机译:氢气下生长后退火在4H-SiC(0001)上外延石墨烯中的高电子迁移率
机译:通过氢嵌入来调节外延石墨烯/ 4H-SiC(0001)的肖特基势垒
机译:在4H-SiC上生长的氢化外延石墨烯的结构研究(0001)
机译:控制4H-SiC(0001)上外延石墨烯的厚度以及通过氢嵌入去除缓冲层
机译:使用氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管检测化学物质和生物材料,并通过外延石墨烯检测氢
机译:离轴SiC(0001)上外延三层石墨烯的高电子迁移率
机译:外延石墨烯在4H-siC(0001)上的高电子迁移率 在氢气下进行后生长退火