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IEEE Electron Device Letters

IEEE Electron Device Letters

SCIEI

中文名称：IEEE电子设备字母

ISSN：0741-3106
出版周期：Monthly

发文量：90

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1.A Tunable RF MEMS Inductor on Silicon Incorporating an Amorphous Silicon Bimorph in a Low-Temperature Process

机译：A Tunable RF MEMS Inductor on Silicon Incorporating an Amorphous Silicon Bimorph in a Low-Temperature Process
- 作者：Stella Chang;Siva Sivoththaman
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2006年第11期
- Inductors;
- Microelectromechanical devices;
- Microwave devices;
- Q factor;
- Silicon (Si);
- Tunable circuits and devices;
2.Simulation Study of Dominant Statistical Variability Sources in 32-nm High- /Metal Gate CMOS

机译：Simulation Study of Dominant Statistical Variability Sources in 32-nm High- /Metal Gate CMOS
- 作者：Xingsheng Wang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第5期
3.Capacitance Analysis of Highly Leaky $hbox{Al}_{2} hbox{O}_{3}$ MIM Capacitors Using Time Domain Reflectometry

机译：Capacitance Analysis of Highly Leaky $hbox{Al}_{2} hbox{O}_{3}$ MIM Capacitors Using Time Domain Reflectometry
- 作者：Kim Y.;Lee Y. G.;Kim M.Kang C. G.Jung U.Kim J. J.Song S. C.Blatchford J.Kirkpatrick B.Niimi H.Lim K. Y.Lee B. H.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第9期
- Capacitance;
- metal–insulator–metal (MIM) capacitor;
- time domain reflectometry (TDR);
- voltage coefficient;
4.Localized Damage in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Reverse-Bias Testing

机译：Localized Damage in AlGaN/GaN HEMTs Induced by Reverse-Bias Testing
- 作者：Zanoni E.;Danesin F.;Meneghini M.Cetronio A.Lanzieri C.Peroni M.Meneghesso G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第5期
5.Characterizing the Electrical Properties of a Novel Junctionless Poly-Si Ultrathin-Body Field-Effect Transistor Using a Trench Structure

机译：Characterizing the Electrical Properties of a Novel Junctionless Poly-Si Ultrathin-Body Field-Effect Transistor Using a Trench Structure
- 作者：Yeh Mu-Shih;Wu Yung-Chun;Wu Min-HsinChung Ming-HsienJhan Yi-RueiHung Min-Feng
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
6.Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost

机译：Double-Emitter Reduced-Surface-Field Horizontal Current Bipolar Transistor With 36 V Breakdown Integrated in BiCMOS at Zero Cost
- 作者：Koricic Marko;Zilak Josip;Suligoj Tomislav
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
7.Origin of Hopping Conduction in Sn-Doped Silicon Oxide RRAM With Supercritical $hbox{CO}_{2}$ Fluid Treatment

机译：Origin of Hopping Conduction in Sn-Doped Silicon Oxide RRAM With Supercritical $hbox{CO}_{2}$ Fluid Treatment
- 作者：Tsai T.-M.;Chang K.-C.;Chang T.-C.Chang G.-W.Syu Y.-E.Su Y.-T.Liu G.-R.Liao K.-H.Chen M.-C.Huang H.-C.Tai Y.-H.Gan D.-S.Ye C.Wang H.Sze S. M.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第12期
8.Corrections to amp;amp;#x201C;Demonstration of Addressable Organic Resistive Memory Utilizing a PC-Interface Memory Cell Testeramp;amp;#x201D;

机译：Corrections to amp;amp;#x201C;Demonstration of Addressable Organic Resistive Memory Utilizing a PC-Interface Memory Cell Testeramp;amp;#x201D;
- 作者：Cho B.;Song S.;Ji Y.Choi H.-G.Ko H. C.Lee J.-S.Jung G.-Y.Lee T.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第3期
9.In-Plane-Gate Transparent $hbox{SnO}_{2}$ Nanowire Transistors

机译：In-Plane-Gate Transparent $hbox{SnO}_{2}$ Nanowire Transistors
- 作者：Liu H.;Wan Q.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
10.In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications

机译：In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications
- 作者：Liao Y.-A.;Lin W.-H.;Chao Y.-K.Chang W.-H.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- Detectors;
- in-plane gate transistors (IPGTs);
11.Photocarrier Relaxation Behavior of a Single ZnO Nanowire UV Photodetector: Effect of Surface Band Bending

机译：Photocarrier Relaxation Behavior of a Single ZnO Nanowire UV Photodetector: Effect of Surface Band Bending
- 作者：Chen M.-W.;Retamal J. R. D.;Chen C.-Y.He J.-H.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
- Nanowire (NW);
- ZnO;
- photodetector;
- relaxation time;
- surface band bending (SBB);
12.Suppression of Current Leakage Along Mesa Surfaces in GaN-Based p-i-n Diodes

机译：Suppression of Current Leakage Along Mesa Surfaces in GaN-Based p-i-n Diodes
- 作者：Zheng Bo-Sheng;Chen Po-Yu;Yu Chia-JuiChang Yung-FuHo Chong-LongWu Meng-ChyiHsieh Kuang-Chien
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第9期
- Gallium nitride;
- passivation;
- PIN;
- power devices;
13.Fabrication of a Hybrid Carbon-Based Composite for Flexible Heating Element With a Zero Temperature Coefficient of Resistance

机译：Fabrication of a Hybrid Carbon-Based Composite for Flexible Heating Element With a Zero Temperature Coefficient of Resistance
- 作者：Chu Kunmo;Park Sung-Hoon
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第1期
- Carbon nanotube;
- carbon black;
- nano-composite;
- electric heating;
- zero temperature coefficient of resistance;
14.Carrier-Mobility Enhancement via Strain Engineering in Future Thin-Body MOSFETs

机译：Carrier-Mobility Enhancement via Strain Engineering in Future Thin-Body MOSFETs
- 作者：Xu N.;Ho B.;Andrieu F.Smith L.Nguyen B.-Y.Weber O.Poiroux T.Faynot O.Liu T.-J. K.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
- Carrier mobility;
- FinFET;
- fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI);
- high-k/metal gate;
- strain;
- ultra thin body and BOX;
15.Self-Powered Near-Infrared Photodetector Based on Asymmetrical Schottky Interdigital Contacts

机译：Self-Powered Near-Infrared Photodetector Based on Asymmetrical Schottky Interdigital Contacts
- 作者：Nusir Ahmad I.;Manasreh M. O.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第11期
- Photovoltaic;
- self-powered;
- photodetector;
- Schottky junction;
- near-infrared;
16.30 mu m- Pitch Oxide TFT-Based Gate Driver Design for Small-Size, High-Resolution, and Narrow-Bezel Displays

机译：30 mu m- Pitch Oxide TFT-Based Gate Driver Design for Small-Size, High-Resolution, and Narrow-Bezel Displays
- 作者：Geng Di;Chen Yuan Feng;Mativenga MalloryJang Jin
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第8期
- Beck-channel-etched a-IGZO TFT;
- high-speed;
- gate driver;
- high-resolution;
- narrow-bezel;
17.Changes to the Editorial Board

机译：Changes to the Editorial Board
- 作者：Chatterjee A.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2014年第7期
18.Stability and Low-Frequency Noise in InAs NW Parallel-Array Thin-Film Transistors

机译：Stability and Low-Frequency Noise in InAs NW Parallel-Array Thin-Film Transistors
- 作者：Wahl R.E.;Wang F.;Chung H.E.Kunnen G.R.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- InAs;
- low-frequency noise;
- nanowire (NW) parallel arrays;
- stability;
- thin-film transistors (TFTs);
19.Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge

机译：Transistor Laser With a Current Confinement Aperture in the Emitter Ridge
- 作者：Liang Song;Qiao Lijun;Han LiangshunXu JunjieZhu HongliangWang Wei
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第10期
- Current confinement aperture;
- long wavelength;
- nonradiative recombination centers;
- transistor laser;
20.3100V, asymmetrical, gate turn-off (GTO) thyristors in 4H-SiC

机译：3100V, asymmetrical, gate turn-off (GTO) thyristors in 4H-SiC
- 作者：Sei-Hyung Ryu;Anant K. Agarwal;Ranbir SinghJohn W. Palmour
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第3期
- 4H-SiC;
- Gate turn-off (GTO);
- High power;
- High voltage;
- Thyristor;
21.Short-Channel-Effect Modeling of DG-FETs Using Voltage-Doping Transformation Featuring FD/PD Modes

机译：Short-Channel-Effect Modeling of DG-FETs Using Voltage-Doping Transformation Featuring FD/PD Modes
- 作者：Yuan Z.;Yu Z.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
22.Surface Potential Calculation for Dynamic-Depletion Polysilicon TFTs With Both Gaussian and Exponential DOS Distribution

机译：Surface Potential Calculation for Dynamic-Depletion Polysilicon TFTs With Both Gaussian and Exponential DOS Distribution
- 作者：Huang J.;Deng W.;Ma X.Ning T.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- Dynamic depletion;
- polysilicon thin-film transistor;
- surface potential;
23.Stochastic Matching Properties of FinFETs

机译：Stochastic Matching Properties of FinFETs
- 作者：C. Gustin;A. Mercha;J. LooV. SubramanianB. ParvaisM. DehanS. Decoutere
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2006年第10期
- Device mismatch;
- Double gate;
- FinFET;
- Intrinsic parameter fluctuation;
- Series resistance;
24.Novel Approach Toward Plasma Enhancement in Trench-Insulated Gate Bipolar Transistors

机译：Novel Approach Toward Plasma Enhancement in Trench-Insulated Gate Bipolar Transistors
- 作者：Antoniou M.;Lophitis N.;Bauer F.Nistor I.Bellini M.Rahimo M.Amaratunga G.Udrea F.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第8期
- Insulated gate bipolar transistor (IGBT);
- superjunction power MOSFET;
- technology trade-off;
25.Enhancing Hysteresis in Graphene Devices Using Dielectric Screening

机译：Enhancing Hysteresis in Graphene Devices Using Dielectric Screening
- 作者：Brenner K.;Beck T. J.;Meindl J. D.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第8期
- Charged-impurity scattering;
- dielectric screening;
- graphene;
- graphene devices;
- hysteresis;
- memory;
26.High Sensitivity of Dry-Type Nanowire Sensors With High- $k$ Dielectrics for pH Detection via Capillary Atomic Force Microscope Tip Coating Technique

机译：High Sensitivity of Dry-Type Nanowire Sensors With High- $k$ Dielectrics for pH Detection via Capillary Atomic Force Microscope Tip Coating Technique
- 作者：Cheng H.-C.;Wu C.-Y.;Hsu P.-Y.Wang C.-L.Liao T.-C.Wu Y.-L.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第9期
- High-$k$ dielectrics;
- nanowire;
- pH sensor;
27.A Functional 41-Stage Ring Oscillator Using Scaled FinFET Devices With 25-nm Gate Lengths and 10-nm Fin Widths Applicable for the 45-nm CMOS Node

机译：A Functional 41-Stage Ring Oscillator Using Scaled FinFET Devices With 25-nm Gate Lengths and 10-nm Fin Widths Applicable for the 45-nm CMOS Node
- 作者：N. Collaert;A. Dixit;M. GoodwinK. G. AnilR. RooyackersB. DegrooteL. H. A. LeunissenA. VelosoR. JonckheereK. De MeyerM. JurczakS. Biesemans
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2004年第8期
- FinFET;
- Ring oscillator;
28.Performance Mapping of Multijunction Solar Cells Based on Electroluminescence

机译：Performance Mapping of Multijunction Solar Cells Based on Electroluminescence
- 作者：Zimmermann C.G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第8期
29.Cone-Type SONOS Flash Memory

机译：Cone-Type SONOS Flash Memory
- 作者：Lee G. S.;Lee J. H.;Park I. H.Cho S.Yun J.-G.Li D. H.Kim D. H.Kim Y.Park S. H.Shim W. B.Kim W. D.Lee J. D.Shin H.Park B.-G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第12期
- Cone type;
- SONOS Flash memory;
- erase saturation;
- field concentration;
- retention;
30.Photovoltaic Characterizations of Crisscrossed-Silicon-Nanorod Solar Cells

机译：Photovoltaic Characterizations of Crisscrossed-Silicon-Nanorod Solar Cells
- 作者：Yang J.-Y.;Liu C.-W.;Cheng C.-L.Jeng J.-T.Dai B.-T.Lin J.-S.Chen K.-C.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第12期
- External quantum efficiency (EQE);
- photovoltaic;
- silicon nanorods;
- solar cells;
31.Addendum to “Modeling MOSFET Drain Current Non-Gaussian Distribution With Power-Normal Probability Density Function”

机译：Addendum to “Modeling MOSFET Drain Current Non-Gaussian Distribution With Power-Normal Probability Density Function”
- 作者：Yu B.;Yuan Y.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2014年第8期
- Approximation methods;
- Data mining;
- Gaussian distribution;
- MOSFET;
- Probability density function;
- Silicon;
- Taylor series;
32.Pocket Implant-Dependent Channel Mobility in Advanced p-MOSFETs With Strain Engineering

机译：Pocket Implant-Dependent Channel Mobility in Advanced p-MOSFETs With Strain Engineering
- 作者：Choi Y. S.;Ekbote S.;Baldwin G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2011年第11期
- Channel mobility;
- piezoresistance;
- pocket implant and strained Si;
33.Zinc Tin Oxide Thin-Film-Transistor Enhancement/Depletion Inverter

机译：Zinc Tin Oxide Thin-Film-Transistor Enhancement/Depletion Inverter
- 作者：Heineck D.P.;McFarlane B.R.;Wager J.F.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第5期
34.Physics-based explanation of kink dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs

机译：Physics-based explanation of kink dynamics in AlGaAs/GaAs HFETs
- 作者：A. Mazzanti;G. Verzellesi;Claudio CanaliG. MeneghessoEnrico Zanoni
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第7期
35.A novel self-aligned double-gate TFT technology

机译：A novel self-aligned double-gate TFT technology
- 作者：Shengdong Zhang;Ruqi Han;Hohnny K. O. SinMansun Chan
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第11期
- Double-gate;
- Self-aligned;
- Thin-film transistor;
36.Analysis and Simulation of the Postbreakdown $I-V$ Characteristics of n-MOS Transistors in the Linear Response Regime

机译：Analysis and Simulation of the Postbreakdown $I-V$ Characteristics of n-MOS Transistors in the Linear Response Regime
- 作者：Miranda E.A.;Kawanago T.;Kakushima K.Sune J.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- MOS;
- Metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET);
- oxide breakdown;
- reliability;
37.NLDMOS ESD Scaling Under Human Metal Model for 40-V Mixed-Signal Applications

机译：NLDMOS ESD Scaling Under Human Metal Model for 40-V Mixed-Signal Applications
- 作者：Malobabic S.;Salcedo J. A.;Hajjar J.-J.Liou J. J.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
- Electrostatic discharge (ESD);
- human metal model (HMM);
- laterally diffused MOS (LDMOS);
38.Effects of wet N{sub}2O oxidation on interface properties of 6H-SiC MOS capacitors

机译：Effects of wet N{sub}2O oxidation on interface properties of 6H-SiC MOS capacitors
- 作者：P. T. Lai;J. P. Xu;C. L. Chan
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第7期
- Interface-state density;
- MOS capacitors;
- Silicon carbide;
- Wet N{sub}O Oxidation;
39.Temperature dependence of hot-carrier-induced degradation in 0.1μm SOI nMOSFETs with thin oxide

机译：Temperature dependence of hot-carrier-induced degradation in 0.1μm SOI nMOSFETs with thin oxide
- 作者：Wen-Kuan Yeh;Wen-Han Wang;Yean-Kuen FangFu-Liang Yang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第7期
40.Three-Transistor AMOLED Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation Function Using Dual-Gate IGZO TFT

机译：Three-Transistor AMOLED Pixel Circuit With Threshold Voltage Compensation Function Using Dual-Gate IGZO TFT
- 作者：Tai Y.-H.;Chou L.-S.;Chiu H.-L.Chen B.-C.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
41.Film-Profile Engineered InGaZnO Thin-Film Transistors With Self-Aligned Bottom Gates

机译：Film-Profile Engineered InGaZnO Thin-Film Transistors With Self-Aligned Bottom Gates
- 作者：Shie Bo-Shiuan;Lin Horng-Chih;Huang Tiao-Yuan
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第8期
- Film profile engineering;
- self-aligned;
- metal oxide;
- InGaZnO;
- thin-film transistor;
42.A Novel Gate-Assisted Reverse-Read Scheme to Control Bit Coupling and Read Disturb for Multibit/Cell Operation in Deeply Scaled Split-Gate SONOS Flash EEPROM Cells

机译：A Novel Gate-Assisted Reverse-Read Scheme to Control Bit Coupling and Read Disturb for Multibit/Cell Operation in Deeply Scaled Split-Gate SONOS Flash EEPROM Cells
- 作者：Datta A.;Asnani R.;Mahapatra S.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第8期
43.Impact of Varying Indium(x) Concentration and Quantum Confinement on PBTI Reliability in InxGa1-xAs FinFET

机译：Impact of Varying Indium(x) Concentration and Quantum Confinement on PBTI Reliability in InxGa1-xAs FinFET
- 作者：Agrawal Nidhi;Thathachary Arun V.;Mahapatra SouvikDatta Suman
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
- III-V FinFET;
- positive bias temperature instability (PBTI);
- quantum well;
- time to failure (TTF);
44.Physically Based Evaluation of Electron Mobility in Ultrathin-Body Double-Gate Junctionless Transistors

机译：Physically Based Evaluation of Electron Mobility in Ultrathin-Body Double-Gate Junctionless Transistors
- 作者：Wei K.;Zeng L.;Wang J.Du G.Liu X.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2014年第8期
- Doping;
- Impurities;
- Rough surfaces;
- Scattering;
- Silicon;
- Surface roughness;
- Transistors;
- Ionized impurity scattering;
- junctionless (JL);
- mobility;
- screening;
- surface roughness;
- ultrathin;
- ultrathin.;
45.Study of Local Power Dissipation in Ultrascaled Silicon Nanowire FETs

机译：Study of Local Power Dissipation in Ultrascaled Silicon Nanowire FETs
- 作者：Martinez Antonio;Barker John R.;Aldegunde ManuelValin Raul
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第1期
- Nanowire transistors;
- NEGF simulations;
- power dissipation;
- energy transport;
46.Reduction of Boron Diffusion in Silicon-Germanium by Fluorine Implantation

机译：Reduction of Boron Diffusion in Silicon-Germanium by Fluorine Implantation
- 作者：H. A. W. El Mubarek;P. Ashburn
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2004年第8期
- Boron diffusion;
- Fluorine;
- SiGe heterjunction bipolar transistors (HBTs);
- Transient enhanced diffusion (TED);
47.An Analytical Model to Project MOS Transistor Lifetime Improvement by Deuterium Passivation of Interface Traps

机译：An Analytical Model to Project MOS Transistor Lifetime Improvement by Deuterium Passivation of Interface Traps
- 作者：Kangguo Cheng;Joseph W. Lyding
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2003年第10期
- Deuterium passivation;
- Hot-carrier reliability;
- Interface traps;
- Lifetime;
- MOS transistors;
48.Dynamic Analysis of a Si/SiGe-Based Impact Ionization Avalanche Transit Time Photodiode With an Ultrahigh Gain-Bandwidth Product

机译：Dynamic Analysis of a Si/SiGe-Based Impact Ionization Avalanche Transit Time Photodiode With an Ultrahigh Gain-Bandwidth Product
- 作者：Shi J.-W.;Kuo F. M.;Hong F.-C.Wu Y.-S.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
- Optical receivers;
- photodiode (PD);
- silicon–germanium (SiGe);
49.InAlN/GaN MOSHEMT With Self-Aligned Thermally Generated Oxide Recess

机译：InAlN/GaN MOSHEMT With Self-Aligned Thermally Generated Oxide Recess
- 作者：Alomari M.;Medjdoub F.;Carlin J.-F.Feltin E.Grandjean N.Chuvilin A.Kaiser U.Gaquiere C.Kohn E.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
- InAlN/GaN;
- MOSHEMT;
- thermal oxidation;
50.Two-Dimensional Flex Sensor Exploiting Stacked Ultrathin Chips

机译：Two-Dimensional Flex Sensor Exploiting Stacked Ultrathin Chips
- 作者：Endler S.;Ferwana S.;Rempp H.Harendt C.Burghartz J. N.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
- Flexible electronics;
- piezoresistive devices;
- stress measurement;
- ultrathin chips;
51.Extraction of the Parasitic Bipolar Gain Using the Back-Gate in Ultrathin FD SOI MOSFETs

机译：Extraction of the Parasitic Bipolar Gain Using the Back-Gate in Ultrathin FD SOI MOSFETs
- 作者：Liu Fanyu;Ionica Irina;Bawedin MarylineCristoloveanu Sorin
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
- Band-to-band tunneling;
- back gate;
- parasitic bipolar effect;
- ultra-thin FD SOI;
52.HgTe Nanocrystal-Based Thin-Film Transistors Fabricated on Glass Substrates

机译：HgTe Nanocrystal-Based Thin-Film Transistors Fabricated on Glass Substrates
- 作者：Hyunsuk Kim;Dong-Won Kim;Kyoungah ChoSangsig Kim
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2007年第1期
- Al{sub}2O{sub}3;
- HgTe nanocrystal;
- Solution process;
- Thin-film transistor (TFT);
53.MoS2 Field-Effect Transistors With Lead Zirconate-Titanate Ferroelectric Gating

机译：MoS2 Field-Effect Transistors With Lead Zirconate-Titanate Ferroelectric Gating
- 作者：Zhang Xiao-Wen;Xie Dan;Xu Jian-LongSun Yi-LinLi XianZhang ChengDai Rui-XuanZhao Yuan-FanLi Xin-MingLi XiaoZhu Hong-Wei
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第8期
- MoS2;
- field effect transistor;
- PZT;
- scaling down;
54.Characterizations of GaN-Based LEDs Encompassed With Self-Aligned Nanorod Arrays of Various Distribution Densities

机译：Characterizations of GaN-Based LEDs Encompassed With Self-Aligned Nanorod Arrays of Various Distribution Densities
- 作者：Cheng Y.-W.;Pan K.-M.;Chen L.-Y.Ke M.-Y.Chen C.-P.Chen C.-Y.Yang C. C.Huang J. J.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第10期
- Directionality;
- light emitting diodes (LEDs);
- nanorod;
55.Leakage Current–Forming Voltage Relation and Oxygen Gettering in ${rm HfO}_{rm x}$ RRAM Devices

机译：Leakage Current–Forming Voltage Relation and Oxygen Gettering in ${rm HfO}_{rm x}$ RRAM Devices
- 作者：Young-Fisher K.G.;Bersuker G.;Butcher B.Padovani A.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- ${rm HfO}_{rm x}$"tex Notation=";
- RRAM;
- forming;
- nonvolatile memory;
56.High-Q MOS Varactors for Millimeter-Wave Applications in CMOS 28-nm FDSOI

机译：High-Q MOS Varactors for Millimeter-Wave Applications in CMOS 28-nm FDSOI
- 作者：Quemerais Thomas;Gloria Daniel;Golanski DominiqueBouvot Simon
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
- Millimeter-wave frequencies;
- high Q-factor;
- accumulation varactors;
- CMOS 28 nm FDSOI;
57.Fully Gravure-Printed Flexible Full Adder Using SWNT-Based TFTs

机译：Fully Gravure-Printed Flexible Full Adder Using SWNT-Based TFTs
- 作者：Noh J.;Jung K.;Kim J.Kim S.Cho S.Cho G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
- Carbon nanotube thin-film transistor (TFT);
- flexible electronics;
- full adder;
- gravure;
- printed logic gates;
- process variation;
58.A new insight into the degradation behavior of the LDD N-MOSFET during dynamic hot-carrier stressing

机译：A new insight into the degradation behavior of the LDD N-MOSFET during dynamic hot-carrier stressing
- 作者：D. S. Ang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第11期
- AC stress;
- Dynamic stress;
- Hot carriers;
- LDD MOSFET;
59.A Physical Model for Work-Function Variation in Ultra-Short Channel Metal-Gate MOSFETs

机译：A Physical Model for Work-Function Variation in Ultra-Short Channel Metal-Gate MOSFETs
- 作者：Rasouli S. H.;Xu C.;Singh N.Banerjee K.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2011年第11期
- Grain orientations (GOs);
- metal gate;
- quasi-ballistic transport;
- work-function variation (WFV);
60.Assessment of NBTI in Presence of Self-Heating in High- $k$ SOI FinFETs

机译：Assessment of NBTI in Presence of Self-Heating in High- $k$ SOI FinFETs
- 作者：Monga U.;Khandelwal S.;Aghassi J.Sedlmeir J.Fjeldly T. A.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
- FinFET;
- negative bias temperature instability (NBTI);
- reliability;
- self-heating (SH);
- silicon-on-insulator (SOI);
- thermal resistance;
61.Leakage mechanism in Cu damascene structure with methylsilane-Doped low-K CVD oxide as intermetal dielectric

机译：Leakage mechanism in Cu damascene structure with methylsilane-Doped low-K CVD oxide as intermetal dielectric
- 作者：Zhen-Cheng Wu;Chiu-Chih Chiang;Wei-Hao WuMao-Chieh ChenShwang-Ming JengLain-Jong LiSyun-Ming JangChen-Hua YuMong-Song Liang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第6期
- Copper;
- CVD oxides;
- Damascene structures;
- structures;
- Frenkel-Poole (F-P) emission;
- Low-K dielectrics;
- Methylsilane;
- Organosilicate glass (OSG);
62.Fabricatio of gate-all-around transistors using metal induced lateral crystallization

机译：Fabricatio of gate-all-around transistors using metal induced lateral crystallization
- 作者：Victor W. C. Chan;Philip C. H. Chan
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第2期
- Double gate transistors;
- Gate-all-around transistors;
- Metal induced lareral crystallization;
- SOI;
- Thin-film transistors;
63.Reduction in leakage current of low-temperature thin-gate oxide by repeated spike oxidation technique

机译：Reduction in leakage current of low-temperature thin-gate oxide by repeated spike oxidation technique
- 作者：Chao-Chi Hong;Chang-Yun Chang;Chaung-Yuan LeeJenn-Gwo Hwu
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第1期
- Leakage current density;
- Low temperature oxidation;
- MOS device;
- Repeated spike oxidation;
64.10-kV, 123-mΩ·cm{sup}2 4H-SiC Power DMOSFETs

机译：10-kV, 123-mΩ·cm{sup}2 4H-SiC Power DMOSFETs
- 作者：Sei-Hyung Ryu;Sumi Krishnaswami;Michael OLoughlinJames RichmondAnant AgarwalJohn PalmourAllen R. Hefner
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2004年第8期
- 4H-SiC;
- Power MOSFET;
- High voltage;
- High-speed switching;
65.Effective Modulation of Ni Silicide Schottky Barrier Height Using Chlorine Ion Implantation and Segregation

机译：Effective Modulation of Ni Silicide Schottky Barrier Height Using Chlorine Ion Implantation and Segregation
- 作者：Loh W.-Y.;Etienne H.;Coss B.Ok I.Turnbaugh D.Spiegel Y.Torregrosa F.Banti J.Roux L.Hung P.-Y.Oh J.Sassman B.Radar K.Majhi P.Tseng H.-H.Jammy R.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
- Chlorine;
- contact resistance;
- effective Schottky barrier (SB);
- interface traps;
66.High-Performance Solution-Processed Low-Voltage Polymer Thin-Film Transistors With Low-k/High-k Bilayer Gate Dielectric

机译：High-Performance Solution-Processed Low-Voltage Polymer Thin-Film Transistors With Low-k/High-k Bilayer Gate Dielectric
- 作者：Tang Wei;Li Jinhua;Zhao JiaqingZhang WeiminYan FengGuo Xiaojun
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第9期
- Solution processed;
- low voltage;
- organic thin-film transistors (OTFTs);
- bilayer dielectric;
67.Pd Schottky Contacts on Sol–Gel Derived ZnO Thin Films With Nearly Ideal Richardson Constant

机译：Pd Schottky Contacts on Sol–Gel Derived ZnO Thin Films With Nearly Ideal Richardson Constant
- 作者：Yadav A.B.;Pandey A.;Jit S.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2014年第7期
- ZnO thin film;
- barrier inhomogeniety;
- barrier inhomogeniety.;
- sol-gel;
- thermal evaporation;
68.Self-Packaging Fabrication of Silicon–Glass-Based Piezoresistive Pressure Sensor

机译：Self-Packaging Fabrication of Silicon–Glass-Based Piezoresistive Pressure Sensor
- 作者：San H.;Li Y.;Song Z.Yu Y.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- Harsh environment applications;
- Si–glass bonding;
- pressure sensor;
- self-packaging;
69.Nonquasistatic transient model of fully-depleted SOI MOSFET and its application to the analysis of charge sharing in an analog switch

机译：Nonquasistatic transient model of fully-depleted SOI MOSFET and its application to the analysis of charge sharing in an analog switch
- 作者：Emmanuel Dubois;Etienne Robilliart
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第1期
- Charge injection;
- Modeling;
- Sample-and-hold;
- Silicon-on-insulator technology;
- Transient propagation;
70.Negative Gate Transconductance in Gate/Source Overlapped Heterojunction Tunnel FET and Application to Single Transistor Phase Encoder

机译：Negative Gate Transconductance in Gate/Source Overlapped Heterojunction Tunnel FET and Application to Single Transistor Phase Encoder
- 作者：Trivedi Amit Ranjan;Ahmed Khondker Zakir;Mukhopadhyay Saibal
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
- Tunnel FET;
- band-to-band-tunneling;
- negative gate transconductance;
- phase modulator;
71.Analysis of Threshold Voltage Variability Due to Random Dopant Fluctuations in Junctionless FETs

机译：Analysis of Threshold Voltage Variability Due to Random Dopant Fluctuations in Junctionless FETs
- 作者：Gnudi A.;Reggiani S.;Gnani E.Baccarani G.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
72.Analytical Modeling of the Spectral Response of Heterojunction Phototransistors

机译：Analytical Modeling of the Spectral Response of Heterojunction Phototransistors
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
- Heterojunction;
- modeling;
- phototransistors;
- spectral response (SR);
73.700-V 1.0-tex$hboxmOmega cdot hboxcm^2$/texBuried Gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)

机译：700-V 1.0-tex$hboxmOmega cdot hboxcm^2$/texBuried Gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)
- 作者：Tanaka Y.;Okamoto M.;Takatsuka A.Arai K.Yatsuo T.Yano K.Kasuga M.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2006年第11期
- III-V semiconductors;
- epitaxial growth;
- gallium compounds;
- semiconductor device breakdown;
- silicon compounds;
- static induction transistors;
- wide band gap semiconductors;
- -12 V;
- 2.5 V;
- 700 V;
- GaN;
- HEMT;
- SiC;
- buried gate structures;
- on-resistance;
- power;
74.A high breakdown-voltage SiCN/Si heterojunction diode for high-temperature applications

机译：A high breakdown-voltage SiCN/Si heterojunction diode for high-temperature applications
- 作者：Shyh-Fann Ting;Yean-Kuen Fang;Wen-Tse HsiehYong-Shiuan TsairCheng-Nan ChangChun-Sheng LinMing-Chun HsiehHsin-Che ChiangJyh-Jier Ho
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第3期
- Heterojunction;
- Heterojunction diode (HJD);
- High-temperature;
- Rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD);
- SiCN;
75.Performance Improvement of Organic Thin-Film Transistors by Electrode/Pentacene Interface Treatment Using a Hydrogen Plasma

机译：Performance Improvement of Organic Thin-Film Transistors by Electrode/Pentacene Interface Treatment Using a Hydrogen Plasma
- 作者：Joo-Won Lee;Jea-Won Chang;Dong-Joo KimYoung-Soo YoonJai-Kyeong Kim
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2007年第5期
- H$_{2}$ plasma;
- interface;
- mobility;
- organic thin film transistor (OTFT);
- secondary ion mass spectrometry (SIMS);
- surface treatment;
76.Investigation of PECVD dielectrics for nondispersive metal-insulator-metal capacitors

机译：Investigation of PECVD dielectrics for nondispersive metal-insulator-metal capacitors
- 作者：S. Van Huylenbroeck;S. Decoutere;R. VenegasS. JeneiG. Winderickx
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第4期
77.Low-Temperature Power Device: A New Poly-Si High-Voltage LDMOS With Excimer Laser Crystallization

机译：Low-Temperature Power Device: A New Poly-Si High-Voltage LDMOS With Excimer Laser Crystallization
- 作者：Fang-Long Chang;Ming-Jang Lin;C. W. LiawHuang-Chung Cheng
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2004年第8期
78.A deep submicron CMOS process compatible suspending high-Q inductor

机译：A deep submicron CMOS process compatible suspending high-Q inductor
- 作者：Chung-Hui Chen;Yean-Kuen Fang;Chih-Wei YangC. S. Tang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第11期
- Air gap;
- Inductors;
- Pillars;
- RF CMOS;
- Suspending;
79.1/f Noise Expressions for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter in Above-Threshold Regime

机译：1/f Noise Expressions for Amorphous InGaZnO TFTs Considering Mobility Power-Law Parameter in Above-Threshold Regime
- 作者：He Hongyu;Zheng Xueren;Zhang Shengdong
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第2期
- Thin-film transistor (TFT);
- InGaZnO (IGZO);
- low frequency noise;
- carrier mobility;
80.Schottky barrier thin-film transistor (SBTFT) with silicided source/drain and field-induced drain extension

机译：Schottky barrier thin-film transistor (SBTFT) with silicided source/drain and field-induced drain extension
- 作者：H. C. Lin;K. L. Yeh;R. G. HuangC. Y. LinT. Y. Huang
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第4期
- Ambipolar;
- Field-induced drain;
- Schottky barrier;
- Thin-film transistor;
81.Abnormal junction profile of silicided P{sup}+/n shallow junctions: a leakage mechanism

机译：Abnormal junction profile of silicided P{sup}+/n shallow junctions: a leakage mechanism
- 作者：Chel-Jong Choi;Tae-Yeon Seong;Key-Min LeeJoo-Hyoung LeeYoung-Jin ParkHi-Deok Lee
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2002年第4期
82.Solution-Processed Bootstrapped Organic Inverters Based on P3HT With a High- $k$ Gate Dielectric Material

机译：Solution-Processed Bootstrapped Organic Inverters Based on P3HT With a High- $k$ Gate Dielectric Material
- 作者：Rao V.R.;Mhaisalkar S.G.;Navan R.R.Tiwari S.P.Raval H.N.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第5期
83.Vertically Stacked SiGe Nanowire Array Channel CMOS Transistors

机译：Vertically Stacked SiGe Nanowire Array Channel CMOS Transistors
- 作者：W. W. Fang;N. Singh;L. K. BeraH. S. NguyenS. C. RustagiG. Q. LoN. BalasubramanianD.-L. Kwong
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2007年第3期
- Gate-all-around (GAA);
- MOSFETs;
- SiGe nanowire (NW);
- Vertically stacked NW array;
84.Effect of Capping Silicon Nitride Layer and Nitrided Gate Oxide on Hump of Transistors

机译：Effect of Capping Silicon Nitride Layer and Nitrided Gate Oxide on Hump of Transistors
- 作者：Won K. Park;Jung H. Lee;Geun Lim
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2004年第8期
- CMOS;
- High-voltage nMOS;
- Hump;
- Nitrided gate oxide;
- Silicon nitride;
85.Understanding and Modeling the Temperature Behavior of Hot-Carrier Degradation in SiON nMOSFETs

机译：Understanding and Modeling the Temperature Behavior of Hot-Carrier Degradation in SiON nMOSFETs
- 作者：Tyaginov Stanislav;Jech Markus;Franco JacopoSharma PrateekKaczer BenGrasser Tibor
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2016年第1期
- Hot-carrier degradation;
- Si-H bond dissociation;
- temperature behavior;
- electron-electron scattering;
- modeling;
- interface traps;
- MOSFET;
86.Control of Switching Current Asymmetry by Magnetostatic Field in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions

机译：Control of Switching Current Asymmetry by Magnetostatic Field in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions
- 作者：Lee K.;Kang S. H.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第12期
- Magnetic tunnel junction (MTJ) offset field;
- switching asymmetry;
- thermal stability;
87.An Efficient Triple-Tandem Polymer Solar Cell

机译：An Efficient Triple-Tandem Polymer Solar Cell
- 作者：Zhao D.W.;Sun X.W.;Jiang C.Y.Kyaw A.Lo G.Q.Kwong D.L.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第5期
88.Phase-Change Memory With Multifin Thin-Film-Transistor Driver Technology

机译：Phase-Change Memory With Multifin Thin-Film-Transistor Driver Technology
- 作者：Li L.;Zhang L.;Lin X.He J.Chui C. O.Chan M.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第3期
- FinFET;
- phase-change (PC) memory (PCM);
- system on panel (SOP);
- thin-film transistor (TFT);
89.Modeling of Polysilicon Depletion Effect in Recessed-Channel MOSFETs

机译：Modeling of Polysilicon Depletion Effect in Recessed-Channel MOSFETs
- 作者：Kang Y.;Kim H.;Lee J.Son Y.Park B.-G.Lee J. D.Shin H.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第12期
- Device modeling;
- gate depletion;
- poly depletion effect;
- polysilicon depletion effect;
- recessed-channel (RC) MOSFETs;
90.Low-Standby-Power Bulk MOSFET Design Using High-$k$ Trench Isolation

机译：Low-Standby-Power Bulk MOSFET Design Using High-$k$ Trench Isolation
- 作者：Vega R. A.;Liu T.-J. K.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第12期
- Hf-based dielectrics;
- high permittivity (high- $k$);
- multigate FET;
- scalability;
- tunneling;
91.A new polycrystallinc silicon TFT with a single grain boundary in the channel

机译：A new polycrystallinc silicon TFT with a single grain boundary in the channel
- 作者：Jae-Hong Jeon;Min-Cheol Lee;Kee-Chan parkMin-Koo han
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第9期
- Excimer laser annealing;
- Grain boundary;
- Lateral grain growth;
- Poly-Si TFT;
92.Low-Operating-Voltage Ultrathin Junctionless Poly-Si Thin-Film Transistor Technology for RF Applications

机译：Low-Operating-Voltage Ultrathin Junctionless Poly-Si Thin-Film Transistor Technology for RF Applications
- 作者：Tsai T.-I.;Chen K.-M.;Lin H.-C.Lin T.-Y.Su C.-J.Chao T.-S.Huang T.-Y.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
- Junctionless (JL);
- low-frequency noise (LFN);
- poly-Si;
- radio frequency (RF);
- thin-film transistor (TFT);
93.$RC$ Model for Frequency Dependence of Split $Chbox{--}V$ Measurements on Bare SOI Wafers

机译：$RC$ Model for Frequency Dependence of Split $Chbox{--}V$ Measurements on Bare SOI Wafers
- 作者：Diab A.;Ionica I.;Ghibaudo G.Cristoloveanu S.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2013年第6期
- $RC$ model"$R;
- frequency dependence;
- pseudo-MOSFET;
- silicon-on-insulator (SOI);
- $Chbox{--}V$"split tex Notation=;
94.Highly strained InGaP/InGaAs p-HEMT using reduced area growth

机译：Highly strained InGaP/InGaAs p-HEMT using reduced area growth
- 作者：Sang-Soon Kim;Jong-In Song
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第2期
95.Anomalous Capacitance Induced by GIDL in P-Channel LTPS TFTs

机译：Anomalous Capacitance Induced by GIDL in P-Channel LTPS TFTs
- 作者：Lin C.-S.;Chen Y.-C.;Chang T.-C.Chen S.-C.Jian F.-Y.Li H.-W.Chen T.-C.Weng C.-F.Lu J.Hsu W.-C.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2009年第11期
- Displays;
- low-temperature polycrystalline silicon thin-film transistors (LTPS TFTs);
96.A Micromachined Electret-Based Transponder for In Situ Radiation Measurement

机译：A Micromachined Electret-Based Transponder for In Situ Radiation Measurement
- 作者：Chulwoo Son;Babak Ziaie
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2006年第11期
- Capacitive sensor;
- Dosimeter;
- Microelectromechanical system (MEMS);
- Microtransponder;
97.Understanding the Superlinear Onset of Tunnel-FET Output Characteristic

机译：Understanding the Superlinear Onset of Tunnel-FET Output Characteristic
- 作者：De Michielis L.;Lattanzio L.;Ionescu A. M.
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2012年第11期
- Band-to-band tunneling (BTBT);
- steep swing switch;
- subthermal subthreshold swing;
- subthreshold slope;
- tunnel-FET (TFET);
98.1/f noise reduction in PMOSFETs by an additional preoxidation cleaning with an ammonia hydrogen peroxide mixture

机译：1/f noise reduction in PMOSFETs by an additional preoxidation cleaning with an ammonia hydrogen peroxide mixture
- 作者：Masato Toita;Tomohiro Akaboshi;Hisaya Imai
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2001年第11期
- Ammonia hydrogen peroxide mixture;
- C-V plot;
- Flat-band voltage;
- Flicker noise;
- Interface states;
- MOSFET;
- 1/f noise;
- PMOS;
- Preoxidation cleaning;
99.Package-Level Microjet-Based Hotspot Cooling Solution for Microelectronic Devices

机译：Package-Level Microjet-Based Hotspot Cooling Solution for Microelectronic Devices
- 作者：Han Yong;Lau Boon Long;Zhang Xiaowu
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第5期
- Hotspot cooling;
- micro-jet array impingement;
- micro-channel;
- diamond heat spreader;
100.Direct Evidence of the Overshoot Suppression in Ta2O5-Based Resistive Switching Memory With an Integrated Access Resistor

机译：Direct Evidence of the Overshoot Suppression in Ta2O5-Based Resistive Switching Memory With an Integrated Access Resistor
- 作者：Fan Yang-Shun;Zhang Leqi;Crotti DavideWitters ThomasJurczak MalgorzataGovoreanu Bogdan
- 期刊名称：《IEEE Electron Device Letters》 | 2015年第10期
- Overshoot suppression;
- RRAM;
- resistive switching;
- Ta2O5;
- TaOx;
- RRAM self-capacitance;
- integrated access resistor;

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