光电耦合器

摘要： 低压电器电寿命试验中,为防止因试品触点熔焊造成试验阻抗通电时间过长烧毁,需要采用保护电路。本文通过应用光电耦合器的一个简易电路,与控制器相结合,替代原有的继电器保护电路,实现电寿命计数和宽电压范围的应用。

摘要： HUIDA(惠达)HD-371-2型酒店用壁挂式吹风器的实绘电路如图1所示。拿下磁吸手柄后,其内部两只常开触点开关接通,220V交流电先经工频变压器T降压为AC12.5V,再通过D1整流、C8滤波、Q1(78L06)稳压成6V,供给CD4541BE、光电耦合器。同时AC220V电压经可控硅Q3供给热风组件电路,此时面板上红色发光二极管D8点亮,吹风器开始工作。

摘要： 以现行国家标准GB/T 3836.4—2021为依托,介绍了用于本质安全电路与非本质安全电路隔离的电阻、继电器、光电耦合器、变压器等电气元件要求,为设计本质安全电路提供参考。

摘要： 基于光电耦合器在工作原理、结构和封装设计上的不同于一般半导体器件的特点,研究其与单独LED、三极管等的共有特性之外的独特失效机理.在确认某型号光电耦合器失效后,通过现有技术手段,包括外观检查、X射线检查、开封镜检、非破坏键合拉力试验、扫描电镜检查及能谱成分分析等,结合理论分析,对失效器件进行全方位检查,最终确认其失效位置及失效机理,并对此失效现象做出解释,同时提出有效的改进方法.

摘要： 船舶右主机控制系统PCP面板显示轴转速故障报警,而机旁和远程控制系统转速显示仪表指示正常.针对这一现象,文章分析了该船控制系统轴转速信号测量和报警电路原理,逐步排查故障原因,最终成功修复.

摘要： 光电耦合器封装工艺是利用发光二极管与光敏半导体的复合封装及光电效应,从而实现电气绝缘光电信息传输。常见的内部结构为垂直对照式、斜对照式、水平反光式等。本文以常规对照式封装工艺设计进行研究,分析发光二极管、光敏半导体管、封装结构设计、封装点胶工艺、塑封白胶等材料与封装工艺对与光耦晶体管特性CTR的影响。

摘要： 针对光电耦合器在LLC谐振半桥拓扑结构中的应用失效问题,通过参数测试/X射线透视检查/制样镜检/机械开封/电子显微镜观察与能谱分析等手段开展失效分析,确定失效是由于光电耦合器存在批次性的工艺缺陷导致,并提出了相应的缺陷识别及工艺改进方法,为光电耦合器的可靠性增长提供了实践依据.

摘要： 光电耦合器作为单向传输与隔离器件在航空航天领域得到大量的应用.由于光电耦合器具有缺陷隐蔽特征,其在筛选时不会被激发出来,而在使用中却会被不断地激发而导致加速失效,产生类似外部环境和应力造成的失效现象.为了确定常见光耦内部缺陷的存在性/类型和相关失效机理,总结了键合点颈缩处断路或虚接/芯片粘结失效/钝化层破损3种常见的微观缺陷,分别讨论了相关的失效模式和失效机理.采用由外部到内部、由宏观到微观的存在微观缺陷的光电耦合器的失效分析方法分析了相关失效案例.分析结果表明,封装材料不匹配所导致的微观缺陷应在选材和设计阶段加以预防,芯片贴接/钝化层破损等制造缺陷应通过制造阶段的规范加以规避.这对其他存在微观缺陷的半导体器件失效分析也有一定的借鉴作用.

摘要： 光电耦合器封装工艺是利用发光二极管与光敏半导体的复合封装及光电效应,从而实现电气绝缘光电信息传输.常见的内部结构为垂直对照式、斜对照式、水平反光式等.本文以常规对照式封装工艺设计进行研究,分析发光二极管、光敏半导体管、封装结构设计、封装点胶工艺、塑封白胶等材料与封装工艺对与光耦晶体管特性CTR的影响.

摘要： 探讨光电耦合器(Optical Coupler,OC)在开关电源技术中的实际应用,并阐述了其在光电耦合器反馈和隔离电路等方面的应用特点.通过总结应用电路的组成结构,指出光电耦合器在应用过程中受到的影响因素,从而提出有效的解决措施.

摘要： 近年来，模拟器件和光电电路的单粒子瞬态效应(SET)成为国内外研究的热点。文章利用脉冲激光试验装置，分别对光电耦合器6N134和4N49进行了单粒子瞬态脉冲效应的研究。实验获取了两种光耦器件SET效应的等：效LET阈值分别为0.283MeV·cm2·mg-1和12.75MeV·cm2·mg-1,得到了两种器件的单粒子瞬态脉冲波形参数与线性能量传输(LET)的关系，并尝试测试了两种器件的SET效应截面，最后，初步探讨了其产生SET效应的机理。

摘要： 本文基于191.17MeV和70MeV质子的辐照试验，开展了光电耦合器位移辐射效应研究。结果表明高能质子辐照引起电流传输比退化明显，且相同辐照条件下，70MeV质子能量辐照引起光耦电流传输比退化比191.17MeV质子能量更严重，分析了引起光耦器件参数退化的原因。

摘要： 选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1MeV高能电子及Co60γ辐照试验，获得了1MeV电子及CoH60 γ辐照后光电耦合器4n25 CTR参数的退化与粒子的通量的关系，通过辐射对器件及材料作用过程的分析，探讨了光电耦合器位移损伤效应及电离辐射效应。

摘要： 本文针对光电耦合器中使用的发光管(LED)进行了不同的方案设计，并对相关的光电耦合器进行了钴-60γ总剂量试验研究，比较了光电耦合器的主要参数-电流传输比辐照前后的变化，从而得到了优化的发光管设计，进一步提高了光电耦合器的抗辐射性能。

摘要： 本文通过对传统的电流互感器极性测试原理、方法以及近年各地现场研发的各种新型的测试方法进行了研究,分析其存在的不足,并由此提出了一种电流互感器新的极性测试方法,具体采用光电耦合器和小功率可控硅为核心的信号处理单元,配以无线远距离遥控开关以及高空接线工具组合形成的.该测试方法通过实验室环境下和现场实际工程的实践应用验证表明,不仅有效解决了传统电流互感器极性测试耗时、费力、效率低下等弊端,而且还可以避免因工作人员攀登电流互感器构架进行试验接线时带来的高空坠落风险,有效保护工作人员人身安全.

摘要： 本文通过对传统的电流互感器极性测试原理、方法以及近年各地现场研发的各种新型的测试方法进行了研究,分析其存在的不足,并由此提出了一种电流互感器新的极性测试方法,具体采用光电耦合器和小功率可控硅为核心的信号处理单元,配以无线远距离遥控开关以及高空接线工具组合形成的.该测试方法通过实验室环境下和现场实际工程的实践应用验证表明,不仅有效解决了传统电流互感器极性测试耗时、费力、效率低下等弊端,而且还可以避免因工作人员攀登电流互感器构架进行试验接线时带来的高空坠落风险,有效保护工作人员人身安全.

摘要： 本文介绍了光电耦合器的工作原理；结合实例详细说明了在某发射装置中的DSP芯片的外设接口通过光电耦合器实现模拟信号和数字信号完全隔离，有效抑制了模拟信号和数字信号交叉应用存在的干扰问题。

摘要： 本文通过分析目前火电厂事件顺序记录(Sequence ofEvents，SOE)系统的常见问题，以目前及SOE测试仪的不足之处，研究开发了用于校验SOE系统的基于分体模式的高精度SOE测试仪。测试仪由主机和从机构成，采用C8051F121作为CPU，利用RS-485总线技术实现主从机通信，以无极性光电耦合器作为输出模块，利用彩色触摸屏实现操作控制及显示。测试仪的模拟信号有多种输出模式，校验精度高，使用方便，可满足多种SOE的测试需求，为电厂安全运行提供保障。

摘要： 在伺服控制系统中,故障检测的手段和精度是保证系统正常运行的关键,电流检测单元是其中的一个重要环节.本文提出一种应用于伺服系统故障检测的电阻型电流检测方法。该方法采用电阻和光电耦合器进行电流检测,不仅提高了系统的电流检测精度,而且系统的性价比也得以提升,为伺服系统的故障检测和实际应用提供了新方法和新思路.

摘要： 本文从光耦的基本特性出发,对光耦的传输比CTR参数的基本定义和光耦传输比CTR随温度变化等关系进行研究,结合对光耦电路的小信号建立模型,从而设计了一套典型的光耦通信电路.在不同温度条件下的测试,该设计电路均能实现正常工作.

摘要： 本发明具有一种连接到微计算机侧的发光二极管(11)，具有光接收元件(21)和推挽式电路的IGBT门控制部分(20)，以及控制交变电流的双路开关部分(30)。双路开关部分(30)包括第一IGBT(31)和第二IGBT(32)，它们的发射极相互连接，并且它们的删极连接到推挽式电路的输出，以及第一FRD(33)和第二FRD(34)，它们的阳极相互连接。第一IGBT(31)的集电极连接到第一FRD(33)的阴极，而第二IGBT(32)的集电极连接到第二FRD(34)的阴极。在输出侧的交变电流的导通/截止控制是通过连接第一IGBT(31)和第二IGBT(32)的发射极的连接点与第一FRD(33)和第二FRD(34)的阳极连接点之间的信号线来控制的。

摘要： 本发明涉及一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该引线框架包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结，生产效率高，节省能耗，减少引线框架材料，无需对引线框架对位、定位，工艺难度明显降低，光电耦合器的结构更简单，生产成本更低。

摘要： 本发明提出了一种软包封光电耦合器方法及软包封光电耦合器，涉及光电耦合器领域。该方法包括制作管壳作为承载体用于两芯片装配并耦合；粘片，使用导电胶将两芯片粘接于管壳的对应预设位置；键合，通过金丝焊接工艺使两芯片形成电连接；在两芯片之间涂导光胶形成光传输介质；使用绝缘胶包裹住芯片和键合丝防止光线泄露。本技术申请在管壳内装配并耦合，管壳可以是在微型陶瓷，通过标准的混合装配工艺完成，采用绝缘胶粘接来实现光耦固定，金丝焊接来完成电连接，实现了布局的最大灵活性，有效的规避了塑料光耦焊接污染电路基板及其他芯片。

摘要： 本发明公开的一种用于光电耦合器的引线框架及其光电耦合器，包括多个矩阵排列的引线框架单元；两排相邻的引线框架单元之间设有用于两排之间分隔的横筋，两排相邻引线框架单元所对应的管脚并列排布；每个引线框架单元包括第一芯片粘结部、第二芯片粘结部、第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，第一芯片粘结部用于安装红外光发射芯片，第二芯片粘结部用于安装红外光接收芯片，红外光发射芯片和红外光接收芯片位于同一片引线框架上用于形成多个封装体；该光电耦合器采用单片左右对射模式，通过空间布局及芯片尺寸优化，适于贴片式357光电耦合器，引线框架厚度0.2mm，具有体积小、节省原材料，方便自动化作业，工作效率和安规数值点高。

摘要： 本发明公开了一种支架、长爬电光电耦合器的制作方法和长爬电光电耦合器，所述支架应用于制作长爬电光电耦合器，包括第一子支架和第二子支架，其中第一子支架包括多列第一框架，每列第一框架的两侧包括多个具有相等间距排列的第一引脚，每列第一框架的两侧中的第一侧的第一引脚与第二侧的第一引脚交错排列；第二子支架包括多列第二框架，每列第二框架的两侧包括多个具有相等间距排列的第二引脚，每列第二框架的两侧中的第一侧的第二引脚与第二侧的第二引脚交错排列，并且第二框架和第一框架的相同侧的第二引脚与第一引脚相对应。本发明提供的实施例能够实现长爬电光电耦合器的密集化生产，提高了产出效率，降低了生产成本。

摘要： 本发明涉及一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该引线框架包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结，生产效率高，节省能耗，减少引线框架材料，无需对引线框架对位、定位，工艺难度明显降低，光电耦合器的结构更简单，生产成本更低。

摘要： 本实用新型提供一种用于线性光电耦合器的封装外壳以及线性光电耦合器。封装外壳包括能够形成耦合腔的壳体、可调节的内盖板以及壳盖，壳体设置有多个引脚；内盖板能够可选择地固定于所述耦合腔内的不同位置；耦合腔内具有至少两个安装区，分别设置于所述内盖板表面和所述耦合腔底部；安装区导电并用于安装耦合器件；耦合器件包括光耦合的发光元件和受光元件，能够可选择地设置于所述安装区的不同位置。线性光电耦合器包括上述外壳及耦合器件。具有清晰直观，便于操作定位的特点。该光电耦合器能够在生产过程中可以通过调节两个受光元件接收的光通量，进而实现对传输增益的调节，而获得所期望性能指标的合格产品。

摘要： 本实用新型提供了一种光电耦合器的发射端和光电耦合器，包括发射支架、固晶胶层、发射芯片、焊线和硅胶层，发射支架设置有相互分隔的第一基岛和第二基岛，第一基岛上设置有固晶区域，固晶区域为凹槽，第二基岛上设置有焊接区域；固晶胶层涂设于凹槽的槽底；发射芯片通过固晶胶层固定于凹槽内；焊线的一端连接至发射芯片，另一端连接至焊接区域；硅胶层包裹凹槽、固晶胶层和发射芯片。在发射支架上设置一个凹槽，利用液体硅胶往下流的特性，令偏置的硅胶往凹槽方向流以凹槽为中心形成一个半球面以完整包裹着发射芯片。另外，还能够减少硅胶用量，降低成本，提升效益。

摘要： 本实用新型公开了一种光电耦合器引线框架以及光电耦合器，包括引线框架本体和引脚线，所述引线框架本体的两侧对称等距开设有存放凹槽，所述存放凹槽的内部一侧焊接有焊接连接头，所述引线框架本体的内部对称穿设有引脚线，且引脚线上通过卡接头与焊接连接头点焊连接。本实用新型，在引线框架本体的两侧对称开设有存放凹槽，在存放凹槽的内部通过焊接连接头与引脚线上的卡接头点焊连接，并且在引线框架本体的顶部通过卡扣卡合有密封保护盖，该种结构，可使得引线框架本体内部连接装置方便进行拆卸，当某个引脚线发生损伤时，将其进行更换即可，无需更换整个光电耦合器。

摘要： 本实用新型涉及一种光电耦合器引线框架及光电耦合器，该引线框架包括有多个矩阵排列的引线框架单元，每个引线框架单元包括分别用于安装红外光发射芯片和红外光接收芯片的可折弯相对的第一芯片粘结部和第二芯片粘结部，以及第一固晶焊线部和第二固晶焊线部，且第一芯片粘结部和第一固晶焊线部分别与正极引脚和负极引脚连接，第二芯片粘结部和第二固晶焊线部分别与集电极引脚和发射极引脚连接。这样，在采用本单片引线框架加工成光电耦合器过程中，固晶时可同时用一台设备完成红外光发射芯片和红外光接收芯片的粘结，生产效率高，节省能耗，减少引线框架材料，无需对引线框架对位、定位，工艺难度明显降低，光电耦合器的结构更简单，生产成本更低。