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机译:通过热壁化学气相沉积在4度偏轴(0001)和(0001)衬底上外延生长4H-SIC
ECOTRON Co Ltd, Res & Dev Grp, Kyoto 6158586, Japan;
Kyoto Univ, Dept Elect Sci & Engn, Kyoto 6158510, Japan;
JST Innovat Pl Kyoto, Kyoto 6158524, Japan;
crystal morphology; hot wall epitaxy; vapor-phase epitaxy; semiconducting materials; LAYERS; HOMOEPITAXY; REDUCTION; FACE;
机译:通过化学气相沉积在w-AlN(0001),4度切角4H-SiC(0001),W(110)和Cr(110)衬底上生长氮化硼膜
机译:垂直热壁化学气相沉积中C / Si比对4H-SIC(0001)快速外延生长的影响
机译:垂直热壁化学气相沉积中高纯度4H-SiC(0001)的快速外延生长
机译:冷壁和热壁化学气相沉积(0001)C面基板的4H-SiC的外延生长
机译:通过有机金属气相外延在6H-碳化硅(0001)衬底上横向生长氮化镓薄膜的横向外延技术。
机译:乙烯化学气相沉积法生长压力对4H-SiC衬底上生长的外延石墨烯的影响
机译:外延(111)Cu,Ni和CuxNiy薄膜在α-al2O3(0001)上通过化学气相沉积生长石墨烯
机译:化学气相沉积法在蓝宝石和红宝石衬底上外延生长al2O3