光电耦合器高能质子位移辐射损伤效应及其机理

摘要

本文基于191.17MeV和70MeV质子的辐照试验，开展了光电耦合器位移辐射效应研究。结果表明高能质子辐照引起电流传输比退化明显，且相同辐照条件下，70MeV质子能量辐照引起光耦电流传输比退化比191.17MeV质子能量更严重，分析了引起光耦器件参数退化的原因。