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孙国胜; 赵万顺; 王雷; 罗木昌; 曾一平; 李晋闽; 孙殿照; 林兰英;
中国电子学会;
4H-SiC; 偏晶向衬底; 表面形貌; 位错结构; 半导体材料; 化学淀积法; 外延生长;
机译:通过热壁化学气相沉积在4度偏轴(0001)和(0001)衬底上外延生长4H-SIC
机译:Si面(0001)同轴4H-SiC衬底上的同质外延生长
机译:使用氨分子束外延法在4H-SiC(0001)和Si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量AlN(0001)层的原位NC-AFM测量
机译:同质外延膜在4H-SiC(1120)和8°离轴4H-SiC(0001)衬底上的生长及其表征
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:非晶或多晶衬底上的晶体膜外延-通过在晶体生长之前在衬底上压印周期性结构
机译:具有蓝宝石(0001)衬底,初始AlN层和横向过度生长的AlXGAYN(0001)层的用于外延生长的模板的制造方法
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