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第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

召开年：2011
召开地：三亚
出版时间： 2011-11

主办单位：中国电子学会;中国核学会

会议文集：第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会论文集

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1.Flash存储器中CAM结构的总剂量特性
- 沈鸣杰;俞剑
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文描述了Flash存储器中Content Addressable Memory(CAM)结构的总剂量特性。CAM结构是AMD等公司生产的Flash存储器中的一种经典结构。目前，国外对Flash存储器的总剂量效应研究非常多，但是对CAM结构的总剂量效应研究未见报道。本文将首次介绍CAM结构的总剂量效应，并进行理论分析。它的总剂量效应主要表现为电荷丢失(charge lose)。CAM单元与浮栅单元(floating gate)在结构上大同小异，但是往往总剂量效应(电荷丢失)对CAM单元的影响更大。试验结果显示，CAM单元已经成为带有这种结构的新一代Flash存储器的总剂量效应的薄弱点。
2.存储器管理器抗单粒子效应模拟试验
- 邓玉良;李洛宇;裴国旭;邱嘉敏;林家庆;马文娟;张灯
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：文章介绍基于SOI工艺的存储器管理器芯片进行抗单粒子效应模拟试验的情况，对试验结果进行分析，预估该器件的抗单粒子效应能力，为高端微处理器和通信芯片的设计应用提供依据。
3.深亚微米NMOS器件热载流子与总剂量辐射效应研究
- 崔江维;余学峰;任迪远;卢健;高博;李明
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文对深亚微米器件的热载流子与总剂量辐射效应进行了对比试验研究。结果表明二者对器件造成的损伤存在明显差异，对器件宽长比的依赖关系也不同。热载流子损伤最显著的特点是跨导与源漏电流降低，这会严重影响电路的驱动能力。而总剂量辐射损伤最主要的特点是显著增加了器件的关态泄漏电流，这会大大增加电路的功耗，是电路失效的潜在威胁。沟道宽度越小，长度越小的器件热载流子损伤越大。与之不同的是，总剂量辐射损伤虽然呈现反向窄沟效应，但损伤随沟道长度减小而减小，参数退化与器件的宽长比成反比。
4.不同电子能量下运算放大器的辐射效应和退火特性
- 胡天乐;陆妩;何承发;席善斌;胥佳灵;吴雪
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8.MeV、1MeV，不同能量不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律，并通过在不同偏置状态下对其电离辐照敏感参数，辐照后在室温、100℃、125℃高温条件下随时间变化关系的分析，讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:1.8MeV电子能量辐照引起的LM837辐射损伤比1MeV明显；辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化比零偏时微大；并且LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系，而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。
5.几个典型太阳质子事件的单粒子翻转率估算
- 刘晓坤;陈鸿飞
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文根据NOAA卫星和GOES卫星的测量数据，采用Bendel双参方法，对太阳质子事件(SPE)期间GEO轨道以及SSO轨道处的质子单粒子翻转率的变化情况进行了估算，并分析了影响翻转率的因素。单粒子翻转率与能谱的硬度系数以及翻转能量阈值正相关，与饱和横截面反相关。SSO轨道上由SPE引起的单粒子翻转率增加与在GEO轨道处得质子增加具有相关性。计算得到，在太阳同步轨道极区，器件的单粒子翻转率可以达到0.1718SEUs/bit/day。
6.卫星热控系统抗辐加固技术研究
- 姚正平;刘佩东;于迎军;林方武
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文分析了卫星热控系统的产品组成和抗辐加固设计重点，并针对某太阳同步轨道卫星，进行了热控涂层、控温设备及系统的抗辐加固设计的实例分析，卫星在轨的长期稳定运行证明了热控系统抗辐加固设计措施的有效性。
7.太阳质子事件参数预报方法研究
- 薛炳森
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：根据第23太阳活动周太阳质子事件分布数据，结合第21、22周的数据，详细分析了太阳质子事件的发生和通量分布特征，与常用的太阳质子事件模式进行了对比分析，发现了既往的一些缺陷。经过统计分析，我们认为:1)太阳质子事件的发生具有很强的随机性，但应注意到太阳活动的阶段性特征；2)根据最近3个太阳活动周的太阳质子事件观测数据的统计分析，我们将一个太阳活动周中太阳质子事件的分布划分为3个时间段，即上升段、峰值段和下降段，并对不同阶段的太阳质子事件分布规律和特征进行了总结。通过对23周的对比分析，太阳质子事件的3个阶段的划分比较适合对质子事件发生特征进行描述。
8.EEPROM存储器电荷泵系统的抗辐照加固研究
- 景欣;王佳宁;陆虹
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：EEPROM存储系统中常采用电荷泵来实现高压和负压，在辐照环境中由于辐照对某些高压器件及电路的影响，可能导致电荷泵产生的电压出现偏移甚至失效，以致影响整个存储器的工作。本文主要对电荷泵系统中高压器件的辐照特性进行研究，并针对其辐照特性来研究电荷泵系统中电荷泵电路及基准源电路的抗辐照加固设计特点。
9.一种抗辐射加固电流型PWM控制器的技术研究
- 江军;徐欣;赵璐;保兴润
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种抗辐射加固电流型：PWM控制器的电路设计，它集成了精密基准源、振荡器、误差放大器、过流检测电压比较器、PWM锁存器、欠压锁定电路、输出级等单元电路，采用高压双极工艺制造，简化了外围电路的设计，非常适合于抗辐照应用场合。分析了总剂量辐射和单粒子辐射对电流型PWM控制器电路的影响。根据辐照实验结果和理论分析，有针对性的提出抗总剂量和抗单粒子辐射加固措施，并对加固后器件的抗辐照水平进行了分析。
10.一种雷达中抗辐射加固T/R波控专用电路的设计
- 孙毛毛
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种雷达中沆辐射加固T/R波控专用电路的设计，采用CMOS抗加工艺，重点介绍了该电路的抗总剂量措施和相关电路设计。辐照测试结果证明了设计的正确性。
11.一种微功耗电压基准抗总剂量辐射技术研究
- 胡波;钟英峻;税国华;印峰
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种抗总剂量辐射加固的微功耗电压基准研制。本文通过介绍一种双极型微功耗电压基准的线路结构，并结合辐照实验数据，分析总剂量辐射对此类微功耗电压基准电路的影响。根据辐照实验结果和理论分析，本文提出影响此类微功耗电压基准电路的抗总剂量辐射能力的主要瓶颈，并有针对性的提出抗总剂量辐射加固措施，并对加固后器件的抗总剂量水平进行分析。
12.抗辐射256K SOI CMOS静态随机存储器
- 赵凯;高见头;乔宁;李宁;杨波;于芳;刘忠立;肖志强;洪根深
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍一款抗辐射256K位异步静态随机存储器。该款存储器采用0.5um最小线宽，3层金属布线的部分耗尽SOI CMOS加固工艺进行流片加工。该款存储器采用28脚双列直插陶瓷封装，其静态等待电流约为800微安，典型存储时间42ns，能够在4.5v～5.5V电源电压条件下满足全温度范围工作(-55℃～+125℃)。该芯片的抗电离总剂量达到300Krad(si)，抗瞬态剂量率超过1.5×1011 rad(Si)/s。
13.新型屏蔽材料的性能试验研究
- 刘锋;李跃波;吕昕;潘征;杨杰
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：复杂电磁环境是当前必须面对和解决的严峻问题，因此，电磁防护技术及防护性能测试技术十分重要。本文针对目前一些新型屏蔽材料的特性，提出了标准模块式试验模型制作方法及两种新的试验研究方法，为屏蔽材料的性能试验提供了基本的试验手段和平台，为准确评估材料的屏蔽效能提供了试验途径。同时，通过实际测试应用，证明了试验方法的有效性、合理性。
14.X射线屏蔽用Wp/2Al2铝复合屏蔽材料制备及其性能研究
- 杨剑;毛昌辉;梁秋实;马书旺;刘坤
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：利用粉末冶金方法成功制备了可以作为辐射屏蔽材料的Wp/2024Al复合材料，研究了该铝基复合材料的X射线图谱、微观组织、力学性能和断裂特点。结果表明，真空热压温度升高到560℃，混合粉末经过热压后有WAl12和WAl5合金生成；制各的复合材料颗粒分散比较均匀，但局部存在颗粒团聚；与挤压态2024Al基体合金相比，挤压态复合材料屈服强度较高，而抗拉强度较低；经过热处理，复合材料强度得到提高，480℃固溶的Wp/2024Al复合材料抗拉强度达到525MPa。
15.0.18um工艺D触发器SEU频率相关性研究
- 董攀;范隆;岳素格;郑宏超;杜守刚
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文对两条D触发器链在不同的频率下进行辐射实验，分别是未经过抗辐射加固的D触发器链和经过SEU加固单元逻辑加固D触发器链，选择在100KHZ、1MHZ、10MHZ、50MHZ、100MHZ等五种工作频率下研究单粒子翻转截面与频率的相关性。最后发现当工作频率升高103倍之后，触发器链的翻转截面上升。非加固D触发器链的单粒子翻转饱和截面相对变化是6.3；加固D触发器链的单粒子翻转饱和截面相对变化是2.7,翻转饱和截面变化率降低。
16.60Co γ射线辐照诱发CCD功能失效的实验分析
- 王祖军;唐本奇;肖志刚;张勇;刘敏波;黄绍艳
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文研究了不同剂量率下60Coγ射线辐照线阵CCD导致功能失效的实验结果。分析了电离辐照诱发CCD功能失效的判据和失效机理。比较了CCD分别在不遮挡、遮挡输出放大器、遮挡转移寄存区和光敏区时，受60Coγ辐照诱发功能失效时的失效剂量。对比分析了不同偏置条件下CCD辐照损伤差异的原因。
17.典型器件和电路不同剂量率的辐射效应研究
- 陆妩;任迪远;郑玉展;王义元;郭旗;余学峰;何承发
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：对几十种不同类型的典：型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。结果显示，器件类型不同，失效模式也相异。其典型的失效模式表现为四种：(1)仅有低剂量率辐照损伤增强效应；(2)既有低剂量率辐照损伤增强效应又有时间相关效应；(3)仅有时间相关效应；(4)无不同剂量率辐照损伤间的差异。文中对产生低剂量率损伤增强效应的机理进行了分析。
18.双极电压比较器电离辐射效应
- 王义元;陆妩;任迪远;吴雪;高博;徐发月;席善斌
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律，对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果发现，电压比较器的多个参数均发生较大变化。且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照结果显示，比较器的剂量率效应与偏置相关；不同偏置条件下，器件的辐射损伤模式略有不同。文中结合电路特征，对偏置的影响进行了分析。并通过过零比较器结构的功能测试，探讨了器件输出特性的变化。最后对电离损伤机理进行了探讨。
19.不同偏置下10位双极模数转换器高低剂量率的辐射效应
- 胥佳灵;陆妩;吴雪;何承发;胡天乐;卢健;张乐情;于新
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文研究了10位双极模数转换器(ADC)在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现，此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电离辐照响应有较大差异。同一电参数既表现出低剂量率损伤增强效应(ELDRS)又表现出时间相关效应(TDE)。研究结果进一步表明，低剂量率辐照OV偏置是最劣偏置；与之相反，高剂量率辐照5V偏置是最劣偏置，而加电阻偏置对辐照损伤有一定的抑制作用。最后，结合空间电荷模型和边缘电场效应对其辐照损伤差异及退火机理进行了初步探讨。
20.深亚微米存储器各器件辐照特性研究
- 王佳宁;景欣;陆虹
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为了研究抗辐照的EEPROM，针对其系统中的关键元器件(高、低压。NMOS，高、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了辐照实验的研究和分析，为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。
21.DC/DC变换器单粒子效应分析
- 尹华;陈璞;邹华昌
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文回顾了空间用DC/DC变换器单粒子效应的研究现状，从DC/DC变换器工作原理出发，分析了DC/DC变换器产生单粒子效应的原因，从研究和应用需要，重点论述了DC/DC变换器单粒子效应的定义以及对设计和应用的影响和危害，并从设计，测试和应用角度，对开展DC/DC变换器单粒子效应研究进行了探讨。
22.屏蔽空间电离总剂量的CMOS IC封装
- 张文娟;张金利;李军
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文对CMOS IC封装对空间电离总剂量辐照的屏蔽性能进行了研究，分析了封装材料自身辐射对器件的影响及封装对空间电离总剂量的屏蔽作用。通过分析和仿真计算，优化多层结构设计，给出不同封装材料与结构对空间电离总剂量的屏蔽效果。试验结果表明：优化后的多层结构封装管壳对空间电离总剂量的屏蔽效果比常规封装管壳提高了一个数量级以上。
23.基于SOI工艺的电荷灵敏放大器设计及测试
- 樊磊;王科;王铮;魏微;吕继方;吴文欢
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种基于SOI工艺的电荷灵敏放大器芯片的设计和芯片的详细测试结果，对SOI工艺的特点和电荷灵敏放大器的结构进行了分析，测试结果表明芯片的基本功能得到实现。
24.埋氧注氮对SIMOX SOI材料埋氧中辐射感生正电荷密度的影响
- 郑中山;刘忠立;于芳;李宁;张恩霞
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：在注氧隔离(SIMOX)绝缘体上硅(SOI)材料的埋氧中注入了不同剂量的氮离子，并在不同温度下实施了注氮后的高温退火。使用电容.电压(C-V)技术，对经Co-60γ射线辐照后的埋氧注氮SIMOX SOI材料中埋氧的辐射感生正电荷密度进行了表征。结果显示，较低的注氮剂量和较高的退火温度可抑制埋氧中辐射感生正电荷的净积累，从而改善SIMOX SOI材料的抗总剂量辐射能力。借助于二次离子质谱(SIMS)及傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析技术，对实验结果进行了讨论。
25.一种抗单粒子翻转的高速高精度Latch型灵敏放大器
- 乔宁;赵凯;高见头;李宁;杨波;于芳;刘忠立
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种抗单粒子翻转的高速高精度Latch型灵敏放大器。该Latch型灵敏放大器采用双尾电流结构并在电路中加入单粒子加同设计。该Latch型灵敏放大器可以有效地防止单粒子翻转抗单粒子并具有高速、高精度、低功耗等特点。该Latch型灵敏放大器町以用于高速ADC、SRAM等数模混合集成电路中。
26.PDSOI 8K×8 SRAM剂量率效应激光模拟研究
- 赵发展;曾传宾;刘梦新;刘刚;韩郑生
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：利用西北核技术研究所波长为1064nmYAG激光器对中国科学院微电子研究所的3种不同条件下的PDSOI 8K×8 SRAM进行了剂量率模拟实验。实验结果表明SRAM电路电源/地间并联电容能够有效提高电路的翻转阈值，多电源/地封装可以抑制SRAM翻转数目随激光功率增强而增加的速度，测试电压的高低对SRAM的翻转有一定影响作用。
27.不同工艺SRAM型FPGA单粒二子锁定试验研究
- 于庆奎;张大宇;刘迎晖;李鹏伟;孟猛;罗磊;唐民
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：以体硅工艺和外延工艺制造的SRAM型FPGA为样品，用高能粒子加速器产生的LET值为13.6-92.55MeV.cm2/mg离子，进行了单粒子锁定试验研究，试验结果是外延CMOS工艺制造的器件未发生单粒子锁定，体硅CMOS工艺的制造的器件发生了单粒子锁定，试验还发现，随入射离子LET值增加，器件单粒子锁定电流增加。
28.基于并五苯的有机薄膜场效应晶体管伽马射线辐照效应研究
- 蔡莉;平尾敏雄;矢野博明;段宗范;高柳佑太郎;大岛武;西岗泰城
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文研究了两种不同栅绝缘层材料的基于并五苯的有机薄膜场效应晶体管(OTFTs，Organic Thin Film Transistors)的60Coγ-ray辐照效应。栅绝缘层为SiO2的ITFT辐照后阈值电压向负方向移动，这是正的氧化物陷阱(oxide trap)电荷带来的影响，同时观察到了“回弹”(rebound)现象。栅绝缘层为聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜的OTFT的阈值电压随总剂量的增加单调减少。当总剂量达到1200 Gy(Si)时，栅绝缘层为SiO2的OTFT的载流子迁移率约减小80％，栅绝缘层为PI的OTFT的载流子迁移率约减小40％。
29.一种FPGA配置存储器总剂量辐射效应
- 牛振红;张力;李志峰
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文对Xilinx公司基于SRAM型FPGA的一种PROM(程序配置存储器)进行了γ射线电离总剂量辐照效应研究，分析了PROM数据保存能力随辐照总剂量增加的变化规律。实验结果表明，在辐照总剂量低子6×102Gy(Si)时，PROM数据未发生错误，能成功加载FPGA，当辐照总剂量达8×102Gy(Si)时，开始出错，继续辐照时数据错误数急剧增长。
30.航天器带电技术发展探讨
- 王立
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文简要介绍了航天器带电技术发展的历史过程、研究现状并结合我国航天器技术发展提出未来研究方向的建议。
31.系统电磁脉冲中出射电子的影响因素分析
- 欧阳碧耀;邱有恒
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文用MC模拟方法，细致分析了不同能谱对出射电子数目及能量分布影响；产生电子中compton电子、光电子、次级电子的分布比率；以及镀膜对出射电子的阻挡效果。
32.半导体器件辐射效应的研究动向
- 刘忠立
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文在回顾半导体器件辐射效应取得丰富研究成果的基础上，介绍近年来半导体辐射效应研究的一些动向，其中包括航空及地面环境的单粒子效应、综合辐射环境下的辐射效应、化合物半导体器件的单粒子效应、光电器件的辐射效应、功率半导体器件的辐射效应、SOI CMOS集成电路的辐射效应及混合信号电路辐射加固设计技术。给出了一些典型的研究结果，并指出在这些效应方面应该继续研究的方向。
33.战略武器抗辐射加固需求分析
- 杜新瑜;王江枫;方晓;王力纲
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：我国战略核导弹只有具备在敌先发制人核打击下的生存能力和突破敌导弹防御体系的突防能力，才是真正安全、可靠、有效的，才能真正成为捍卫大国地位的基石、震慑强敌的利器。这就要求战略武器满足高生存、强突防、实战化的要求，而抗辐射加固则是贯穿其中的一项关键技术。本文依据国外核技术发展现状，研究提出了我国战略武器抗辐射加固需求。
34.美国近50年武器抗辐射加固进展及研究重点分析
- 刘媛筠
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为了能较为全面地掌握美国抗辐射加固研究的技术水平及发展过程，本报告首先介绍了抗辐射加固技术的一些基本概况，总结了美国在抗辐射加固领域的一些研究工作；分别对上世纪60年代至今美国抗辐射加固的主要历史进程进行了梳理，分析了美国核武器实验室近15年在抗加方面所取得的成果；总结了近10年美国能源部对抗加研究的财政投入情况，最后对上述研究进行了总结。
35.SOI总剂量效应研究进展
- 刘刚;卜建辉;赵发展;刘梦新;韩郑生
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：SOI(Silicon-On-Insulator)技术在器件结构上有着独特的优势，与体硅电路相比，SOICMOS电路在抗单粒子、抗瞬时辐照方面有着突出优势，在航天等领域有着广泛的应用。但其BOX(buried oxide)层的存在使其抗总剂量辐照性能变差。本文主要介绍了总剂量辐照引起的氧化物陷阱电荷、界面态电荷的建立机制以及与其形成相关的主要因素，并在此基础上阐述了总剂量辐照加固的各种方法，最后对总剂量辐照器件模型做了介绍。
36.群体AHP方法在复杂系统易损性分析中的应用
- 刘钰;韩峰;王玉恒;乔登江
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：群体层次分析法(Group AHP)是专家群体评判意见的综合量化方法，本文讨论了该方法在系统易损性分析中的应用，并针对群体层次分析法专家意见合成问题，提出了基于主成分分析方法计算各专家客观仅重，并根据该权重合成专家评判意见的方法。应用结果表明，该方法能更好地克服人为主观判断及偏好给决策带来的影响，为复杂系统易损性定量评估提供了有效的技术途径。
37.高功率电磁脉冲国际标准概况
- 孟萃
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：国际电工委员会的第77技术委员会(IEC TC77)——电磁兼容技术委员会(Electromagnetic Compatibility，缩写为EMC)和它的分技术委员会SC77A(低频现象)、SC77B(高频现象)、 SC77C(对高空核电磁脉冲的抗扰性)是具有很强的横向功能(即它们的出版物是供各产品委员会使用的)的技术委员会。SC77C起草有关高功率电磁(EM)环境、电磁发射、抗扰度、测量技术、试验程序和减缓方法等方面的EMC国际标准和技术报告。本文将介绍SC77C委员会的组织结构以及出版物的概况，并就几个出版物的具体内容进行讨论。
38.基于正交设计的瞬态结构响应影响因素分析
- 周擎;杨侠;邓宏见
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：利用正交表米安排试验方案，可通过少数试验获得满意的试验结果，有效地降低试验成本与规模，文中针对瞬态结构的影响因素和水平，构造了正交试验研究工况，实验研究获得了影响瞬态结构响应因素的主次关系。
39.QMU与V＆V方法及其在核武器抗辐射加固研究中的应用初探
- 严钧;冯晓辉;胡鸣怡
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文首先概述禁核试条件下，美国三大核武器实验室发展QMU和V&V方法的背景；随后在第三部分详细描述了QMu和V&V的概念以及二者间的关系，并比较说明美国核武器非核部件研制和系统集成实验室——圣地亚国家实验室(SNL)和核装置研制实验室——劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)、洛斯阿拉莫斯国家实验室(LANL)——提出的QMU方法的差异。第四部分重点介绍了SNL实施QMU的方法以及面临的挑战；并在此基础上，对QMU与V&V方法在核武器抗辐射加固工作中的应用情况进行概述并作出相关分析。
40.电推进羽流与航天器相互作用的研究现状与建议
- 刘磊;张庆祥
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文讨论了电推进羽流对航天器的主要影响，介绍了国外在地面模拟试验、空间飞行验证和软件仿真技术等方面的研究现状，同时对国内开展羽流与航天器相互作用研究提出了建议。
41.电光调制器的辐射效应机理
- 付灵丽;谭庆贵;蒋炜
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：基于电光调制器在高速空间光通信的应用需求，从调制器的材料、结构分析了调制器的总剂量和位移损伤辐射效应机理，为后续开展调制器位移损伤效应地面模拟试验奠定了理论基础。
42.电子元器件中子辐照后感生放射性豁免条件探讨
- 郑春;艾自辉
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：通过对GB 18871-2002和电子元器件中子辐照后的测试要求的分析，认为在运营单位技术监督部门认可的条件下，当电子元器件中子辐照后产生的感生放射性在距离元器件0.1m处的γ吸收剂量不大于1μGy/h时，该元器件可被豁免。
43.BiCMOS模数转换器的电离辐射效应
- 吴雪;陆妩;王义元;胥佳灵;卢健;张乐情;于新
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行了不同剂量率下的电离辐射效应以及室温退火特性的研究。研究表明：ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异；模拟电源电流和数字电源电流的辐照响应差别比较大，DNL、INL和失码。Misscode在低剂量率下电离损伤更加严重，表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS)。结合工艺条件和空间电荷模型本文对ADC的这种不同剂量率下的损伤机理进行了初步的讨论。
44.中带电压法分离栅控横向PNP双极晶体管辐照感生缺陷木
- 席善斌;陆妩;王志宽;任迪远;周东
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：设计并制作了一种新型双极测试结构，即在常规横向PNP型双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极，通过扫描栅极所加电压，获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性，利用中带电压法分离栅控横向PNP双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷。本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍。
45.SONOS型EEPROM存储单元总剂量效应研究
- 陆虹;王佳宁;景欣
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文首先对传统浮栅型和电荷俘获型两类不同EEPROM存储器单元进行了对比，着重对SONOS型存储单元可靠性进行了分析。然后对存储单元总剂量辐照机理进行了分析研究，并对国内生产线上生产的SONOS型存储单元样品进行了总剂量辐照试验及参数测试，取得了较有意义的结果和结论。
46.SOI SONOS EEPROM管电离总剂量辐射效应研究
- 陈正才;肖志强;高向东;洪根深;徐静;周淼
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：文章对0.6um SOI SONOS EEPROM管的擦写特性、电离总剂量辐射特性进行了研究，给出了SONOS EEPROM管在擦除态、编程态的Id～Vg曲线及阈值窗口随辐射总剂量的变化关系，并进行了分析。
47.GaAs微波功率场效应晶体管中子辐照效应研究
- 林丽艳;李用兵
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文在研究GaAs半导体材料中子辐照位移损伤机制基础上，开展了两种GaAs微波功率场效应晶体管中子辐照试验。在中子注量为1014n/cm3时的试验结果表明样品饱和漏电流减小，经分析可归结为沟道载流子浓度减小和载流子迁移率下降两个因素。分析栅漏击穿电压参数时发现不同种类样品此参数变化趋势略有差异，可解释为沟道载流子浓度和迁移率的变化程度不同引起。
48.辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证
- 吴利华;韩小炜;赵岩;于芳;刘忠立
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证。VS1000 FPGA包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等。每个逻辑模块由2个基于多模式4输入查找表的逻辑单元组成，相对传统的4输入查找表，其逻辑密度可以提高12％；采用编程点直接寻址的编程电路，为FPGA提供了灵活的部分配置功能；通过对编程点的完全体接触提高了全芯片的抗辐射能力。VS1000 FPGA基于中电集团第58所0.5μm部分耗尽SOI工艺进行辐射加固设计并流片，样片的辐照试验表明其抗总剂量水平达到1.0×f05 rad(Si)，瞬态剂量率水平超过1.5×1011tad(Si)/s，抗中子注量水平超过1.0×1014n/cm2。
49.SRAM型FPGA单粒子效应敏感性分析研究
- 杜守刚;范隆;岳素格;郑宏超;于春青;董攀;杨晓飞;贾海涛
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文首先描述了典型的SRAM型FPGA内部通常包含的三类基本资源，并分析三类基本资源内部不同功能的电路单元对单粒子效应的敏感性，归纳出Virtex系列SRAM型FPGA的6种类型的单粒子效应敏感结构单元，并得出这些敏感结构单元的单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闩锁的检测方式，最后对SRAM型FPGA单粒子效应评估研究的发展趋势做了简要总结。
50.部分抗辐射加固美军标介绍
- 夏雪莲;虞惠龙;傅世勤
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：有关抗辐射加固方面的美国军用标准，由于保密和技术封锁等原因，能查阅到的不多。本文就目前能查阅到的部分抗辐射加固标准按基础标准、技术标准、抗辐射加固产品规范进行分类，并对相关标准进行简要介绍，旨在对美军标中的抗辐射加固标准有个较系统的了解。
51.贝叶斯网络在电子系统电磁脉冲易损性评估中的应用
- 韩峰;刘钰;王建国
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：针对应用故障树分析方法评估电子系统电磁脉冲易损性存在的不足，研究了基于贝叶斯网络的电子系统电磁脉冲易损性评估方法。分析了电子系统电磁脉冲效应的特点，给出了电子系统电磁脉冲易损性评估的步骤。应用电磁拓扑方法中的相互作用顺序图分析电磁耦合途径，确定受到“电磁应力”作用的单元部件。将其作为建立贝叶斯网络模型的基本单元节点，建立基于贝叶斯网络的电子系统电磁脉冲易损性评估模型。最后给出了验证实例。
52.电子系统X射线剂量增强效应研究
- 褚忠强;徐曦;牟维兵;詹峻岭;赵刚
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文以主要由N80C196KC20、PSD50181和X24F128构成的系统作为研究对象，通过X射线和γ两种不同射线的辐照对比，对单片机系统电路和单元电路的剂量增强效应进行了研究。在器件剂量增强表征公式的基础上，研究了系统剂量增强的表征方法，并将相对剂量增强系数的计算公式推广到了系统电路。研究表明：动态偏置辐照状态下，单片机系统电路及单元电路存在x射线剂量增强效应；提出了绝对失效判据的概念，并采用绝对失效判据研究了系统电路的剂量增强效应，得到了系统电路的相对剂量增强系数，采用绝对失效判据是合适的；在武器电子学系统应用中，当辐照总剂量较低时，系统及单元电路的剂量增强效应不显著，可以不予考虑。
53.延时电路抗伽马剂量率加固设计方法
- 许献国;杜川华;袁国火;赵刚
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文根据反熔丝FPGA延时电路的伽马剂量率响应和非易失铁电存储器的耐辐照特点，提出了一种抗伽马剂量率软件加固设计新方法。总的思路是对延时总时间进行分段延时，定期将延时时间代码冗余保存在耐辐射的非易失铁电存储器FRAM里，对存储器保存的延时时间代码在读出时进行智能判读、纠错，当读出的时间代码达到总的延时时间后给出延时结束信号。通过强光一号强流脉冲加速器上多炮伽马剂量率辐照试验检验，采取加固措施后的延时电路延时时间未超出预设范围，证明我们提出的加固方法是可靠的、有效的。
54.一种高压换流器的抗中子加固设计
- 朱小锋;赵世明;赵洪超
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍一种高压换流器的抗中子加固设计原理和方法，经过反应堆辐照试验，结果表明该换流器电路具有较高的抗中子辐射能力。
55.航天电子设备的FPGA抗单粒子翻转设计
- 童亚钦;辛明瑞;杨志群
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：SRAM型FPGA在航天电子设备中应用日趋广泛，对其进行抗单粒子翻转(SEU)设计是设备可靠性设计的重要内容。本文以通信基带数字信号处理设备为例，对如何在设备级总体设计上采用动态检测点技术进行检错、纠错进行了探讨，同时也说明了如何针对单个SRAM型FPGA器件使用动态刷新、三模冗余、RAM自刷新等设计方法，为在航天电子设备中综合应用上述设备级、器件级容错设计方法提供参考。
56.典型DC/DC电源变换器电离辐射效应研究
- 刘伟鑫;宣明;王昆黍;吾勤之
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文研究了典型DC/DC电源变换器的电离辐射效应，给出了不同输出负载、不同输入电压等测试条件下，DC/DC电源变换器输出电压等参数变化情况与辐照剂量之间的关系。研究表明，DC/DC电源变换器输出负载的功率越大，输出电压的衰减程度也越大；不同的输入电压对输出电压特性影响较小。
57.一种星用抗辐射加固高速PIN开关驱动器的研制
- 孟华群;马丹
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种星用抗辐射加固高速PIN开关驱动器，主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品的上升时间≤5ns，下降时间≤5ns，输出高电平≥3.5V，输出低电平≤3.5V，具有抗总剂量的能力。
58.两种型号的光电耦合器的单粒子瞬态脉冲效应的试验研究
- 陈睿;封国强;马英起;韩建伟;张玉靖
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：近年来，模拟器件和光电电路的单粒子瞬态效应(SET)成为国内外研究的热点。文章利用脉冲激光试验装置，分别对光电耦合器6N134和4N49进行了单粒子瞬态脉冲效应的研究。实验获取了两种光耦器件SET效应的等：效LET阈值分别为0.283MeV·cm2·mg-1和12.75MeV·cm2·mg-1,得到了两种器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与线性能量传输(LET)的关系，并尝试测试了两种器件的SET效应截面，最后，初步探讨了其产生SET效应的机理。
59.空间充电材料在微小碎片撞击下诱发的放电
- 高著秀;李宏伟;蔡明辉;黄建国;韩建伟
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：在空间环境中表面被充电的材料被高速飞行的微小碎片撞击时，能够抛射出等离子体，在航天器表面诱发静电放电，是可能引发航天器异常的一个重要因素。本文利用等离子体驱动微小碎片加速器对充电材料进行超高速(3km/s)撞击，通过示波器观测放电脉冲信号来研究因撞击产生的等离子体诱发的放电，得到较好的实验现象，初步确认了超高速碎片撞击充电材料诱发放电所潜在的机理。
60.光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应及其机理
- 李鹏伟;于庆奎;孟猛;唐民;文平;胡泓波;李家敏
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文基于191.17MeV和70MeV质子的辐照试验，开展了光电耦合器位移辐射效应研究。结果表明高能质子辐照引起电流传输比退化明显，且相同辐照条件下，70MeV质子能量辐照引起光耦电流传输比退化比191.17MeV质子能量更严重，分析了引起光耦器件参数退化的原因。
61.FPGA空间应用的单粒子翻转防护设计分析
- 金历群;范凡
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：对影响单粒子事件产生的空间环境进行了介绍，对FPGA器件的设备选型进行了概述，并针对FPGA在空间航天器应用中的单粒子翻转问题提出了防护设计和分析的基本思路。
62.原子氧侵蚀及其与其它空间环境协同效应研究
- 李宏伟;蔡明辉;韩建伟;黄建国;于金祥;高著秀
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：原子氧是LEO上重要的空间环境因素，其对空间暴露材料的侵蚀效应不容忽视。用潘宁源的原子氧模拟装置进行了原子氧侵蚀kapton材料、太阳电池以及光学玻璃的实验研究，并且在国内首次开展了微小碎片撞击与原子氧协同作用对Kapton膜和镀铝Kapton膜的侵蚀效应研究。
63.航天器介质深层放电脉冲特征及影响
- 全荣辉;张振龙;王燕;韩建伟
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：空间辐射环境中，由高能电子引起的深层充放电效应是威胁航天器安全的重要因素之一。本文比较了深层放电脉冲与常规EsD试验脉冲的差别，并通过试验研究了典型介质(环氧树脂)深层放电现象对航天器载荷的影响。试验结果表明，深层放电脉冲可以通过外接导线与接插件端子等途径干扰航天器载荷的有效运行，航天器载荷必需采取有效防护措施以减少深层放电干扰。
64.“风云卫星”空间环境数据工程应用探讨
- 张庆祥;王颖;刘磊;薛炳森
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：开展了风云卫星空间环境监测数据工程应用研究工作，分析了风云卫星空间环境监测数据的工程可用性，建立了风云卫星：空间环境监测数据查询库和发布平台，初步建立了空间环境效应分析工具，并对进一步工作的开展提出了建议。
65.质子事件峰值流量的一种预报方法
- 郭策;薛炳森;林兆祥
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：太阳质子事件是威胁航天安全的空间天气事件，对质子事件峰值的准确预报对于卫星采取有效的减缓措施具有很高的实用价值。本项工作采用GOSE.7卫星大于10Mev能段上的质子通量数据，对太阳质子事件的能量上升阶段的高能质子通量变化特征进行了分析，发现其上升阶段的峰值流量具有较好的统计规律，并根据该规律提出了一种对太阳质子事件峰值流量进行预报的方法。试验预报结果表明，预测结果与实测值都在同一个量级内，预报方法具有一定的有效性。
66.FR4电路板体电导率影响因素及内带电防护技术分析
- 乌江;王金锋;沈宾;郑晓泉
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：体积电导特性是影响航天器介质内带电水平的关键因素，通过对有机介质辐照诱导电导率、暗电导率特性的理论分析以及高能电子束辐照对FR4电路板体积电导率的对比试验研究，发现不仅空间电荷、温度及外电场强度均对载流子运动有所影响，而且玻璃布与环氧树脂的两相界面会生成大量陷阱，极大地影响FR4电路板的体电导特性。认为从载流子产生与输运的角度，研究电路板中玻璃布结构及其与环氧树脂的合理界面状态，可使电路板获得在空间环境中抗内带电所需的非线性电导特性。
67.反熔丝FPGA抗高γ剂量率辐射加固软件设计技术
- 杜川华;许献国;袁国火
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：分析了反熔丝FPGA的γ剂量率瞬时电离辐射效应及其辐射损伤机理，设计了一种特殊读写时序的加固软件，用于FPGA和外围铁电存储器FRAM之间的信息交换，实现了高γ剂量率瞬时辐射状态下FPGA内部寄存器数据的实时信息保存与恢复。烧写了该特殊读写时序加固软件的两种反熔丝FPGA电路在“强光一号”强流脉冲加速器上进行了γ剂量率瞬时辐照试验，试验结果表明：该软件设计成功消除了高γ剂量率瞬时辐射对FPGA输出信号的不利影响。
68.SiC/SiO2界面中C杂质对MOS器件性能的影响
- 牟维兵
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为了研究SiC/SiO2界面中C杂质对MOS器件性能的影响，根据C杂质的组成形式从理论上估算了其产生界面态密度的大小，并通过界面态密度来确定其对MOS场效应迁移率、跨导及阈值电压的影响。文章还介绍了界面C杂质的形成的原因、存在方式及其在界面的分布情况，并根据非晶炭sp2电子态密度估算了C杂质产生的界面态密度。
69.OPA4132UA运放中子辐射效应研究
- 袁国火
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为满足新形势下抗辐射加固技术研究需要，针对早期研究工作中存在的不足，进一步开展在CFBR-II堆上的中子辐射损伤试验。该文章介绍了双极工艺的OPA4132UA运算放大器在正负15V工作电压下的中子位移损伤辐射效应，分析器件的薄弱环节。大量研究表明，双极工艺器件的位移损伤辐射效应受到辐照中子注量、器件的偏置条件、辐照温度等多种因素的影响，中子辐射引起OPA4132UA器件参数变化，分析了辐射试验数据，获得可靠的试验结果，得到了OPA4132UA运算放大器在中子辐射环境下的试验结论，为以后提高电子学系统抗中子辐射水平提供参考。
70.PZT95/5铁电陶瓷中子、电离辐射总剂量效应研究
- 赵洪超;朱小锋;杜川华
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：试验研究了PZT 95/5铁电陶瓷的中子、电离辐射总剂量效应。结果表明，样片铁电性能和介电性能随中子注量、电离辐射总剂量的增加基本成线性衰减关系，压电性能、相变温度等参数变化不显著。其中，当中子注量为1×1016n/cm2时，或当电离辐射总剂量为5×105Gy(Si)时，剩余极化强度和矫顽场均衰减10％左右。
71.一款带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路测试研究
- 蒲璞;钟英峻;余雷
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：介绍了带驱动接收功能的抗辐射加固接口电路的基本功能，详细说明了自动测试系统的建立和及辐照试验方案，充分验证了该款电路的辐射指标——抗总剂量:100k rad(Si)，抗中子：3×1013n/cm2,抗剂量率:1×1011rad(Si)/s。
72.一种抗辐射加固四运算放大器的研制
- 钟英峻;王成鹤
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文介绍了一种抗辐射加固四运算放大器的研制情况，主要总结了从电路设计，版图设计以及工艺加工方面在抗辐射方面所做的工作。在通过辐射试验，证明开展的这些工作是卓有成效的，最终该电路能够满足抗总剂量和中子辐照的要求。
73.抗辐射加固1024×1024元CCD
- 汪朝敏;李豫东;周建勇;刘昌举;翁雪涛;唐遵烈;李仁豪
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：文章介绍了抗辐射加固1024×1024元CCD的器件结构、辐照效应及加固措施，给出了抗辐射加固1024×1024元CCD经受10MeV质子辐照及60Coγ射线辐照前后的详细数据，数据表明，通过采取抗辐射加固措施，研制的抗辐射加固1024×1024元CCD抗质子辐照能力达到了1.0×1010p/cm2,抗电离辐射总剂量能力达到了1000Gy(Si)。
74.部分耗尽SOI器件的总剂量效应研究
- 张晓晨;王亮;岳素格;李建成
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文通过实验分析了0.13um部分耗尽SOI NMOS晶体管的总剂量效应。对一系列不同尺寸的器件在两种偏置条件下Gamma射线辐射的结果进行分析比较，确定了在该工艺下对于隐埋氧化层，关断状态是比传输门状态更劣的辐射偏置条件。同时，对晶体管辐射前后的漏电情况进行对比，可以推断出在该工艺器件的总剂量辐射中，STI氧化层对晶体管漏电的影响要人于隐埋氧化层。
75.一种单粒子翻转机制及其解决方法
- 王亮;岳素格;孙永姝
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：针对某款超深亚微米专用集成电路(ASIC)出现的异常单粒子翻转(SEU)现象，本文通过分析找出了导致异常翻转的机制，针对这种机制提出了两种解决方法，并给出了两种解决方法的适用范围。重离子试验结果表明，基于新方法研制的ASIC产品的抗单粒子翻转能力得到显著提高。
76.抗辐射封装存储器不同能量不同剂量率的电子辐照试验
- 卫宁;周聪莉;郭旗;文林
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：针对LS28C256R国产抗辐射封装存储器，研制80C31测试装置，编制测试软件。在不同能量不同剂量率电子辐照条件下，对该存储器进行加电运行的应用功能动态测试。比较了不同能量不同剂量率的电子辐照对该存储器屏蔽性能的影响，探讨了该存储器抗辐射封装的屏蔽效果随辐射能量和剂量率的变化关系。试验结果表明，随着辐照能量的增大，该存储器的总剂量能力在降低；随着辐照剂量率的增大，该存储器的总剂量能力在提高。
77.空间电子仪器中FPGA单粒子效应的应用层防护方法
- 邢克飞;杨建伟;张传胜;冯旭哲
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：SRAM型FPGA在空间电子仪器中的广泛应用大大提高了仪器的性能，但其天然辐射效应尤其是单粒子效应在应用中已呈现出高敏感度态势，如不解决将严重影响仪器的应用。论文从系统应用层面，在分层监控的高可靠体系结构的基础上，通过对功能模块布局布线的约束和规划、动态校验和刷新，给出了解决SRAM型FPGA单粒子翻转的一种高效无中断防护方法。该方法SEU检测时间33ms左右，修复时间22us左右，将系统平均无故障时间提高到6480小时以上，为空间电子仪器的可靠工作提供了一种解决方案。
78.SOI MOSFET中子辐射效应模拟研究
- 肖筱;张国和
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文对绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator SOI)MOSFET器件的中子辐射效应的数值模拟进行了研究，利用蒙特卡罗(Monte Carlo)模拟软件Geant4跟踪模拟1MeV至14MeV中子入射SOIMOSFET器件的辐射作用，并对反应所产生的反冲原子种类、数目、平均能量及总平均能量沉积等重要信息进行了探讨，该工作为今后深入研究SOI MOSFET器件总剂量效应提供了基础。
79.抗辐射加固单片DC—DC转换器设计
- 刘智;关甲佳;于洪波;徐骏华
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：采用抗辐射设计加固技术，基于0.5微米CMOS双阱工艺，设计了抗辐射加固单片Boost型DC-DC转换器。从系统设计角度出发，综合采用了同步整流、高开关频率、动态斜坡补偿等技术提高DC-DC转换器性能和抗辐射能力；通过增大环路稳定裕度，有效的提高转换器反馈环路的抗辐射能力。电路级加固分别从模拟电路加固和数字电路加固着手；器件级采取的加固措施是输出功率MOS管采用环形栅设计，其它部分MOS管均采用H栅设计。辐射试验测试结果证明了抗辐射设计加固技术的有效性。
80.量子阱结构与体结构激光二极管辐射效应的比较
- 黄绍艳;刘敏波;肖志刚;王祖军;唐本奇;何宝平;姚志斌;张勇
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：本文开展了多量子阱激光二极管和普通体异质结结构激光二极管的60Coγ和5Mev质子辐照实验，关注P-I特性和I-V特性两个敏感参数。研究结果表明：γ辐照导致普通体异质结结构激光二极管的阈值电流随总剂量的增大而增大，增大的幅度与辐照期间的偏置状态有关，辐照期间加偏置电流要比短路状态时退化更为严重；γ辐照还导致体结构激光二极管I-V特性发生变化，表现为相同电压对应电流的增大。与普通体异质结结构激光二极管相比，多量子阱激光二极管具有较强的抗γ总剂量能力，5.5Mrad(Si)总剂量对多量了阱激光二极管的P-I特性和I-V特性没有影响，但5MeV质子辐照不仅导致体结构激光二极管性能严重退化，同时也导致多量子阱激光二极管P-I特性的阈值电流以及I-V特性的低压区电流明显增大。质子对体结构激光二极管的辐射损伤源于电离和位移的综合效应，而对多量子阱激光二极管的辐射损伤源于质子位移效应导致的非辐射复合中心的增加，位移损伤程度同样与偏置状态有关，辐照期间处于短路状态比加电状态时的损伤更为严重。
81.双极型运算放大器OP07的中子、γ综合辐射效应
- 刘岩;林东生;陈伟;龚建成;杨善潮;王桂珍;白小燕
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：开展了双极工艺运算放大器OP07的γ射线辐照实验、中子辐照实验和中子γ混合场辐照实验，对比分析了中予、γ综合辐射效应的效应规律和特点，获得了双极工艺运算放大器的中了、γ综合辐射效应规律，建立，基于Medici软件的双极晶体管器件模型，分析了界面电荷、缺陷能级、表面电势等因素对双极晶体管增益参数施加影响的机理，扶得了与实验结果相一致的模拟结果。
82.不同工艺运算放大器瞬时电离辐射效应研究
- 马强;范如玉;陈伟;林东生;杨善潮;王桂珍;龚建成;齐超
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：为了研究不同工艺集成运算放大器(集成运放)瞬时电离辐射效应规律，建立了运放瞬时电离辐射效应在线测试系统，在“强光一号”上对不同工艺类型(BJT，CMOS，PMOS-Bi，JFET-Bi)的运算放大器进行了：不同剂量率下的γ瞬时辐射效应实验，得到不同工艺运放的瞬时辐射效应波形，分析了运放扰动幅度和宽度与剂量率的关系。结果表明BiMOs运放和BJT运放瞬时电离辐射响应具有相似的规律，CMOS运放对电离辐射较敏感并且容易发生闩锁效应，实验确定了MC14573 CMOS的闩锁阈值。
83.SRAM型FPGA器件总剂量辐射效应研究
- 高博;余学峰;任迪远;李豫东;孙静;文林;崔江维;李明;卢健
- 《第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会》 | 2011年
摘要：通过软件编程，对SRAM型FPGA器件在不同模块及模块交叉实现相同功能时的辐射损伤效应进行了比较，探讨了不同模块及模块交叉实现相同功能时辐射损伤差异，确立了器件内辐射损伤敏感单元。同时，研究了SRAM型FPGA器件在不同偏置条件下的辐射损伤差异，找出了最劣偏置状态。