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苏亚丽; 朱胜利;
西安石油大学机械工程学院;
西安 710065;
西安交通大学软件学院;
西安 710049;
光电耦合器; 中子辐照; 位移损伤; 电流传输比; 试验研究;
机译:硅电荷耦合器件中位移损伤效应和退火的偏置依赖性评估
机译:核反应堆中子辐照对CMOS APS图像传感器的位移损伤效应
机译:优化器件时钟方案,以最小化电荷耦合器件中的辐射损伤效应
机译:自写波导在光电路器件耦合中的光焊接效应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:超短通道黑磷器件中光电热效应驱动的灵敏太赫兹检测和成像
机译:核反应堆中子辐照引起的CmOs aps图像传感器的位移损伤效应
机译:用6到10-meV中子辐照的硅中的位移损伤。
机译:光电系统和用于测量位移或距离的光电系统和方法,该光电系统和方法基于塔布特效应和非平稳光电势效应。
机译:减少光耦合器中位移电流的禁用效应的光电检测器方法
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