埋氧层厚度对SOI片形变影响的研究

摘要

探讨了埋氧层厚度对SOI片的形变影响。随着埋氧层厚度值的增大，其形变也相应变大，经过抛光工序后缓解了SOI片残余应力，减小了SOI片的形变，埋氧层厚度偏厚的SOI片，其warp值仍然偏大，顶层硅均匀性更差。为控制SOI片形变和均匀性，保障硅膜的挖槽及光刻对位等后工序提供了坚实基础。