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锗锡沟道晶体管

摘要

讨论了与具有锗锡的集成电路和晶体管、包含这些晶体管的系统、以及用于形成这种集成电路的方法相关的技术。这些晶体管包括沟道区,该沟道区包括鳍部的锗锡部分,以使得鳍部包括被设置在衬底上方的缓冲层以及被设置在缓冲层上方的锗锡部分。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-24

    授权

    授权

  • 2017-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20140327

    实质审查的生效

  • 2017-03-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20140327

    实质审查的生效

  • 2016-10-12

    公开

    公开

  • 2016-10-12

    公开

    公开

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