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退火时间对6H-SiC(0001)表面外延石墨烯形貌和结构的影响

     

摘要

在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、激光拉曼光谱(Raman)和近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D峰和G峰的位置相对高定向热解石墨(HOPG)中2D峰和G峰的位置蓝移,且退火时间增加,峰的蓝移量减小.对样品中碳原子K边NEXAFS谱测量显示,样品中存在sp~2杂化的碳原子,退火时间增加使碳原子的1s→π以及1s→σ吸收的强度增大,且1s电子到π态的吸收峰相对HOPG的向高能偏移.

著录项

  • 来源
    《物理化学学报》|2010年第1期|253-258|共6页
  • 作者单位

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院,安徽淮北,235000;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029;

    山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;

    山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 半导体化学;材料;
  • 关键词

    Raman; 石墨烯; 6H-SiC; 退火时间; RHEED; AFM; NEXAFS;

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