J.L.;Nemanich R.J.;Ade H.;Schlom D.G.;Afanasev V.V.;Stesmans A.;Zollner S.;Triyoso D.;Rogers B.R.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
88.BTI characteristics and mechanisms of metal gated HfO/sub 2/ films with enhanced interface/bulk process treatments

机译：具有增强的界面/本体工艺处理的金属门HfO / sub 2 /薄膜的BTI特性和机理
- 作者：Kalpat S.;Hsing-Huang Tseng;Ramon M.;Moosa M.;Tekleab D.;Tobin P.J.;Gilmer D.C.;Hegde R.I.;Capasso C.;Tracy C.;White B.E. Jr.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
89.Analysis and modeling of LC oscillator reliability

机译：LC振荡器可靠性分析与建模
- 作者：Sadat A.;Yi Liu;Chuanzhao Yu;Yuan J.S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
90.Validity of constant voltage stress based reliability assessment of high-/spl kappa/ devices

机译：基于恒定电压应力的高/ spl kappa /设备可靠性评估的有效性
- 作者：Byoung Hun Lee;Rino Choi;Sim J.H.;Krishnan S.A.;Peterson J.J.;Brown G.A.;Bersuker G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
91.Threshold voltage instabilities in high-/spl kappa/ gate dielectric stacks

机译：高/ spl kappa /栅极电介质堆栈中的阈值电压不稳定性
- 作者：Zafar S.;Kumar A.;Gusev E.;Cartier E.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
92.Temperature and current dependences of reliability degradation of buried heterostructure semiconductor lasers

机译：埋入异质结构半导体激光器可靠性退化的温度和电流相关性
- 作者：Jia-Sheng Huang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
93.Superior hot carrier reliability of single halo (SH) silicon-on-insulator (SOI) nMOSFET in analog applications

机译：单环（SH）绝缘体上硅（SOI）nMOSFET在模拟应用中具有出色的热载流子可靠性
- 作者：Hakim N.;Rao V.R.;Vasi J.;Woo J.C.S.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
94.Measurement of the interface trap and dielectric charge density in high-/spl kappa/ gate stacks

机译：高/ splκ/栅堆叠中界面陷阱和介电电荷密度的测量
- 作者：Neugroschel A.;Bersuker G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
95.Investigation of dielectric/metal bilayer sidewall diffusion barrier for Cu/porous ultra-low-k interconnects

机译：Cu /多孔超低k互连的介电/金属双层侧壁扩散势垒的研究
- 作者：Zhe Chen;Prasad K.;Chaoyong Li;Ning Jiang;Dong Gui
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
96.Electromigration and adhesion

机译：电迁移和粘附
- 作者：Lloyd J.R.;Lane M.W.;Liniger E.G.;Hu C.-K.;Shaw T.M.;Rosenberg R.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第1期
97.Hot-carrier induced degradations on RF power characteristics of SiGe heterojunction bipolar transistors

机译：热载流子引起的SiGe异质结双极晶体管RF功率特性下降
- 作者：Sheng-Yi Huang;Kun-Ming Chen;Guo-Wei Huang;Victor Liang;Hua-Chou Tseng;Hsu T.-L.;Chun-Yen Chang
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第2期
98.Copper corrosion issue and analysis on copper damascene process

机译：铜腐蚀问题及铜镶嵌工艺分析
- 作者：Zhigang Song;Soh Ping Neo;Chong Khiam Oh;Redkar S.;Yuan-Ping Lee
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第2期
99.Comments on 'Flash memory under cosmic and alpha irradiation'

机译：关于“宇宙和阿尔法辐射下的闪存”的评论
- 作者：Cellere G.;Paccagnella A.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第2期
100.Author's reply [to comments on 'Flash memory under cosmic and alpha irradiation']

机译：作者的回复[针对“宇宙和阿尔法辐射下的闪存”发表评论]
- 作者：Fogle A.;Darling D.;Blish R.C. II;Daszko G.
- 期刊名称：《IEEE transactions on device and materials reliability》 | 2005年第2期

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