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European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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1.
High Temperature Contacts to GaN adn SiC Based on TiB_x Nanostructure Layers
机译:
基于TIBX纳米结构层的GaN和SiC高温触点
作者:
M.S. Boltovets
;
V.N. Ivanov
;
A.Yu. Avksentyev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
high-temperature contacts;
interphase boundary;
Schottky barriers;
GaN;
6H-SiC monocrystals;
TiB_x films;
2.
Growth of 2 Inches 6H-SiC Crystals by Sublimation Method: the Comparison of alpha- and beta-SiC Powders
机译:
通过升华方法生长2英寸6H-SiC晶体:α-和β-SiC粉末的比较
作者:
Soo-Hyung Seo
;
Joon-Suk Song
;
Myung-Hwan Oh
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
6H-SiC;
sublimation;
alpha-SiC;
beta-SiC;
polycrystal;
polytype;
3.
Optical Centres with Local Vibrational Modes Created by High Temperature Annealing of Electron Irradiated 4H and 6H Silicon Carbide
机译:
光学中心具有由电子照射4H和6H碳化硅的高温退火产生的局部振动模式
作者:
J. W. Steeds
;
S. A. Furkert
;
W. Sullivan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Optical centres;
local vibrational modes;
high temperature;
4.
Electrical Characteristics of 4H-SiC BJTs at Elevated Temperatures
机译:
高温4H-SiC BJT的电气特性
作者:
H-S. Lee
;
M. Domeij
;
E. Danielsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
Bipolar junction transistor;
Self-Heating;
Junction Temperature.;
5.
Metal Bonding in SiC Based Substrates
机译:
基于SiC的基材中的金属键合
作者:
I. Matko
;
B. Chenevier
;
R. Madar
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
QuaSiC ~(TM) substrates;
metal bonding;
Transmission Electron Microscopy;
X-ray diffraction;
6.
Hall Effect in the Channel of 3C-SiC MOSFETs
机译:
在3C-SIC MOSFET通道中的霍尔效应
作者:
M. Krieger
;
G. Pensl
;
M. Bakowski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC MOSFET;
Hall effect;
free electron areal density;
density of interface states;
7.
Technological Aspects of Ion Implantation in SiC Device Processes
机译:
SIC器件过程中离子植入的技术方面
作者:
Y. Negoro
;
T. Kimoto
;
H. Matsunami
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
implantation;
device process;
annealing;
diffusion;
(11-20) face;
graphite cap;
8.
Ion Beam Analysis and Computer Simulation of Damage Accumulation in Nitrogen Implanted 6H-SiC: Effects of Channeling
机译:
氮气造成6H-SIC中损伤积累的离子束分析及计算机模拟:沟通的影响
作者:
Z. Zolnai
;
A. Ster
;
N. Q. Khanh
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Channeling;
Electronic Stopping Power;
Radiation Defects;
Backscattering Spectrometry;
Computer Simulation;
9.
Evolution of Defect and Hydrogen-Related Low Temperature Photoluminescence Spectra with Annealing for Hydrogen or Helium Implanted 6H SiC
机译:
缺陷和氢气相关低温光致发光光谱的演变与退火氢气或氦气注入6H SiC
作者:
F. Yan
;
R.P. Devaty
;
W.J. Choyke
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Hydrogen;
Helium;
D_I D_(II);
Photoluminescence;
defects;
10.
Specific Aspects of Type Ⅱ Heteropolytype Stacking Faults in SiC
机译:
Ⅱ型杂多型堆叠故障的具体方面
作者:
S. Juillaguet
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
stacking faults;
3C-SiC;
quantum wells;
11.
Infrared Gratings Based on SiC/Si-heterostructures
机译:
基于SiC / Si-异构结构的红外格栅
作者:
C. Rockstuhl
;
H.P. Herzig
;
Ch. Forster
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
infrared;
optical properties;
optical device;
3C- SiC;
Si.;
12.
Performance of SiC Cascode Switches with Si MOS Gate
机译:
SIC Cascode开关与SI MOS门的性能
作者:
G. Brezeanu
;
C. Boianceanu
;
M. Brezeanu
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
cascode switch;
transient response;
transfer characteristics;
SiC-JFET.;
13.
Experimental Investigation and Simulation of Silicon Droplets Formation during SiC CVD Epitaxial Growth
机译:
SiC CVD外延生长期间硅液滴形成的实验研究与仿真
作者:
G. Melnychuk
;
Y. Koshka
;
M. S. Mazzola
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Droplets;
Simulation;
Epitaxial Growth;
CVD;
Hot-wall;
Implant Annealing;
14.
Lateral Epitaxial Overgrowth of 3C-SiC on Si Substrates by CVD Method
机译:
CVD方法横向外延过度3C-SiC
作者:
S.Sugishita
;
A.Shoji
;
Y.Mukai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC;
CVD;
Epitaxial Growth;
Hetero-Epitaxial Growth;
Lateral Epitaxial Overgrowth;
15.
XRDT Study of Structural Defects of 6H-SiC Crystals
机译:
XRDT研究6H-SIC晶体的结构缺陷
作者:
G. Agrosi
;
R.A. Fregola
;
A. Monno
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
X-ray diffraction topography;
6H-SiC;
dislocations;
micro-channels and crystal growth;
16.
High Temperature Rapid Thermal Oxidation and Nitridation of 4H-SiC in Diluted N_2O and NO Ambient
机译:
高温快速热氧化和4H-SiC稀释N_2O的氮化,没有环境
作者:
Ryoji Kosugi
;
Kenji Fukuda
;
Kazuo Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MOS;
MOSFET;
Oxidation;
Nitridation;
RTP;
NO;
N_2O;
Interface trap density;
D_(it);
Channel mobility;
17.
Characteristics of Trench-Refilled H-SiC P-N Junction Diodes Fabricated by Selective Epitaxial Growth
机译:
通过选择性外延生长制造的沟槽再填充的H-SiC P-N结二极管的特征
作者:
C. Li
;
P. Losee
;
J. Seller
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
selective epitaxial growth;
junction diodes;
chemical vapor deposition;
18.
Optical Spectroscopy as a Tool for Observation of Porous SiC Graphitization
机译:
光谱分析作为观察多孔SiC石墨化的工具
作者:
V. B. Shuman
;
N. S. Savkina
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
porous SiC;
graphitization;
optical spectroscopy;
vacuum thermal treatment;
oxidation.;
19.
Effect of the Metal Composition on the electrical and Thermal Properties of Au/Pd/Ti/Pd Contacts to p-type SiC
机译:
金属组合物对Au / Pd / Ti / Pd触点对P型SiC的电气和热性能的影响
作者:
L. Kolaklieva
;
R. Kakanakov
;
Ts. Marinova
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Ohmic contacts;
p-type 4H-SiC;
thermal stability;
XPS analysis.;
20.
Temperature Stability of Breakdown Voltage on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier Heights
机译:
不同屏障高度SiC电源肖特基二极管击穿电压的温度稳定性
作者:
R. Pierobon
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Schottky Barrier;
Power Diodes;
Breakdown;
Temperature;
Titanium;
Nickel Silicide.;
21.
Influence of Irradiation on Excess Currents in SiC pn Structures
机译:
辐照对SiC PN结构过度电流的影响
作者:
A.M.Strelchuk
;
V.V.Kozlovski
;
A.A.Lebedev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Excess currents;
Electron and proton irradiation;
6H-SiC pn structures.;
22.
Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET
机译:
4H-SIC双外延MOSFET中低电阻的分析
作者:
Shinsuke Harada
;
Mitsuo Okamoto
;
Tsutomu Yatsuo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
DEMOSFET;
MOSFET;
Buried channel;
on-resistance.;
23.
Effects of Epitaxial Layer Growth Parameters on the Defect Density and on the Electrical Characteristics of Schottky Diodes
机译:
外延层生长参数对肖特基二极管缺陷密度及电气特性的影响
作者:
F. La Via
;
F. Roccaforte
;
S. Di Franco
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
epitaxial growth;
KOH etch;
Schottky diodes;
DLTS;
24.
Modeling of Photon Recycling in GaN-Devices
机译:
GaN装置中光子回收的建模
作者:
Enn Velmre
;
Andres Udal
;
Mihhail Klopov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
GaN;
GaAs;
photon recycling;
recombination radiation reabsorption;
1D drift-diffusion simulations;
radiative recombination transfer function;
p-i-n structures;
bipolar transistor structures;
25.
J-V Characteristics of Al~+ Ion Implanted p~+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600 deg C
机译:
Al〜+离子植入的J-V特性P〜+ / N 4H-SiC二极管在硅烷环境下在1600℃下退火
作者:
Fabio Bergamini
;
Shailaja P. Rao
;
Stephen E. Saddow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Ion Implantation;
Silane;
Annealing;
p~+/n junction diode;
26.
Evaluation of On-state Resistance and Boron-related Levels in n-type 4H-SiC
机译:
评估N型4H-SIC中的导态抗性和硼相关水平
作者:
R.R. Ciechonski
;
S. Porro
;
M. Syvajarvi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
On-state resistance;
I-V;
C-V;
MCTS;
Sublimation;
High-speed epitaxy;
Deep levels;
Boron;
Compensation;
27.
BV{sub}(CEO) versus BV{sub}(CBO) for 4H and 6H Polytype SiC Bipolar Junction Transistors
机译:
BV {Sub}(CEO)与BV {SUB}(CBO)对于4H和6H PolyType SiC双极连接晶体管
作者:
S. Balachandran
;
T. P. Chow
;
A. Agarwal
;
S. Scozzie
;
K. A. Jones
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
Poly-type;
Ionization integral;
Impact ionization coefficient;
Bipolar Junction Transistor;
Breakdown;
28.
Specific Aspects of Type II Heteropolytype Stacking Faults in SiC
机译:
II型杂多型堆叠故障的特定方面
作者:
S. Juillaguet
;
J. Camassel
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
Stacking Faults;
SC-SiC;
Quantum Wells;
29.
Electrical Properties of Aluminum Oxide Films Grown by Atomic Layer Deposition on n-type 4H-SiC
机译:
用原子层沉积在N型4H-SIC上生长的氧化铝膜的电性能
作者:
Marc Avice
;
Ulrike Grossner
;
Edouard V. Monakhov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MOS;
Al_2O_3;
ALCVD;
Annealing;
CV;
DLTS.;
30.
High Field Effect Mobility in Si Face 4H-SiC MOSFET Made on Sublimation Growth Epitaxial Material
机译:
Si面4H-SiC MOSFET在升华生长外延材料中的高场效应流动性
作者:
E. O. Sveinbjornsson
;
H. O. Olafsson
;
G. Gudjonsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MOSFET;
field effect mobility;
sublimation growth.;
31.
Ni-silicide Contacts to 6H-SiC: Contact Resistivity and Barrier Height on Ion Implanted n-type and Barrier Height on p-type Epilayer
机译:
Ni-硅化物触点至6H-SIC:接触电阻率和屏障高度在离子植入的n型和屏障高度上对P型癫痫仪
作者:
Francesco Moscatelli
;
Andrea Scorzoni
;
Antonella Poggi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon carbide;
barrier height;
Ni contacts;
contact resistivity.;
32.
Study of Forwad Voltage Drift in Diffused SiC PIN Diodes Doped by Al or B
机译:
Al或B掺杂扩散SiC引脚二极管的正向电压漂移的研究
作者:
S. Maximenko
;
S. Soloviev
;
A. Grekov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Stacking Faults;
PIN diodes;
Diffusion;
33.
Epitaxial Growth and Characterisation of Phosphorus Doped SiC Using TBP as Precursor
机译:
用TBP作为前体使用TBP磷掺杂SiC的外延生长和表征
作者:
Anne Henry
;
Erik Janzen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Phosphorus;
CVD;
Photoluminescence.;
34.
Characterization of SiC Passivation using MOS Capacitor Ultraviolet-Induced Hysteresis
机译:
使用MOS电容器紫外引起的滞后表征SIC钝化
作者:
Kevin Matocha
;
Jesse Tucker
;
Ed Kaminsky
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
passivation;
silicon dioxide;
silicon nitride;
fixed oxide charge;
interface-state density;
MOS capacitors;
MESFETs;
35.
A New Model for the D_I-luminescence in 6H-SiC
机译:
6H-SIC中D_I-MUMINESCENCE的新模型
作者:
E. Rauls
;
U. Gerstmann
;
M.V.B. Pinheiro
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
D1 Luminescence;
Antisites;
Intrinsic defects;
Theory;
36.
Temperature Stability of Breakdown on SiC Power Schottky Diodes with Different Barrier
机译:
不同屏障SiC Power Schottky二极管崩溃的温度稳定性
作者:
R. Pierobon
;
G. Meneghesso
;
E. Zanoni
;
F. Roccaforte
;
F. La Via
;
V. Ratneri
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Schottky Barrier;
Power Diodes;
Breakdown;
Nickel Silicide;
37.
Evaluation of p-type Doping for (1,1,-2,0) Epitaxial Layers Grown on alpha-cut (1,1,-2,0) 4H-SiC Substrates
机译:
在α-CUT(1,1,20)4H-SIC基板上生长的p型掺杂(1,1,2,0)的外延层的评价
作者:
C. Blanc
;
M. Zielinski
;
V. Souliere
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
(11-20) 4H-SiC;
epitaxial layer;
p-type doping;
photoluminescence;
Hall effect measurements.;
38.
Broadband RF SiC MESFET Power Amplifiers
机译:
宽带RF SIC MESFET功率放大器
作者:
R. Jonsson
;
S. Rudner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
broadband;
amplifier;
RF;
linearity.;
39.
Low Density of Interface States in n-type 4H-SiC MOS Capacitors Achieved by Nitrogen Implantation
机译:
通过氮气植入实现的N型4H-SIC MOS电容器中的界面状态低密度
作者:
Florin Ciobanu
;
Gerhard Pensl
;
Valeri Afanasev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC MOS capacitor;
low density of interface states;
nitrogen implantation.;
40.
J-V Characteristics of Al{sup}+ Ion implanted p{sup}+/n 4H-SiC Diodes Annealed in Silane Ambient at 1600°C
机译:
Al {sup} +离子植入的j-v特性P {sup} + / n 4h-siC二极管在硅烷环境下在1600℃下退火
作者:
Fabio Bergamini
;
Shailaja P. Rao
;
Stephen E. Saddow
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Ion Implantation;
Silane;
Annealing;
P{sup}+/n junction diode;
41.
Lifetime Control of the Minority Carrier in PiN Diodes by He~+ Ion Implantation
机译:
HE〜+离子植入少数群体少数载波的寿命控制
作者:
Y.Tanaka
;
K.Kojima
;
K.Takao
;
M.Okamoto
;
M.Kawasaki
;
A.Takatsuka
;
T.Yatsuo
;
K.Arai
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
lifetime control;
minority carrier;
PiN diode;
He~+ ion implantation;
recovery current;
42.
Study of Ion Induced Damage in 4H-SiC
机译:
4H-SIC中离子诱导损伤的研究
作者:
A. Lo Giudice
;
P.Olivero
;
F. Fizzotti
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H silicon carbide;
Ion beam induced charge collection;
radiation damage;
43.
Forward-bias Degradation in 4H-SiC p~+nn~+ Diodes: Influence of the Mesa Etching
机译:
4H-SiC P〜+ NN〜+二极管的正向偏置降解:MESA蚀刻的影响
作者:
N. Camara
;
A. Thuaire
;
E. Bano
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Diode;
Etching;
RIE;
Electroluminescence;
Stacking Faults.;
44.
Experimental Evidence for an Electrically Neutral (N-Si)-complex Formed During the Annealing Process of Si~+-/N~+-co-implanted 4H-SiC
机译:
在Si〜+ - / N〜+ -Co-incoranted 4H-SiC的退火过程中形成的电中性(N-Si)的实验证据
作者:
F. Schmid
;
T. Frank
;
G. Pensl
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Ion implantation;
nitrogen donors;
donor deactivation;
45.
4H-SiC Lateral RESURF MOSFETs on Carbon-face Substrates
机译:
碳面基板上的4H-SIC横向RESURF MOSFET
作者:
Mitsuo Okamoto
;
Seiji Suzuki
;
Makoto Kato
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-Silicon Carbide (SiC);
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor (MOSFET);
Reduced-Surface-Field (RESURF);
(000-1) Carbon face (C-Face);
46.
RBS-Channeling and EPR Studies of Damage in 2 MeV Al~(2+)-implanted 6H-SiC Substrates
机译:
rbs窜流和epr在2 mev al〜(2 +) - 植入的6h-siC基板中的损伤研究
作者:
Y. Morilla
;
J. Garcia Lopez
;
G. Battistig
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Ion Implantation;
Radiation Damage;
Backscattering Spectrometry;
47.
Characterization of 4H-SiC Epitaxial Layers by Microwave Photoconductivity Decay
机译:
微波光电电导光衰减表征4H-SIC外延层
作者:
R. J. Kumar
;
P. A. Losee
;
C. Li
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Carrier Lifetime;
Non-contacting Characterization;
Epitaxial Growth;
48.
Hydrogen-saturated SiC-surfaces: Model Systems for Studies of Passivation, Reconstruction, and Interface Formation
机译:
氢饱和SiC-表面:用于研究钝化,重建和界面形成的模型系统
作者:
Th. Seyller
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Hydrogen;
reconstruction;
surface;
interface;
photoelectron spectroscopy;
synchrotron radiation;
low-energy electron diffraction;
infrared absorption.;
49.
4H-SiC MOS Structures Fabricated from RTCVD Si Layers Oxidized in Diluted N_2O
机译:
由RTCVD Si层制造的4H-SiC MOS结构在稀释的N_2O中氧化
作者:
A. Perez-Tomas
;
D. Tournier
;
P. Godignon
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
N_2O nitridation;
RTCVD;
deposited Si;
MOS capacitors.;
50.
BV_(CEO) versus BV_(CBO) for 4H and 6H Polytype SiC Bipolar Junction Transistors
机译:
BV_(CEO)与BV_(CBO)为4H和6H PolyType SiC双极连接晶体管
作者:
S. Balachandran
;
T.P. Chow
;
A. Agarwal
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
Poly-type;
ionization integral;
impact ionization coefficient;
Bipolar Junction Transistor;
breakdown;
51.
Aluminium Implantation Induced Linear Surface Faults in 4H-SiC
机译:
铝植入诱导4H-SIC的线性表面故障
作者:
N.G.Wright
;
K.V.Vassilevski
;
I.Nikitinal
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Implantation;
Aluminium;
surface defects;
52.
Nonequilibrium Carrier Diffusion and Recombination in Heavily-doped and Semi-insulation Bulk HTCVD Grown 4H-SiC Crystals
机译:
非掺杂和半绝缘散装HTCVD种植4H-SIC晶体中的非挤出载流子扩散和重组
作者:
L. Storasta
;
R. Aleksiejunas
;
M. Sudzius
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Four-wave mixing;
4H-SiC;
carrier transport.;
53.
Development of Novel Electron Bombardment Anneal System (EBAS) for SiC Post Ion Implantation Anneal
机译:
新型电子轰击退火系统(EBAS)的开发SIC后离子植入退火
作者:
Masami Shibagaki
;
Yasumi Kurematsu
;
Fumio Watanabe
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Electron Bombardment Anneal System (EBAS);
SiC;
Post Ion Implantation Anneal;
Vacuum;
Rapid Thermal Process (RTP);
Surface Morphology;
54.
2-inch 4H-SiC Homoepitaxial Layer Grown on On-axis C-face Substrate by CVD Method
机译:
通过CVD方法在轴上C面基板上生长2英寸4H-SiC同性恋层
作者:
K. Kojima
;
H. Okumura
;
S. Kuroda
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
on-axis;
carbon face;
homoepitaxiy;
morphology;
micropipe;
dislocation.;
55.
Analysis of SiC Islands Formation During First Steps of Si Carbonization Process
机译:
Si碳化过程第一步中SiC岛形成的分析
作者:
D. Mendez
;
A. Aouni
;
D. Araujo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Si carbonisation;
Strain;
TEM;
ATR;
56.
Realisation of Large Area 3C-SiC MOSFETs
机译:
大面积3C-SIC MOSFET的实现
作者:
Adolf Schoner
;
Mietek Bakowski
;
Per Ericsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC;
lateral MOSFET;
channel mobility;
57.
New Achievements on CVD Based Methods for SiC Epitaxial Growth
机译:
基于CVD基于CVD的SIC外延生长的方法
作者:
D. Crippa
;
G.L Valente
;
A. Ruggiero
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
epitaxial growth;
HCl;
growth rate;
reactor.;
58.
Characteristics of Trench-Refilled 4H-SiC P-N Junction Diodes Fabricated by Selective Epitaxial Growth
机译:
通过选择性外延生长制造的沟簧4h-SiC P-N结二极管的特性
作者:
C. Li
;
P. Losee
;
J. Seiler
;
I. Bhat
;
T.P. Chow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
selective epitaxial growth;
junction diodes;
chemical vapor deposition;
59.
Effects of N{sub}2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability
机译:
n {亚} 2o退火对4H-SiC MOSFET和栅极氧化物可靠性的频道迁移的影响
作者:
Keiko Fujihira
;
Yoichiro Tarui
;
Ken-ichi Ohtsuka
;
Masayuki Imaizumi
;
Tetsuya Takami
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MOS;
Nitridation;
Channel Mobility;
Reliability;
TDDB;
60.
Is the Al Solubility Limit in SiC Temperature Dependent or not?
机译:
是SiC温度依赖的Al溶解度限制吗?
作者:
C. Jacquier
;
G. Ferro
;
M. Zielinski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Al doping;
Solubility;
Vapour-Liquid-Solid;
Epitaxy.;
61.
CVD Growth and Characterization of 4H-SiC Epitaxial Film on (1120) As-cut Substrates
机译:
(1120)截止基板上的4H-SIC外延膜的CVD生长和表征
作者:
Zehong Zhang
;
Ying Gao
;
Arul C. Arjunan
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Chemical Vapor Deposition;
SiC;
(1120);
KOH Etching;
AFM;
EBIC;
62.
Pressure Effect on the Elastic Properties of SiC Polytypes
机译:
对SiC Polytype的弹性性能的压力影响
作者:
S. Yu. Davydov
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
hydrostatic pressure;
sound velocity;
force constants;
elastic constants;
Gruneisen parameters;
polytypes;
silicon carbide;
semi-empirical model.;
63.
Microscopic Spatial Distribution of Bound Excitons in High-quality ZnO
机译:
高质量ZnO中染色激子的微观空间分布
作者:
F. Bertram
;
D. Forster
;
J. Christen
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
ZnO;
microstructure;
growth domains.;
64.
Suppression Mechanism of Double Positioning Growth in 3C-SiC(111) Crystal by Using an Off-axis Si(110) Substrate
机译:
使用脱轴Si(110)衬底,抑制3C-SiC(111)晶体中的双定位生长的机理
作者:
M. Nakamura
;
T. Isshiki
;
T. Nishiguchi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC;
hetero-epitaxial CVD;
double positioning growth;
HRTEM;
65.
Comparative Study of 4H-SiC Irradiated with Neutrons and Heavy Ions
机译:
4H-SIC照射中子和重离子的比较研究
作者:
E. Kalinina
;
G. Kholuyanov
;
G. Onushkin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
irradiation;
neutrons;
bismuth;
krypton;
luminescence;
defects;
deep level.;
66.
Structural Electronic Properties of Si_(1-x)C_xO_2
机译:
Si_(1-x)C_XO_2的结构电子特性
作者:
J. F. Justo
;
C. R. S. da Silva
;
I. Pereyra
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
oxidation;
interfaces;
ab initio methods;
67.
Homoepitaxial Growth of 4H-SiC Using CH_3Cl Carbon Precursor
机译:
使用CH_3Cl碳前体的4H-SiC的同性端生长
作者:
Y. Koshka
;
Huang-De Lin
;
G. Melnychuk
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
epitaxial growth;
CVD;
Hot-wall;
chloromethane;
halogenated precursors;
photoluminescence.;
68.
High Al-Doping of SiC Using a Modified PVT (M-PVT) Growth Set-Up
机译:
使用改性的PVT(M-PVT)生长设置,SiC的高型掺杂
作者:
Ralf Muller
;
Ulrike Kunecke
;
Roland Weingartner
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Al-Doping;
p-Type;
4H-SiC;
6H-SiC;
SiC Bulk Growth;
PVT Method;
Hall Effect;
69.
The Search for Near Interface Oxide Traps - First-principles Calculations on Intrinsic SiO_2 Defects
机译:
搜索近邻接氧化物疏水阀 - 内在SIO_2缺陷的第一原理计算
作者:
J.M. Knaup
;
P. Deak
;
A. Gali
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
near interface traps;
oxide;
SiO_2 intrinsic defects;
70.
High Growth Rate (up to 20 mum/h) SiC Epitaxy in a Horizontal Hot-wall Reactor
机译:
水平热壁反应器中的高生长速率(最多20毫米/小时)SIC外延
作者:
Jie Zhang
;
Janice Mazzola
;
Carl Hoff
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
High growth rate;
Thick epitaxy;
Horizontal hot-wall;
71.
Crystalline Quality Evaluation of 6H-SiC Bulk Crystals Grown from Si-Ti-C Ternary Solution
机译:
Si-Ti-C三元溶液生长的6H-SiC散装晶体的晶体质量评价
作者:
K.Kusunoki
;
K.Kamei
;
Y.Ueda
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Solution growth;
6H-SiC;
Micropipe free;
molten KOH etching;
72.
Photoluminescence Study of In-situ Rare Earth Doped PVT-Grown SiC Single Crystals
机译:
原位稀土掺杂PVT生长的SiC单晶的光致发光研究
作者:
Holger Schmitt
;
Ralf Muller
;
Manfred Maier
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Photoluminescence;
Erbium;
Rare Earth Doping;
SiC Bulk Growth;
PVT Method;
73.
SiC and III-nitride Growth in a Hot-wall CVD Reactor
机译:
SiC和III-氮化物在热壁CVD反应器中生长
作者:
E. Janzen
;
J.P. Bergman
;
O. Danielsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
Ill-nitride;
CVD;
epitaxial growth;
hot-wall;
thick layers;
on-axis;
growth simulation;
high-purity;
phosphorus;
74.
Comparison of High-Voltage 4H-SiC Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) and MOS-Gated Bipolar Transistor (MGT)
机译:
高压4H-SIC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和MOS门双极晶体管(MGT)的比较
作者:
Lin Zhu
;
Santosh Balachandran
;
T. Paul Chow
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H;
SiC;
IGBT;
Transistor;
MGT;
Simulation.;
75.
Challenge to 200 mm 3C-SiC Wafers using SOI
机译:
使用SOI挑战200 mm 3C-SiC晶片
作者:
Motoi Nakao
;
Hirofumi Iikawa
;
Katsutoshi Izumi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
200 mm wafer;
SOI;
SiC;
3C-SiC;
UHV-CVD;
Carbonization;
Seed layer;
76.
Large Area DPB Free (111) β-SiC Thick Layer Grown on (0001) α-SiC Nominal Surfaces by the CF-PVT Method
机译:
大面积DPB Free(111)β-SiC厚层在(0001)α-SiC标称表面上通过CF-PVT方法生长
作者:
D. Chaussende
;
L. Latu-Romain
;
L. Auvray
;
M.Ucar
;
M. Pons
;
R. Madar
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC;
PVT;
bulk;
crystal growth;
nucleation;
77.
Nickel-vacancy Complexes in Diamond: an Ab-initio Investigation
机译:
钻石中的镍空位复合物:AB-Initio调查
作者:
L. V. C. Assali
;
R. Larico
;
W. V. M. Machado
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
synthetic diamond;
impurities;
transition metals;
78.
Physical Simulation of Drain-Induced Barrier Lowering Effect in SiC MESFETs
机译:
SiC MESFET中排水诱导屏障降低效应的物理仿真
作者:
C.L. Zhu
;
Rusli
;
J. Almira
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
MESFET;
Drain-Induced Barrier Lowering Effect;
79.
Hole-like Defects in n-Channel 4H-SiC MESFETs Observed by Current Transient Spectroscopy
机译:
通过电流瞬态光谱观察到的N沟道4H-SiC MESFET中的孔状缺陷
作者:
J.M. Bluet
;
M. Gassoumi
;
I. Dermoul
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MESFETs;
Current-DLTS;
Traps.;
80.
Measurements of Charge Collection Efficiency of p~+/n Junction SiC Detectors
机译:
P + / n结SiC检测器的电荷收集效率的测量
作者:
Francesco Moscatelli
;
Andrea Scorzoni
;
Antonella Poggi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon carbide;
detectors;
p+/n junctions;
simulations.;
81.
ALD Deposited Al_2O_3 Films on 6H-SiC(0001) after Annealing in Hydrogen Atmosphere
机译:
在氢气氛中退火后,ALD沉积在6H-SiC(0001)上的膜
作者:
K.Y. Gao
;
Th. Seyller
;
K. Emtsev
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Atomic Layer Deposition;
Al_2O_3;
6H-SiC;
Hydrogen Annealing.;
82.
Microfabrication of Si Column Covered with SiC Film to Electro Emitter
机译:
Si色谱柱的微型制剂覆盖有SiC膜到电子发射器
作者:
T. Nakata
;
Y.Ohshiro
;
A.Shoji
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Si column;
VLS mechanism;
CVD;
carbon nano tube;
X-ray;
Current-Voltage characteristics;
83.
Influence of Substrate Roughness on the Formation of Defects in 3C-SiC Grown on Si(110) Substrate by Hetero-epitaxial CVD Method
机译:
杂交外延CVD法对Si(110)底物上的3C-SiC缺陷形成的影响
作者:
T. Isshiki
;
M. Nakamura
;
T. Nishiguchi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SC-SiC;
Hetero-epitaxial CVD growth;
substrate roughness;
HRTEM;
84.
High-Purity Versus High-Defect-Density Semiinsulating Substrates for SiC MESFET: Simulation of Device Characteristics
机译:
用于SiC MESFET的高纯度与高缺陷密度半裸基板:器件特性的仿真
作者:
Yaroslav Koshka
;
Igor Sankin
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
simulation;
MESFET;
deep levels;
trapping;
semi-insulating substrate;
surface states.;
85.
Regrowth of 3C-SiC on CMP Treated 3C-SiC/Si Epitaxial Layers
机译:
CMP处理3C-SiC / Si外延层的3C-SiC的再生
作者:
Hugues Mank
;
Catherine Moisson
;
Daniel Turover
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
3C-SiC;
epilayer;
(001 )Si;
Chemical-Mechanical Polishing (CMP);
regrowth;
86.
Modified Physical Vapor Transport Growth of SiC - Control of Gas Phase Composition for Improved Process Condtions
机译:
改进的气相组合物改进的物理蒸汽输送生长改进的过程结合
作者:
P.J. Wellmann
;
T.L. Straubinger
;
P. Desperrier
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
M-PVT growth;
numerical modeling;
doping.;
87.
Effects of Dislocation on Reliability of Thermal Oxides Grown on n-type 4H-SiC Wafer
机译:
脱位对N型4H-SiC晶片生长的热氧化物可靠性的影响
作者:
Junji Senzaki
;
Kazutoshi Kojima
;
Tomohisa Kato
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Thermal Oxide;
MOS Reliability;
Dielectric Breakdown;
KOH;
Dislocations;
88.
Formation of Ferromagnetic SiC:Mn Phases
机译:
形成铁磁性SIC:Mn阶段
作者:
M. Syvajarvi
;
L. Nasi
;
G.R. Yazdi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
ferromagnetism;
SiC;
growth.;
89.
Planar Schottky Microwave Diodes on 4H-SiC
机译:
平面肖特基微波二极管在4H-SIC
作者:
Mattias Sudow
;
Niklas Rorsman
;
Per-Ake.Nilsson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC Schottky diodes;
Schottky metals;
Planar design;
Mixers;
Limiters;
MMIC;
90.
LPE of Silicon Carbide Using Diluted Si-Ge Flux
机译:
使用稀释的Si-ge通量的碳化硅碳化硅LPE
作者:
O. Filip
;
B. Epelbaum
;
M. Bickermann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Liquid phase epitaxy;
Hollow defects;
Semiconducting silicon carbide;
91.
Characterization of SiC Thin Film Obtained by Magnetron Reactive Sputtering: IBA, IR and Raman Studies
机译:
通过磁控反应溅射获得的SiC薄膜的表征:IBA,IR和拉曼研究
作者:
H. Colder
;
M. Morales
;
R. Rizk
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
sputtering;
SiC;
Ion beam analysis;
Raman spectroscopy;
IR spectroscopy;
92.
Planar Defects, Voids and their Relationship in 3C-SiC Layers
机译:
3C-SIC层中的平面缺陷,空隙及其关系
作者:
D. Mendez
;
A. Aouni
;
D. Araujo
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Si carbonisation;
voids;
planar defects;
TEM.;
93.
Lifetime Control of theMinority Carrier in PiN Diodes by He~+ Ion Implantation
机译:
He〜+离子植入销二极管主题载波的寿命控制
作者:
Y.Tanaka
;
K.Kojima
;
K.Takao
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Lifetime control;
minority carrier;
PiN diode;
He~+ ion implantation;
recovery current;
94.
Development of a KOH Defect Etching Furnace with Absolute In-Situ Temperature Measurement Capability
机译:
具有绝对原位温度测量能力的KOH缺陷蚀刻炉的研制
作者:
S. A. Sakwe
;
Z. G. Herro
;
P. J. Wellmann
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Molten KOH;
etching;
etching furnace;
dislocations;
thermoelement;
temperature profile;
6H-SiC single crystals.;
95.
Aluminium Doping of 4H-SiC Grown with HexaMethylDiSilane
机译:
4h-sic铝掺杂和六甲基二硅烷种植
作者:
C. Sartel
;
V. Souliere
;
M. Zielinski
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
p doping;
aluminium;
4H-SiC;
hexamethyldisilane;
HMDS;
CVD.;
96.
Investigation of Basal Plane Dislocation in the 4H-SiC Epilayers Grown on {0001} Substrates
机译:
在{0001}基板上生长的4H-SiC脱垂性基底平面位错的研究
作者:
H. Tsuchida
;
T. Miyanagi
;
I. Kamata
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
epitaxial growth;
dislocations;
degradation;
C-face;
97.
Effects of N_2O Anneal on Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET and Gate Oxide Reliability
机译:
N_2O退火对4H-SiC MOSFET和栅极氧化物可靠性的频道迁移的影响
作者:
Keiko Fujihira
;
Yoichiro Tarui
;
Ken-ichi Ohtsuka
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
MOS;
Nitridation;
Channel Mobility;
Reliability;
TDDB;
98.
Optical Studies of Nonequilibrium Carrier Dynamics in Highly Excited 4H-SiC Epitaxial Layers
机译:
高兴奋的4H-SIC外延层中非QuiBiribrium载体动力学的光学研究
作者:
K. Neimontas
;
R. Aleksiejurtas
;
M. Sudzius
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
4H-SiC;
four-wave mixing;
carrier diffusion and recombination;
99.
n{sup}+/p Diodes Realized in SiC by Phosphorus Ion implantation: Electrical Characterization as a Function of Temperature
机译:
n {sup} + / p二极管通过磷离子注入在SiC中实现:作为温度函数的电学表征
作者:
M. Canino
;
A. Castaidini
;
A. Cavailini
;
F. Moscatelli
;
R. Nipoti
;
A. Poggi
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
SiC;
Ion implantation;
N{sup}+/p diode;
Electrical characterization;
Defects;
100.
Surface and Interface Studies of Si-rich 4H-SiC and SiO_2
机译:
Si-Rich 4H-SiC和SiO_2的表面和界面研究
作者:
C. Virojanadara
;
L.I. Johansson
会议名称:
《European Conference on Silicon Carbide and Related Materials》
|
2005年
关键词:
Silicon Carbide;
Oxidation;
Angle resolved photoemission.;
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