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偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长研究

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化学气相沉积(CVD)技术是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术,为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在影响<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行了4H-SiC的同质外延生长,表面形貌是SiC外延材料的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因,利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.

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来源
《第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议》|2004年|357-360|共4页
会议地点大连
作者
王雷; 孙国胜; 高欣; 赵万顺; 张永兴; 曾一平; 李晋闽;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;
关键词
4H-SiC; 外延生长; 偏晶向衬底; 化学气相沉积; 表面形貌;

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