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ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials
ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials
召开年:
2011
召开地:
Cleveland, OH(US);Cleveland, OH(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Decoupling the Graphene Buffer Layer from SiC(0001) via Interface Oxidation
机译:
通过界面氧化将石墨烯缓冲层与SiC(0001)解耦
作者:
Markus Ostler
;
Roland J. Koch
;
Florian Speck
;
Felix Fromm
;
Hendrik Vita
;
Martin Hundhausen
;
Karsten Horn
;
Thomas Seyller
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
graphene;
oxidation;
intercalation;
ARPES;
XPS;
raman spectroscopy;
Si-face;
2.
Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-type Doped SiC Source/Drain Regions
机译:
n型掺杂SiC源/漏区的石墨烯晶体管中的空穴电流抑制
作者:
Yuichi Nagahisa
;
Eisuke Tokumitsu
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
graphene;
transistor;
on/off ratio;
ambipolar behavior;
3.
T- and Y-Branched Three-Terminal Junction Graphene Devices
机译:
T分支和Y分支的三端结石墨烯器件
作者:
Joerg Pezoldt
;
Robert Goeckeritz
;
Bernd Haehnlein
;
Benjamin Haendel
;
Frank Schwierz
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
three-terminal junction;
graphene;
heteroepitaxy;
4.
Chloride-Based CVD of 4H-SiC at High Growth Rates on Substrates with Different Off-Angles
机译:
不同偏角衬底上高生长速率的4H-SiC氯化物基CVD
作者:
Stefano Leone
;
Henrik Pedersen
;
Franziska C. Beyer
;
Sven Andersson
;
Olof Kordina
;
Anne Henry
;
Andrea Canino
;
Francesco La Via
;
Erik Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
chloride-based CVD;
homoepitaxial growth;
substrate off-angle;
high growth rate;
5.
Comparison of 4H silicon carbide epitaxial growths at various growth pressures using dicholorosilane and silane gases
机译:
使用二氯硅烷和硅烷气体在不同生长压力下4H碳化硅外延生长的比较
作者:
Tawhid Rana
;
Haizheng Song
;
M.V.S. Chandrashekhar
;
Tangali Sudarshan
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
dichlorosilane;
silane;
silicon carbide epitaxy;
simulation;
6.
Low Temperature Epitaxy of 3C SiC Using Hexamethyldisilane Precursor on Si<111> Substrates
机译:
Si <111>衬底上使用六甲基乙硅烷前体的3C SiC的低温外延
作者:
B. Wagner
;
J. Oliver
;
N.B. Singh
;
M. King
;
S. McLaughlin
;
D. Kahler
;
D. Knuteson
;
A. Berghmans
;
R. Rai
会议名称:
《》
|
2012年
关键词:
HMDS;
CVD;
silicon;
heteroepitaxy;
XRD;
TEM;
7.
CVD Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on 4H-SiC (0001) Substrates
机译:
在4H-SiC(0001)衬底上CVD异质外延生长3C-SiC
作者:
Xun Li
;
Stefano Leone
;
Sven Andersson
;
Olof Kordina
;
Anne Henry
;
Erik Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
heteroepitaxial growth;
CVD;
3C-SiC;
8.
Defects in an Electron-Irradiated 6H-SiC Diode Studied by Alpha Particle Induced Charge Transient Spectroscopy: Their Impact on the Degraded Charge Collection Efficiency
机译:
α粒子感应电荷瞬态光谱研究电子辐照6H-SiC二极管中的缺陷:对降低的电荷收集效率的影响
作者:
N. lwamoto
;
A. Koizumi
;
S. Onoda
;
T. Makino
;
T. Ohshima
;
K. Kojima
;
S. Koike
;
K. Uchida
;
S. Nozaki
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
alpha particle;
charge transient spectroscopy;
charge collection;
defect;
electron irradiation;
particle detector;
9.
Characterization of Annealed HPSI 4H-SiC for Photoconductive Semiconductor Switches
机译:
用于光导半导体开关的退火HPSI 4H-SiC的特性
作者:
Cameron Hettler
;
W.W. Sullivan III
;
J. Dickens
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
recombination lifetime;
microwave photoconductivity decay;
photoconductive semiconductor switch;
10.
Photoluminescence Study of the Driving Force for Stacking Fault Expansion in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中堆垛层错扩展驱动力的光致发光研究
作者:
Rii Hirano
;
Yuki Sato
;
Michio Tajima
;
Kohei M. Itoh
;
Koji Maeda
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
photoluminescence;
radiation-enhanced dislocation glide;
stacking faults;
11.
Status of Large Diameter SiC Single Crystals
机译:
大口径SiC单晶的现状
作者:
Avinash Gupta
;
Ping Wu
;
Varatharajan Rengarajan
;
Xueping Xu
;
Murugesu Yoganathan
;
Chris Martin
;
Ejiro Emorhokpor
;
Andy Souzis
;
Ilya Zwieback
;
Tom Anderson
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
bulk crystal growth;
sublimation;
polytype conversion;
crystal defects;
dislocations;
12.
Detection of Mobile Ions in the Presence of Charge Trapping in SiC MOS Devices
机译:
SiC MOS器件中存在电荷陷阱的移动离子检测
作者:
Daniel B. Habersat
;
Aivars Lelis
;
Ronald Green
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
MOS;
charge trapping;
mobile ion;
bias instability;
13.
Two-way Tunneling Model of Oxide Trap Charging and Discharging in SiC MOSFETs
机译:
SiC MOSFET中氧化物陷阱充放电的双向隧穿模型
作者:
A. Lelis
;
D. Habersat
;
R. Green
;
N. Goldsman
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
MOSFET;
oxide trap;
threshold-voltage instability;
tunneling model;
14.
Lateral Growth Expansion of 4H/6H-SiC m-plane Pseudo Fiber Crystals by Hot Wall CVD Epitaxy
机译:
热壁CVD外延生长4H / 6H-SiC m平面伪纤维晶体的横向生长扩展
作者:
Andrew J. Trunek
;
Philip G. Neudeck
;
Andrew A. Woodworth
;
J. A. Powell
;
David J. Spry
;
Balaji Raghothamachar
;
Michael Dudley
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
a-plane;
a-face;
m-plane;
m-face;
CVD;
hot wall;
epitaxy;
15.
Synthesis and purification of silicon carbide powders for crystal growth
机译:
晶体生长用碳化硅粉的合成与纯化
作者:
T. C. Hsiao
;
S. Tsao
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide powder;
synthesis;
purification;
crystal growth;
16.
Bulk and surface effects on the polytype stability in SiC crystals
机译:
体积和表面效应对SiC晶体多型稳定性的影响
作者:
Frederic Mercier
;
Shin-ichi Nishizawa
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
crystal growth;
polytype stability;
bulk;
surface;
DFT;
17.
On the stability of 3C-SiC single crystals at high temperatures
机译:
3C-SiC单晶在高温下的稳定性
作者:
D. Dompoint
;
I. G. Galben-Sandulache
;
A. Boulle
;
D. Chaussende
;
D. Eyidi
;
J. -L. Demenet
;
M. -F. Beaufort
;
J. Rabier
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
3C-6H transition;
stacking faults;
dislocations;
18.
Growth of 4H-SiC Epilayers and Z_(1/2) Center Elimination
机译:
4H-SiC外延层的生长和Z_(1/2)中心消除
作者:
Tetsuya Miyazawa
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial growth;
point defect;
carrier lifetime;
deep level transient microscopy;
time-resolved photoluminescence;
19.
In-Grown Stacking Faults in SiC-CVD using Dichlorosilane and Propane as precursors
机译:
以二氯硅烷和丙烷为前驱体的SiC-CVD的成层堆叠故障
作者:
Haizheng Song
;
Sabih U. Omar
;
Tawhid Rana
;
M.V.S. Chandrashekhar
;
Tangali S. Sudarshan
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial growth;
in-grown stacking faults;
dichlorosilane;
insulation material;
substrate pretreatment;
20.
Investigation of Basal Plane Dislocation Reduction/Elimination by Molten KOH-NaOH Eutectic Etching Method
机译:
熔融KOH-NaOH共晶刻蚀方法减少/消除基面位错的研究
作者:
Haizheng Song
;
Tangali S. Sudarshan
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial growth;
BPD reduction/elimination;
KOH-NaOH eutectic etching;
substrate etching;
21.
On stabilization of 3C-SiC using low off-axis 6H-SiC substrates
机译:
使用低轴外6H-SiC衬底稳定3C-SiC
作者:
Valdas Jokubavicius
;
Bjoern Lundqvist
;
Philip Hens
;
Rickard Liljedahl
;
Rositza Yakimova
;
Satoshi Kamiyama
;
Mikael Syvaejaervi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
sublimation epitaxy;
low off-axis 6H-SiC;
22.
Origin of the Warpage of 3C-SiC Wafer: Effect of Nonuniform Intrinsic Stress
机译:
3C-SiC晶片翘曲的起因:非均匀固有应力的影响
作者:
Yu Sun
;
Satoshi Izumi
;
Shinsuke Sakai
;
Kuniaki Yagi
;
Hiroyuki Nagasawa
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
epitaxy;
warpage;
bilayer formula;
intrinsic stress;
stacking fault;
23.
Use of Vanadium Doping for Compensated and Semi-Insulating SiC Epitaxial Layers for SiC Device Applications
机译:
钒掺杂在补偿和半绝缘SiC器件应用中的SiC外延层中的应用
作者:
Bharat Krishnan
;
Rooban Venkatesh K. G. Thirumalai
;
Siva Kotamraju
;
J. Neil Merrett
;
Yaroslav Koshka
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
semi-insulating;
epitaxial growth;
chloro-carbon;
PiN;
drift region;
24.
Progress in Growth of Thick Epitaxial Layers on 4 Degree Off-axis 4H SiC Substrates
机译:
4度离轴4H SiC衬底上厚外延层生长的研究进展
作者:
J. Zhang
;
G. Chung
;
E. Sanchez
;
M.J. Loboda
;
S. Sundaresan
;
R. Singh
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
thick epitaxy;
BPD density;
carrier lifetime;
surface defects;
high voltage diode;
25.
Terahertz electroluminescence of 6H-SiC natural SiC superlattice in Bloch oscillations regime
机译:
Bloch振荡状态下6H-SiC天然SiC超晶格的太赫兹电致发光
作者:
V.I. Sankin
;
A.V. Andrianov
;
A.G. Petrov
;
P.P. Shkrebiy
;
A.O. Zakhar in
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
natural superlattice;
miniband;
wannier-stark localization;
electric field;
negative differential conduction;
terahertz;
impact ionization;
26.
Emission enhancement of SiC/SiO_2 core/shell nanowires induced by the oxide shell
机译:
氧化物壳引起的SiC / SiO_2核/壳纳米线的发射增强
作者:
Filippo Fabbri
;
Francesca Rossi
;
Giovanni Attolini
;
Matteo Bosi
;
Giancarlo Salviati
;
Salvatore lannotta
;
Lucrezia Aversa
;
Roberto Verucchi
;
Marco Nardi
;
Naoki Fukata
;
Benjamin Dierre
;
Takashi Sekiguchi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
nanowire;
characterization;
emission;
nanostructures;
27.
Morphological instability of 4H-SiC (0001) basal plane surface during Si-vapor thermal etching
机译:
硅蒸气热刻蚀过程中4H-SiC(0001)基面表面的形貌不稳定性
作者:
Shoji Ushio
;
Kohei Nakanishi
;
Noboru Ohtani
;
Tadaaki Kaneko
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
step-free surface;
Si-vapor etching;
morphological instability;
dislocation;
28.
First-principles Analysis of Dissociative Absorption of HF Molecule at SiC Surface Step Edge
机译:
SiC表面台阶边缘的HF分子解离吸收的第一性原理分析
作者:
Kouji lnagaki
;
Bui Van Pho
;
Kazuto Yamauchi
;
Yoshitada Morikawa
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
catalyst-referred etching;
hydrogen fluoride;
first-principles calculation;
dissociative absorption;
reaction barrier;
29.
Excitation Properties of Silicon Vacancy in Silicon Carbide
机译:
碳化硅中硅空位的激发特性
作者:
A. Gali
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
quantum bit;
quantum optics;
defect;
silicon vacancy;
photoluminescence;
time-dependent density functional theory;
hybrid functional;
30.
Investigation of intrinsic carbon-related defects in 4H-SiC by selective-excitation photoluminescence spectroscopy
机译:
选择性激发光致发光光谱研究4H-SiC中固有的碳相关缺陷
作者:
I.G. Ivanov
;
A. Gaellstroem
;
R. Coble
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
;
E. Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
carbon aggregates;
carbon split interstitial;
di-carbon antisite;
photoluminescence;
31.
Temperature Dependent Chemical Sensitivity of Epitaxial Graphene
机译:
外延石墨烯的温度相关化学敏感性
作者:
V.K. Nagareddy
;
D.K. Gaskill
;
J.L. Tedesco
;
R.L. Myers-Ward
;
C.R. Eddy Jr
;
J.P. Goss
;
N.G. Wright
;
A.B. Horsfall
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial graphene;
chemical sensing;
polar protic;
polar aprotic;
dipole moment;
32.
Influence of Threading Dislocations on Lifetime of Gate Thermal Oxide
机译:
螺纹位错对栅热氧化物寿命的影响
作者:
K. Yamamoto
;
M. Nagaya
;
H. Watanabe
;
E. Okuno
;
T. Yamamoto
;
S. Onda
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
MOS;
TDDB;
threading dislocation;
TEM;
KOH;
TED;
TSD;
33.
4H-SiC wafers studied by X-ray absorption and Raman scattering
机译:
通过X射线吸收和拉曼散射研究4H-SiC晶片
作者:
Qiang Xu
;
Hua Yang Sun
;
Cheng Chen
;
Ling-Yun Jang
;
RUSLI
;
Suwan P. Mendis
;
Chin Che Tin
;
Zhi Ren Qiu
;
Zhengyun Wu
;
Chee Wee Liu
;
Zhe Chuan Feng
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
synchrotron radiation;
X-ray absorption;
raman scattering;
photoluminescence;
34.
Single-Crystal SiC Resonators by Photoelectrochemical Etching
机译:
光电化学刻蚀单晶SiC谐振器
作者:
Mohammad M. Islam
;
Chih-Fang Huang
;
Feng Zhao
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
single crystal;
SiC;
resonator;
photoelectrochemical etching;
35.
Amorphous Silicon Carbide (a-SiC) Thin Square Membranes for Resonant Micromechanical Devices
机译:
用于谐振微机械装置的非晶碳化硅(a-SiC)薄方形膜
作者:
Andrew C. Barnes
;
Christian A. Zorman
;
Philip X.-L. Feng
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
amorphous silicon carbide (a-SiC);
SiC membrane;
micromechanical resonator;
vibrational modes;
nano/microelectromechanical systems (MEMS/MEMS);
36.
GaAs Nanowires: A New Place to Explore Polytype Physics
机译:
GaAs纳米线:探索多型物理的新地方
作者:
Tawinan Cheiwchanchamnangij
;
Thomas Birkel
;
Walter R. L. Lambrecht
;
Al. L. Efros
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
polytypism;
GW calculations;
nanowire;
GaAs;
37.
The atomic step induced by off angle CMP influences the electrical properties of the SiC surface
机译:
偏角CMP引起的原子台阶影响SiC表面的电性能
作者:
Yayoi Tanaka
;
Takao Kanda
;
Kazuyuki Nagatoshi
;
Masamichi Yoshimura
;
Osamu Eryu
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
atomic step;
CMP;
LEISS;
CAFM;
SBD;
38.
Large area quasi-free standing monolayer graphene on 3C-SiC(111)
机译:
3C-SiC(111)上的大面积准无驻立单层石墨烯
作者:
U. Starke
;
C. Coletti
;
K.V. Emtsev
;
A.A. Zakharov
;
T. Ouisse
;
D. Chaussende
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
graphene;
intercalation;
quasi-free standing graphene;
3C-SiC;
ARPES;
AFM;
LEEM;
LEED;
XPS;
39.
CVD Growth of Graphene on 2' 3C-SiC/Si Templates: Influence of Substrate Orientation and Wafer Homogeneity
机译:
石墨烯在2“ 3C-SiC / Si模板上的CVD生长:衬底取向和晶圆均质性的影响
作者:
M. Portail
;
A. Michon
;
S. Vezian
;
D. Lefebvre
;
S. Chenot
;
A. Ouerghi
;
M. Zielinski
;
Th. Chassagne
;
Y. Cordier
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
graphene;
propane - argon CVD;
40.
Local Solid Phase Epitaxy of Few-Layer Graphene on Silicon Carbide
机译:
碳化硅上很少层石墨烯的局部固相外延
作者:
Enrique Escobedo-Cousin
;
Konstantin Vassilevski
;
Irina Nikitina
;
Nick Wright
;
Anthony ONeill
;
Alton Horsfall
;
Jonathan Goss
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
graphene;
few-layer graphene;
nickel silicide;
raman scattering;
41.
High Uniformity with Reduced Surface Roughness of Chloride based CVD process on 100mm 4° off-axis 4H-SiC
机译:
在100mm 4°离轴4H-SiC上基于氯化物的CVD工艺具有高度均匀性和降低的表面粗糙度
作者:
Hrishikesh Das
;
Swapna Sunkari
;
Timothy Oldham
;
Janna Casady
;
Jeff Casady
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
6×4 inch planetary reactor;
epitaxial growth;
4° off-axis;
high uniformity;
high growth rate;
low surface roughness;
42.
Epitaxial Growth of 4H-SiC using Si_2(CH_3)_6+ Si_2Cl_6+ C_3H_8+ H_2 system by atmospheric pressure hot CVD method
机译:
Si_2(CH_3)_6 + Si_2Cl_6 + C_3H_8 + H_2体系通过大气压热CVD法外延生长4H-SiC
作者:
H. S. Lee
;
M. J. Kim
;
M. H. Kim
;
S. I. Lee
;
W. J. Lee
;
B. C. Shin
;
S. Nishino
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial growth;
CVD;
4H-SiC;
hexachlorodisilane;
hexamethyledisilane;
43.
Study of the impact of growth and post-growth processes on the surface morphology of 4H silicon carbide films
机译:
研究生长和后生长过程对4H碳化硅膜表面形态的影响
作者:
M. Camarda
;
A. Canino
;
P. Fiorenza
;
C. Bongiomo
;
A. Severino
;
V. Raineri
;
A. La Magna
;
F. La Via
;
M. Mauceri
;
G. Abbondanza
;
A. Pecora
;
D. Crippa
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
surface morphology;
surface instabilities;
step bunching;
44.
Electronic Configuration of Tungsten in 4H-, 6H-, and 15R-SiC
机译:
4H-,6H-和15R-SiC中钨的电子结构
作者:
A. Gaellstroem
;
B. Magnusson
;
F.C. Beyer
;
A. Gali
;
NT. Son
;
S. Leone
;
I.G. Ivanov
;
A. Henry
;
C.G. Hemmingsson
;
E. Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
deep level defect;
PL;
transition metal;
crystal field model;
45.
Plasma-based chemical modification of epitaxial graphene
机译:
外延石墨烯的等离子体化学修饰
作者:
S.G. Walton
;
S.C. Hernandez
;
M. Baraket
;
V.D. Wheeler
;
L.O. Nyakiti
;
R.L. Myers-Ward
;
C.R. Eddy Jr.
;
D. K. Gaskill
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial graphene;
functionalization;
plasma;
oxygen;
46.
Evidence of Electrochemical Graphene Functionalization by Raman Spectroscopy
机译:
拉曼光谱电化学石墨烯功能化的证据
作者:
Kevin M. Daniels
;
B. K. Daas
;
N. Srivastava
;
C. Williams
;
R. M. Feenstra
;
T.S. Sudarshan
;
MVS Chandrashekhar
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
graphene;
electrochemistry;
functionalization;
raman;
47.
Photoluminescence and Raman spectroscopy characterization of boron-and nitrogen-doped 6H silicon carbide
机译:
硼和氮掺杂的6H碳化硅的光致发光和拉曼光谱表征
作者:
Yiyu Ou
;
Valdas Jokubavicius
;
Chuan Liu
;
Rolf W. Berg
;
Margareta Linnarsson
;
Satoshi Kamiyama
;
Zhaoyue Lu
;
Rositza Yakimova
;
Mikael Syvajarvi
;
Haiyan Ou
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
6H-SiC;
photoluminescence;
raman spectroscopy;
donor-acceptor-pair emission;
sublimation epitaxy;
48.
Investigation of Additional States in the Silicon Carbide Surface after Diffusion Welding
机译:
扩散焊接后碳化硅表面附加态的研究
作者:
Janos Mizsei
;
Oleg Korolkov
;
Natalja Sleptsuk
;
Jana Toompuu
;
Toomas Rang
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
diffusion welding;
deep levels;
surface states;
DLTS measurements;
kelvin probe;
49.
Long Carrier Lifetimes in n-type 4H-SiC Epilayers
机译:
n型4H-SiC外延层中的载流子寿命长
作者:
P.B.Klein
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
carrier lifetime;
defects;
recombination;
50.
Critical Conditions of Misfit Dislocation Formation in 4H-SiC Epilayers
机译:
4H-SiC外延层中错配位错形成的临界条件
作者:
Xuan Zhang
;
Tetsuya Miyazawa
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
misfit dislocations;
interfacial dislocations;
basal plane dislocations (BPDs);
annealing;
misfit stress;
thermal stress;
4H-SiC;
51.
Low Temperature Photoluminescence Signature of Stacking Faults in 6H-SiC Epilayers Grown on Low Angle Off-axis Substrates
机译:
低角度离轴衬底上生长的6H-SiC外延层中的堆垛层错的低温光致发光特征
作者:
J. W. Sun
;
T. Robert
;
V. Jokubavicius
;
S. Juillaguet
;
R. Yakimova
;
M. Syvaejaervi
;
J. Camassel
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
stacking faults;
low temperature photoluminescence;
52.
Interaction of 6H-type Stacking Faults with Threading Screw Dislocations in PVT-grown 4H-SiC Single Crystals
机译:
PVT生长的4H-SiC单晶中6H型堆垛层错与螺纹位错的相互作用
作者:
S. Sato
;
T. Fujimoto
;
H. Tsuge
;
M. Katsuno
;
W. Ohashi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
4H-SiC;
PVT growth;
stacking fault;
threading screw dislocation;
53.
Ab initio calculation of mechanical properties of stacking fault in 3C-SiC: Effect of stress and doping
机译:
从头算计算3C-SiC堆垛层错的力学性能:应力和掺杂的影响
作者:
Yoshitaka Umeno
;
Kuniaki Yagi
;
Hiroyuki Nagasawa
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
stacking fault;
ab initio calculation;
density functional theory;
stress;
54.
X-Ray Three-Dimensional Topography Imaging of Basal-Plane and Threading-Edge Dislocations in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中基面和螺纹边缘位错的X射线三维立体成像
作者:
R. Tanuma
;
D. Mori
;
I. Kamata
;
H. Tsuchida
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
X-ray;
microbeam;
topography;
three dimensional;
dislocation;
basal plane dislocation;
threading edge dislocation;
55.
On the Twin Boundary Propagation in (111) 3C-SiC Layers
机译:
在(111)3C-SiC层中的双边界传播
作者:
M. Marinova
;
A. Andreadou
;
A. Mantzari
;
E.K. Polychroniadis
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
twin boundary propagation;
TEM;
56.
Defect structures at the silicon/3C-SiC interface
机译:
硅/ 3C-SiC界面处的缺陷结构
作者:
P.Hens
;
J.Mueller
;
E.Spiecker
;
P.Wellmann
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
cubic silicon carbide;
heteroepitaxy;
interface;
dislocations;
roughness;
voids;
57.
Electrically Detected Magnetic Resonance (EDMR) Studies of SiC-SiO_2 Interfaces
机译:
SiC-SiO_2界面的电检测磁共振(EDMR)研究
作者:
T. Umeda
;
R. Kosugi
;
K. Fukuda
;
N. Morishita
;
T. Oshima
;
K. Esaki
;
J. Isoya
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
EDMR;
ESR;
SiC-SiO_2 interface;
interface states;
MOSFET;
hydrogen;
nitrogen;
shallow donors;
channel mobility;
58.
Correlation between Surface Morphological Defects and Crystallographic Defects in SiC
机译:
SiC表面形貌缺陷与晶体学缺陷的相关性
作者:
T. Hatakeyama
;
K. Ichinoseki
;
H. Yamaguchi
;
N. Sugiyama
;
H. Matsuhata
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
defect;
dislocation;
pit;
X-ray topography;
SiC;
4H-SiC;
Si-face;
C-face;
59.
Definitive Identification of an Important 4H SiC MOSFET Interface/Near Interface Trap
机译:
重要的4H SiC MOSFET接口/附近接口陷阱的明确标识
作者:
C.J. Cochrane
;
P.M. Lenahan
;
A.J. Lelis
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
SiC/SiO_2 interfaceear interface traps;
magnetic resonance;
EDMR;
EPR;
60.
Comparative Study of Electrical and Microstructural Properties of 4H-SiC MOSFETs
机译:
4H-SiC MOSFET的电学和微结构特性的比较研究
作者:
C. Strenger
;
V. Haeublein
;
T. Erlbacher
;
A. J. Bauer
;
H. Ryssel
;
A. M. Beltran
;
S. Schamm-Chardon
;
V. Mortet
;
E. Bedel-Pereira
;
M. Lefebvre
;
F. Cristiano
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC MOSFETs;
HRTEM;
spatially-resolved EELS;
SiC/SiO_2 interface;
hall mobility;
61.
Sub-Bandgap Light-Induced Carrier Generation at Room Temperature in Silicon Carbide MOS Capacitors
机译:
室温下碳化硅MOS电容器中的亚带隙光诱导载流子生成
作者:
Sandeepan DasGupta
;
Andrew Armstrong
;
Robert Kaplar
;
Matthew Marinella
;
Reinhard Brock
;
Mark Smith
;
Stanley Atcitty
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
sub-bandgap;
optical generation;
metastable defect;
silicon vacancy;
62.
Growth of High Quality 4H-SiC Crystals in Controlled Temperature Distributions of Seed Crystals
机译:
受控晶种温度分布中高质量4H-SiC晶体的生长
作者:
H. Tsuge
;
S. Sato
;
M. Katsuno
;
T. Fujimoto
;
W. Ohashi
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
PVT growth;
defect;
63.
Behavior of particles in the growth reactor and their effect on silicon carbide epitaxial growth
机译:
生长反应器中颗粒的行为及其对碳化硅外延生长的影响
作者:
Tawhid Rana
;
Haizheng Song
;
M.V.S. Chandrashekhar
;
Tangali Sudarshan
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
parasitic deposition;
gas phase nucleation;
particle formation;
silicon droplets;
64.
Influence of Growth Mechanism on Carrier Lifetime in on-axis Homoepitaxial Layers of 4H-SiC
机译:
生长机理对4H-SiC轴同质外延层载流子寿命的影响
作者:
J. Hassan
;
L. Lilja
;
I.D. Booker
;
J.P. Bergman
;
E. Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
on-axis;
chemical vapor deposition;
growth mechanism;
carrier lifetime;
65.
The Effect of Growth Conditions on Carrier Lifetime in n-type 4H-SiC Epitaxial Layers
机译:
生长条件对n型4H-SiC外延层载流子寿命的影响
作者:
L. Lilja
;
J. Hassan
;
I.D. Booker
;
J.P. Bergman
;
E. Janzen
会议名称:
《ICSCRM 2011;International conference on silicon carbide and related materials》
|
2012年
关键词:
epitaxial growth;
carrier lifetime;
atomic force microscopy;
photoluminescence;
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