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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

召开年：2007
召开地：重庆
出版时间： 2007-06

主办单位：中国核学会

会议文集：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文汇编

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1.高聚物在高能电子辐照后内部空间电荷分布特性研究
- 柳青;秦晓刚;李凯;刘晓东;郑晓泉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：电介质材料被广泛的应用到各种辐射环境下,当它们受到辐射时,不仅会在其内部和表面积累电荷并引起放电现象,而且辐射会导致介质物理和化学结构发生不可逆变化。本文采用自行研制的可用以在真空电子束辐射环境下进行空间电荷测量的脉冲电声法测量系统,离线测量并分析了在大气环境下,经不同能量高能电子束辐照后几种介质材料内部空间电荷分布特性。
2.ILU-6电子加速器束流密度测量系统
- 王骥;秦晓刚;孔风连;马亚莉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：针对ILU-6电子加速器研制了一种法拉第筒脉冲电子束流测量测量系统,该系统由法拉第筒、高阻计、示波器和计算机组成。从加速器束流对法拉第筒测试系统的探测效率和频率两方面要求考虑,基于理论分析,采用斜面收集方式极大改善了收集效率;利用双层屏蔽结构有效降低了长距离信号传输、强环境噪声对弱束流测量的影响,该方法可适用于更低数量级弱束流的测量。最后对加速器束流密度测量的不确定度进行了分析。
3.一种新型的大功率皮秒半导体开关─快速离化器件
- 刘忠山;赵彤;崔占东;杨勇
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了一种基于等离子体离化波理论而设计的新型的固态半导体开关器件──快速离化器件(Fast Ionization Devices简称FID),简要描述了FID器件的工作原理;介绍了FID器件的简单应用电路。FID器件导通时间<1ns;工作电压高达5kV;工作电流高达10kA;抖动<20ps;dl/dt超过100kA/μs;重复频率400kHz;导通触发脉冲同步产生,工作特性高度稳定;体积小、重量轻;可用于电磁脉冲效应和加固技术研究。
- FID;
- 半导体开关;
- 离化波;
- 快速离化;
- DSRD;
- 超宽带;
- 皮秒;
4.抗辐射加固元器件验收方法研究
- 余彦胤;王旭利
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：抗辐射加固元器件的验收方法主要包括抽样方案和统计分布检验方法.本文应用抗辐射加固元器件的辐照试验数据,针对几种抽样方案和统计分布检验方法进行了相关的说明和验证。最终研究结果为制定《抗辐射加固集成电路验收规范》国军标提供了重要技术基础。
5.模拟源及贮源箱设计研究
- 钟华铭
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：利用蒙特卡罗方法,根据综合环境舱自发辐射环境试验所需中子、γ射线辐射环境,计算了模拟辐射源强度,提出了辐射模拟源理论设计方案。在此基础上,根据辐射防护安全的国家相关标准提出了贮源箱设计要求,并完成了贮源箱设计及试验验证.
6.2.5MV快前沿脉冲功率源设计
- 何小平;毛从光;周辉;邱爱慈;蒯斌;陈维青;汤俊萍;贾伟;王海洋;邹丽丽;薛斌杰;徐燕
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：1996年IEC颁布了HEMP波形的最新标准，即波形为前沿1.8－2.8ns，半高宽为18－28ns的双指数波形。本文简介了HEMP模拟器2.5MV快前沿脉冲源1:1样机的设计以及关键部件的研制情况。
7.纳秒级电压电流探头高压快沿方波标定系统
- 曾正中;马连英
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：介绍了一种基于高压快沿方波源的纳秒级电压、电流探头标定系统,其中馈入探头的脉冲前沿小于2ns,电压幅值可达10kV,电流幅值可达200A,脉冲宽度可选为几十到百ns量级(例如40ns或150ns).设计配备了将快沿方波脉冲电压、电流分别馈送给纳秒级分压器、线圈的新型馈送装置.整个系统无需油、水、气等高压绝缘介质,使用、维护、移动便利。
8.RS-422传输接口电磁脉冲损伤效应加固研究
- 曹雷团;刘冰;赵慧勐
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：电磁脉冲对通信系统的前门耦合危害最大,其损伤方式与外场脉冲波形、能量和感应电流的波形、能量等诸多因素有关.本文介绍了计算机所用典型RS-422通信传输接口电路在HEMP、HPM、UWB辐射场下的损伤试验,对计算机对外通信系统的耦合和损伤方式进行探讨,为提高系统的抗电磁脉冲设计提供技术借鉴。
9.特种电磁材料对高功率微波屏蔽效能的试验研究
- 杨杰;陈彬;李跃波;刘峰;潘征
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文就某特种电磁材料对高功率微波的屏蔽性能进行了试验研究,试验结果表明:经专门设计的测试样片和屏蔽室模型,当测试窗样片厚度(屏蔽室模型壁厚)大于30mm时,对窄带高功率微波的屏蔽效能可达到80dB以上,对超宽带高功率微波的屏蔽效能可达到50dB以上.
10.锥形腔体内电磁脉冲计算
- 黄聪顺;许献国;周启明
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文基于锥形结构用时域有限差分法对伽马射线产生的系统内电磁脉冲进行数值模拟,计算了被金属边界分隔成的几个空腔室的轴向电场和径向电场,为研究电子系统的抗γ-IEMP能力提供参考。
11.电子设备电磁脉冲失效概率分布试验方法
- 邓建红;李小伟;周开明
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文针对电子设备电磁脉冲评估提出了在不同耦合时间通过步进调节耦合强度获取设备失效概率,从而获得在整个工作过程失效概率分布的方法.提出了在电磁脉冲模拟器、TEM小室及实验室注入获取失效概率的试验方法构想。
12.与有耗介质空间完全匹配的单轴各向异性介质完全匹配层吸收边界条件
- 刘顺坤;陈向跃;周辉;陈雨生
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：针对Gedney's PML无法用于有耗各向同性计算域的截断及其对凋落波的衰减不理想等问题,提出了一种扩展方法.扩展的Gedney'sPML的主要思想是在Gedney's PML中引入单轴各向异性的复介电常数和复磁导率,并给张量介电常数、张量磁导率增加衰减因子.数值结果证明了扩展的Gedney's PML在处理有耗介质计算域截断问题中的有效性。
13.高空核爆电磁脉冲波形的一个新表述形式
- 谢彦召
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：高空核爆电磁脉冲波形的双指数函数表述形式,在波形起始时刻,其一阶导数不为零,有突变,不符合实际物理规律。为解决该问题而提出的双指数函数倒数表述形式,又需要根据不同的电磁脉冲标准定义相应的时移参数.本文研究的p-幂次双指数函数表述形式,其方程表述形式可积、可微,在波形起始时刻,导数为零,解决了双指数函数表述形式在该时刻导数不为零的问题,且不需设定时移参数.基于幂次双指数函数表述形式,拟合给出了目前国际上常见的几种高空核爆电磁脉冲波形标准对应的表述参数,可供电磁脉冲理论计算时参考。
14.电子设备承载车辆的抗电磁脉冲加固技术
- 陶灵姣;吕承立;蔡市林;张亮
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：强电磁脉冲能量会通过车体辐射、管线传导及孔缝耦合等多种方式传导到电子设备承载车辆内部,对承载的电子设备和电气设备产生干扰和毁伤.本文分析了电磁脉冲对电子设备承载车辆的耦合过程,针对具体应用情况开展了抗电磁脉冲加固技术研究,为电子设备抗EMP设计提供了理论基础和实践经验.
15.PDSOI 8位MCU瞬态试验检测程序设计
- 赵发展;郭天雷;蔡小五;刘刚;海潮和;杨善潮;李瑞宾;林东生
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：为配合中国科学院微电子研究所的PDSOI 8位MCU J80C51RH瞬态辐照实验,开发了一套检测内部数据存储器(RAM)的汇编程序和记录分析结果的Labview程序。通过这套程序可以对MCU内部RAM初始化,循环读取RAM中的内容并与初始值进行比较,自动找出翻转单元。记录、分析错误地址与信息.这两套测试软件在西北核技术研究所强光一号的瞬态实验上进行了验证,该芯片工作稳定。同时,也证明了中科院微电子研究所MCU-J80C51RH能够在剂量率为1×1O<'11>rad(Si)/s的瞬态辐照环境下工作.
16.1MeV中子辐照对微波SiGe HBT器件特征参数影响的数值模拟
- 王祖军;刘敏波;唐本奇;刘书焕;陈伟;周辉;李达;黄绍艳;肖志刚;张勇
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：分析了SiGe HBT器件中子辐照效应机理,运用MEDICI软件,对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律.
17.掺铒光纤放大器(EDFA)的空间辐射效应分析研究
- 杨生胜;王健;冯展祖;王云飞
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：掺铒光纤放大器(EDFA)是光通信系统中重要的组件,本文通过对掺铒光纤放大器(EDFA)的组成及其工作原理的介绍,分析了掺铒光纤放大器(EDFA)在空间应用中可能的辐射效应,为进一步进行试验研究奠定了基础.
18.空间电荷测量技术在卫星内带电分析中的应用
- 马亚莉;王立;秦晓刚;杨生胜;郑晓泉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：深层介质带电是引起卫星运行异常的重要原因.作为卫星内带电分析研究的最有效手段之一,自20世纪70年代后,空间电荷测量技术得到不断发展和完善,测量分辨率达1μm量级。电荷分布曲线得到的信息使我们对介质中带电现象的理解得到了极大提高.本文介绍其在卫星内带电分析中的应用及其发展趋势.
19.高能中子在硅材料中电离效应的模拟研究
- 牟维兵;徐曦
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：为了研究高能中子在硅材料中产生电离效应的情况,采用蒙卡方法研究了14Mev核爆高能中子和电子器件内部半导体硅材料的作用机理,由此得到了高能中子在硅材料中产生次级粒子的电离能损和空间分布,并获得了电离效应总截面。高能中子的电离效应研究结论,为单片机的高能中子单粒子效应的解释提供了有力的依据。
20.建立元器件辐射效应仿真模型的方法研究
- 杜川华
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：器件建模是进行系统或组件仿真的基础.本文对在辐射环境下的元器件仿真模型的两种建立方法进行了描述,一种是建立在器件物理原理基础上的SPICE模型,另一种是根据输入、输出外特性来构成的模型,并分别举例说明.
21.卫星用典型器件在空间辐射环境中屏蔽技术研究
- 吾勤之;王晨;蔡楠;卫新国;陈晓强;宋卫
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：对28C256 E<'2>PROM和A1280 FPGA器件在1.5MeV电子束辐照效应进行了试验研究.通过对试验器件在不同厚度的材料屏蔽下1.5MeV电子束辐照的试验分析,得到了一些有价值的结果,实践证明屏蔽材料对抑制空间辐射环境中电子引起MOS器件电离辐射效应是有效的。
22.核爆X射线引起的大气电离计算
- 王同权;李宏杰;路伟;贾学卿;魏晓东
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：根据核爆炸发射的X射线能谱特性,编制程序计算得到了X射线在大气中的质量衰减系数和质量吸收系数,其中涉及的光电效应、康普顿散射、电子对等作用截面数据来自于EPDL截面数据库.核爆炸X射线能谱采用黑体谱近似,大气密度随高度的变化采用指数形式,然后根据计算得到X射线的能量沉积转换为大气电离密度。最后计算结果给出了不同当量、不同高度核爆炸引起的大气电离空间变化规律,为相关的研究提供参考。
23.某型炸药的辐照试验裕度法研究
- 周美林;郑海广;黄龙剑
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：研究了炸药的中子、γ射线试验裕度法原理,统计分析方法,抗中子、γ射线辐射能力分析评估方法,并根据某型炸药的中子、γ射线辐照试验结果数据,分析评估了其抗中子、γ射线辐射能力。
24.复合涂层长期贮存寿命与可靠性评估
- 赵洪超;徐曦;詹峻岭;李长久;杨冠军
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对多种材料的复合涂层进行了自然老化实验和高温氧化、湿热、震动、高低温循环等加速老化实验研究,在此基础上对复合涂层长期贮存寿命与可靠性进行了评估,得到了该复合涂层贮存10年后结合强度保持在3.5MPa以上的可靠性大于99.7％的评估结论。
25.EMP试验电场测量不确定度分析
- 翟爱斌;聂鑫;刘顺坤;孙蓓云
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文首先介绍了不确定度的相关概念和评定方法。然后以EMP试验电场测量为例,详细叙述了不确定度的各个分量及其评定方法。分析结果既可以作为EMP试验电场测量结果不确定度评定的依据,也可以为其它参数测量的不确定度评定提供参考。最后,讨论了本文未能给出的影响EMP试验电场测量不确定度的因素。
26.星用电子元器件辐射可靠性研究
- 杨钧
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：抗辐射加固设计是可靠性设计的重要内容之一,本文首先提出了抗辐射加固总体优化设计的技术途径,然后引入"辐射可靠性"的概念,阐述了辐射可靠性与器件抗辐射性能之间的量化关系,在此基础上提出了器件抗辐射性能指标分配方法,为设计师的抗辐射加固优化设计工作提供了初步的技术依据。
27.2K SRAM激光微束单粒子效应实验研究
- 罗尹虹;薛玉雄;杨世宇;陆虹;郭红霞;周辉;陈伟;姚志斌;张凤祁;何宝平;王园明;曹州
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：结合器件版图,通过对2k SRAM存储单元和外围电路进行单粒子效应激光微束辐照,获得了SRAM器件的单粒子翻转敏感区域,测定了不同敏感区域单粒子翻转的激光能量阈值和等效LET阈值,并对SRAM器件的单粒子闭锁敏感度进行了测试。结果表明,存储单元中截止N管漏区、截至P管漏区、对应门控管漏区是单粒子翻转的敏感区域;实验中没有测到该器件发生单粒子闭锁现象,表明通过采用外延工艺以及源漏接触、版图布局调整等设计对于器件抗单粒子闭锁加固是十分有效的。
28.单粒子锁定及防护技术研究
- 杨世宇;曹洲;薛玉雄
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究.在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。
29.CMOS集成电路抗单粒子加固技术
- 姜立娟;许仲德
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文阐述了单粒子效应的分类,给出了一种CMOS集成电路的单粒子加固设计技术,试验方法、测试程序、及其试验结果。试验表明该电路的抗单粒子LET>58.3MeV/mg/cm<'2>.
30.LM741的低剂量率增强效应研究
- 牟维兵;徐曦
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：通过对单运放LM741进行30rad/s、10rad/s和0.1rad/s四种剂量率的γ辐照试验,研究其敏感参数变化和辐照剂量率的关系。研究结果表明,单运放开环增益随辐照剂量的增加而减小,和辐照剂量率的变化不大,在0.1rad/s剂量率辐照下的变化最显著。
31.典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究
- 崔帅;曹雷团;张力;牛振红;刘洪艳;李志峰;薛莲
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持。
32.高性能电源芯片瞬时辐射效应初探
- 崔帅;张雪;刘洪艳;刘生东;曹雷团;牛振红;张力
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。
33.中子、γ混合场中电子器件承受辐射剂量的计算与测量
- 郭春营;罗永锋;段占元;林源根;吴成迈
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文利用蒙特卡罗方法计算了系统自身辐射源引起的其电子器件承受的γ剂量率、中子注量率,计算了系统内外空间的γ照射量、中子注量,并利用<'6>LiF、<'7>LiF热释光剂量计的"成对"使用,对系统外表面及外部空间处的γ照射量、中子剂量进行了实验测量,对比分析理论计算与实验测量结果,二者吻合较好。
34.硅微加速度计梳指结构的辐射效应分析
- 郑英彬;许献国;高杨
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：电离辐射在硅微加速度计梳指结构的绝缘层中产生俘获电荷,使微加速度计的输出产生漂移,这种辐射效应可以用梳指结构中的附加静电力来表示.研究用通用有限元软件ANSYS计算附加静电力的方法,并且进行了仿真分析,根据计算结果,对比分析两种硅微加速度计的辐射效应,研究绝缘层与敏感单元间距对附加静电力的影响.
35.INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较
- 詹峻岭;赵刚;徐曦;赵汝清
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在5.88Χ10<'3>Gy(Si)以上,远远高于INTEL的产品,而抗瞬时电离辐射的能力则相差不大.">本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和<'60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在5.88Χ10<'3>Gy(Si)以上,远远高于INTEL的产品,而抗瞬时电离辐射的能力则相差不大.
36.不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究
- 曹雷团;崔帅;牛振红;李志峰;张力
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应。
37.偏置条件对硅NPN晶体管伽马辐照效应的影响
- 程兴华;王健安;杨晨;郭丰;刘伦才;蒲林;龚敏;石瑞英
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻。文章对空间电荷模型进行了修正,并结合边缘电场模型讨论了产生这种实验现象的物理机理。
38.砷化镓集成电路辐照试验研究
- 田国平;王文君;朱思成;白元亮
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可靠的试验结果,改进电路的制作方法,提高电路的抗辐射能力的基础上,对3BitGaAs加权相加电路进行了全面的抗辐射技术研究,从该电路设计到工艺制造和测试整个过程,进行了全面的抗辐射技术研究.本文主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,试验结果表明,该电路除了抗中子、γ总剂量外,还有较好的抗γ剂量率的能力。
39.抗辐射VDMOS的研制
- 刘存生;吴娟
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂量能力的因素,通过抗辐射设计和工艺加固,使得VDMOS器件的抗γ总剂量辐射能力达到3E5rad(Si)。
40.一种星用抗辐射加固电源调制器的研制
- 孟华群;羊庆玲
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了一种星用抗辐射加固电源调制器,主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃-125℃全温范围内,输出延迟及上升时间≤150ns,输出延迟及下降时间≤150ns,输出高电平-0.68V～-0.72V,输出低电平≤-4.0V,抗总剂量指标达到1X10<'5>rad(Si)。
41.一种星用低功耗多功能低压差电压调整器的研制
- 胡永贵;王健安;刘勇
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了一种低功耗多功能低压差电压调整器的研制。在电路设计上,采用JFET启动电路,结合微功耗带隙基准源、偏置电路、SET比较器,实现固定+5V、可调输出的功能。在工艺上采用基于LC2MOS的加固工艺,做出的多功能电压调整器,具有:300mA下压差小于60mV,空载下静态电流小于25μA,抗总剂量加固达到1×105rad(Si)以上。
42.不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应
- 张华林;陆妩;任迪远;余学峰;郭旗
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS管的阈电压都出现负漂,且随辐照总剂量的增加而增大;在相同的总剂量时,PMOS管的低剂量率辐照时的阈电压漂移更显著,而NMOS管的则正好相反。
43.热载子注入和总剂量辐射复合条件下的MOS结构损伤
- 余学峰;任迪远;陆妩;郭旗;范隆;艾尔肯
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对A1/SiO<,2>/Si系统MOS电容分别在总剂量辐照和热载子注入下的损伤和电参数响应特性进行了比较,并通过对MOS结构进行不同顺序的热载子注入和总剂量辐照复合损伤试验,探讨了热载子损伤和电离辐射损伤的相互作用关系及其对电参数的影响,取得了有意义的结果和结论。
44.抗辐射128K PDS0I静态随机存储器
- 赵凯;刘忠立;于芳;高见头;肖志强;洪根深
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10<'11>rad(Si)/s。本文重点介绍该抗辐射SRAM在加固方面的设计方法,并给出其封装后的电学及辐照测试结果。
45.优良的抗辐射非易失存储器─S0I基的MRAM
- 刘忠立
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍巨磁阻效应的机理及同CMOS集成构成MRAM的工作原理,在指出MRAM同各种半导体存储器相比具有一系列优点的同时,给出优良的抗辐射非易失存储器-SOI基MRAM的构想。
46.商用晶体振荡器中子辐照特性研究
- 杨有莉;贾温海
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文简要地介绍了系统用压电石英晶体振荡器中子辐照试验原理、方法和主要结果。重点给出了不同生产厂生产的同批次器件抗中子辐射的能力。结果表明:所选不同生产厂生产的商用器件抗中子辐射能力均大于5×10<'13>n/cm<'2>,一般来说能满足具有中等中子辐射加固要求电子系统的抗辐射要求。
47.关于开展CFBR-II堆中子辐照损伤等效性研究工作的初步设想
- 邹德慧;邱东;赖万昌
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：为满足新形势下抗辐射加固技术研究需要,针对早期研究工作中存在的不足和CFBR-Ⅱ堆的现状,提出了进一步开展CFBR-Ⅱ堆中子辐射损伤等效研究工作的初步设想,主要包括研究内容、研究目标、拟采取的理论和实验研究方法等,文章最后对影响研究结果的诸因素进行了分析,可为今后实际工作所借鉴。
48.空间辐射环境及效应对航天器总体设计的影响
- 蔡震波
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：航天器在轨运行期间不可避免地遭遇空间带电粒子辐射环境,可使航天器用电子元器件和材料性能发生衰退或漂移,进而影响航天器的效能发挥甚至威胁卫星在轨安全。航天器总体设计中,必须综合并充分考虑空间辐射环境对航天器总体的各方面影响,以保证航天器的总体设计具有足够的空间辐射环境适应性。本文针对航天器总体所涉及的轨道选择、电总体、构形、总体布局、电子元器件和材料选用与订货、飞行程序、在轨管理等多个层次,定性讨论了这些典型的总体设计环节上可能受到空间辐射环境及效应影响的可能性及影响形式。
49.电磁脉冲模拟试验技术发展分析
- 周辉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文论述了电磁脉冲环境与模拟试验要求、电磁脉冲模拟设备建设和环境生成、模拟试验的标准化和规范化、电磁脉冲环境和效应参数测量系统、电磁脉冲效应理论分析和数值模拟技术以及不确定性来源分析。
50.高能电子辐照下的介质材料内放电特性
- 秦晓刚;孔风连;李凯;王骥
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：内带电效应是诱发卫星运行故障和异常的重要因素之一,通过将2块印刷电路板样品置于1MeV,54PA/cm<'2>的高能电子辐射环境中,监测了其放电电磁脉冲,并分析了放电特性。
51.航天器充电电位主动控制技术
- 李凯;秦晓刚;杨生胜;柳青;马亚丽;王冀;孔凤连
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：航天器充电电位主动控制技术对于监测和抑制航天器在轨表面充电异常,提高航天器可靠性以及保障航天器在战时空间环境中的安全运行具有重要意义。本文主要介绍了航天器充电电位主动控制技术的发展,简单总结了在自然等离子体环境,深空科学探测以及空间攻防中等离子体发射装置控制航天器充电电位的应用情况。同时,简要总结了等离子体发射装置的关键技术。
52.电子加速器及其在空间辐射效应评估中的应用
- 冯展祖;王云飞;杨生胜
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：简要介绍了兰州五一〇研究所从俄罗斯引进的一台能量范围在O.8～2.5McV,束流1～20mA的脉冲直线电子加速器ILU-6的工作原理及性能参数,以及ILU-6加速器在空间材料、器件和电子设备的辐射效应测试评估研究中的应用。
53.硅光导开关器件及其超快方波脉冲发生器
- 刘忠山;崔占东;赵彤;何黎辉;杨勇;马红梅
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：光导开关因其具有传统脉冲器件所不具有的优良特性,在微波产生和控制、微波辐射和接收、微波通讯及冲激雷达等技术领域具有广阔的应用前景。利用光电导开关可以直接从直流电源产生皮秒微波脉冲。本文首先介绍了光导开关的结构和工作模式,然后叙述了利用硅光导开关产生超快电脉冲方波技术;可用于电磁脉冲效应和加固技术研究。
54.基于FPGA的同步机研制技术
- 鲁艺
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了基于现场可编程门阵列(FPGA)的同步机研制技术。该同步机以FPGA为核心,与集成电路、晶体管分立元件相结合,实现对输入脉冲触发转换、脉冲成型以及驱动输出.经过实验验证与参数测试,证明基于FPGA设计的同步机具有较高的可靠性与工作稳定性,满足物理实验的要求。
55.适用于强电磁辐射环境中的低噪声超宽带光纤传输系统
- 谢泽元;周开明
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：低噪声、超宽带光纤传输系统由前端的电光转换和后端的光电转换构成。其中电光转换由自动功率控制、自动温度控制和激光器的电流调制组成。该系统的噪声电平峰-峰值小于2mV,带宽在1000MHz左右,输入输出动态范围大于1V正负脉冲信号,能在常温到65℃的环境温度下正常工作。
56.浅析水电阻分压器制作工艺
- 贾伟;蒯斌;陈维青;曾江涛;彭建昌
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：文中分析了水电阻分压器制备过程中经常遇到的一些问题,如电极材料及溶液的选取、水电阻的密封、分压器高压臂、低压臂结构设计等,并针对具体问题给出了较为适用的解决方案,对于水电阻分压器的制作具有一定的参考价者。
57.针对GaAs HBT电路电磁辐射毁伤与分析
- 李用兵;王长河;周军
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：通信系统经常受到外异电磁脉冲的干扰和冲击。接收通道前端高频组件更易受到瞬时尖峰脉冲烧毁，尤其是GaAs徽波低噪声器件是其中最薄弱环节，GaAs徽波低噪声器件损坏之后，就会造成整机接收端失效。本文介绍了一种GaAs HBT电路在全载波和脉冲串前门注入毁伤实验中的毁伤模式与机理。
58.采用时域滤波技术的土壤阻抗模型估算方法
- 周颖慧;石立华;王友军
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：利用传输线方程分析电磁脉冲的耦合问题时,传输线方程时域求解中需要计算土壤阻抗与电流项的卷积、土壤导纳与电压项的卷积,这一计算较为复杂,为此提出了一种运用数字滤波技术的处理方法.介绍了该方法的基本原理和试用结果.所采用的滤波器直接由时域波形设计,可实现任意复杂功能.应用结果表明该方法对于土壤阻抗电导率在(10<'-2>～10<'-4>)S/m的情况均适用.建模结果为三阶系统、六个参数,便于使用并大大减小了运算量。
59.监控系统数据采集模块电磁脉冲传导敏感度试验与分析
- 俞阳;万浩江;石立华;王双庆
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了一种监控系统数据采集模块电磁脉冲传导敏感度试验研究结果。为考察不同上升前沿时间电磁脉冲对受试系统传导骚扰效应,设计了对比试验,所使用的电磁脉冲上升时间分别为3ns、10ns左右,脉冲信号通过容性耦合夹耦合注入到受试设备的敏感端口.通过大量实验得到了不同电压等级条件下受试设备的干扰失效率,经数值拟合得到相应曲线,最后总结了电磁脉冲传导骚扰对设备影响的一些规律。
60.快前沿电磁脉冲(FREMP)对单管损伤效应的实验研究
- 罗学金;曹占峰
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：我们研究快前沿电磁脉冲(FREMP)对武器系统电子元器件的损伤效应和系统耦合效应,由于实验空间和实验的对象的选择问题,这里重点介绍单管静态注入实验方法,并给出了不同脉冲宽度下单管3DGIIIF的损伤阈值,对其损伤机理进行了初步分析,试验结果认为FREMP对高频三极管3DGIIIF的损伤机理主要是PN结的结表面击穿和氧化层击穿.
61.U盘存储器电磁脉冲效应
- 许献国
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：文章介绍了一种具播放功能的U盘存储器的电磁脉冲效应试验,试验是在PTEM-180电磁脉冲模拟器上完成的。获得的U盘存储器的电磁脉冲效应数据表明,存储器主体能够在50kV/m的电磁脉冲场强下正常工作.当外接耳机线时,处播放状态的U盘受50kV/m电磁脉冲照射时异常关机;重新启动,存储器恢复正常工作.两种状态下,U盘上存储的TXT文件内容均无变化。
62.频域法与时域法屏蔽效能测试技术与试验结果的比较和分析
- 吴宏志
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文在比较电磁屏蔽体屏蔽效能频域法和时域法测试技术的基础上,分析总结了这两种测试方法在试验技术、测量方法、判定标准方面的差异,以及对两种不同测试方法试验结果的分析和比较.同时指出根据试验目的正确选择频域法或时域法进行屏蔽效能测试。
63.散射体对辐射波电场环境的影响
- 陈向跃;孙蓓云;刘顺坤;相辉;翟爱斌;韩军
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文定性分析了散射体的存在对辐射波电磁脉冲模拟器环境场的影响,结合实验的测量数据,给出了散射体对环境场的影响结果。为减小散射体对环境场监测点的干扰,保证监测点测量数据的准确,对实验中监测点位置的选取提出了建议。
64.IEC高能电磁标准
- 潘虎
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文简要介绍IEC有关高能电磁学方面的标准,包括有关HEMP的标准14部,关于HPEM的标准3部,其中2000年前发布的标准已在较早的的文章中作过介绍,为了完整性将其简单的列在本文中.
65.采光窗电磁防护加固技术研究
- 王江枫;盛秀成;杜新瑜
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了地面设备电磁防护加固技术研究中,电磁防护加固后的屏蔽采光窗成功满足了透光等需求,并在低成本、高限制条件下达到了宽频段电磁防护技术指标要求.
66.应用截面偏倚方法和Geant4模拟低能中子在微波SiGe HBT器件中的能量沉积
- 刘书焕;刘喃喃;李达;王祖军;江新标;朱广宁;周辉;李君利;邵贝贝
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径迹及微剂量谱;分析了中子辐射损伤特点。
67.PIC方法在空间太阳阵表面充电数值模拟中的应用
- 李凯;王立;买胜利;秦晓刚;柳青
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：单元粒子(PIC)数值模拟方法是一种以动态等离子体模型为基础的功能强大的数值计算方法.本文简要介绍了PIC单元粒子数值分析方法的基本原理和算法,开展了PIC方法在空间太阳阵表面充电过程数值模拟中的应用研究,并通过地面模拟试验验证了PIC数值模拟仿真方法的合理性和正确性.
68.Geant4空间辐射效应模拟
- 路伟;王同权
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：Geant4是由欧洲核子中心(CERN)主导开发的一个蒙特卡罗程序包。Geant4可以详细模拟高能粒子在材料中的输运,应用范围主要包括高能物理、核试验、医学、加速器技术、物理器件的防护和进行空间物理实验等<'1>.本文介绍了基于Windows XP Sp2和MSVC++Express Edition平台下Geant4运行环境<'2>、Geant4程序的内核结构及功能.以空间辐射效应模拟为研究内容,本文给出了空间辐射粒子在不同屏蔽材料中的射程、阻止本领曲线和能量沉积。
69.电路仿真在单片机系统抗闭锁加固技术中的应用
- 赵刚;许献国;赵洪超
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了ORCAD/PSPICE仿真软件在80C196KC20单片机系统LRC抗闭锁加固技术中的应用.该仿真软件在此项目中的应用表明:在抗辐射加固研究中引入仿真技术,不仅可以节约时间,降低成本,还提高我们的研究水平.
70.VLSI辐射效应试验测试问题
- 崔帅;杨善潮;李斌;牛振红;李瑞宾;郭晓强
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：针对近年来,系统进行的辐射效应试验情况,探讨试验中如何选择试验敏感参数问题,并提出相应的改进措施。
71.星用抗总剂量涂层的电子辐照试验方法研究
- 李强;信太林
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对我们研制的卫星用抗总剂量涂层材料对电子屏蔽的能力进行了理论计算和辐照试验的比对验证,分析了理论计算值和试验值之间存在差距的原因,从而使试验和理论计算平台得到了相互校验,并使抗辐射加固涂层对电子的屏蔽能力通过了验证。
72.低地球轨道的中子环境
- 朱文明
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：在LEO的宇航员和电子设备暴露在地球磁捕获辐射,太阳粒子辐射,银河宇宙辐射的空间辐射环境中,大气中的初级中子是由银河宇宙线和太阳宇宙线与地球大气相互作用而产生的,它们可消失于大气中,也可逃逸出大气层,称为反照中子,它的衰变是辐射带高能质子的主要来源。任何一个飞船的内部辐射环境,是由从飞船外部穿过飞船的外壳进入内部的带电粒子、外部带电粒子与构成飞船外壳和内部设备的材料相互作用而产生的次级粒子,包括中子所组成。中子的生物辐射效应因比其它带电粒子更为严重而备受重视。本文简要介绍国际空间站上邦纳球中子探测器飞行实验及其相关情况。
73.γ在大气中传输的近似计算与分析
- 毛孝勇;陈行良;王敏
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：采用Monte Carlo程序模拟γ在大气中向地面方向的输运过程,得到各测点光子注量和由于能量沉积使大气电高产生的电子数密度及变化规律,并将数值模拟结果与理论近似解析结果进行对比分析。
74.ILU-6加速器束流密度测量的不确定度分析
- 王骥;秦晓刚;孔风连;马亚莉;李凯
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：辐射束流密度的精确测量是ILU-6电子加速器在材料和器件辐射中应用的重要基础。本文对所研制的一种新型法拉第筒脉冲电子束流测量系统的测量结果进行了不确定度分析。
75.特定系统故障树分析及可靠性评定方法初探
- 李小伟;周开明
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：利用故障树分析方法可以对比较复杂的系统进行近似评定,本研究对某特定系统进行了故障树分析,并将特定系统划分到组件级进行可靠性评定方法探讨。
76.系统级电磁脉冲易损性评估过程
- 孙蓓云;周辉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：介绍了系统易损性评估方法的数学框架,它由四个具有严格顺序的信息子空间和三个信息子空间之间的映射构成,评估的过程具有不可逆性。概括介绍了系统的电磁脉冲易损性评估过程,对电磁脉冲易损性评估工作的开展具有参考价值。
77.80486微处理器单粒子效应辐照试验研究
- 于庆奎;朱恒静;张海明;孙吉兴;宁永成;唐民
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：采用串列静电加速器对国微和Intel生产的80486CPU进行了单粒子效应辐照试验。试验得到国微和Intel生产的80486CPU单粒子锁定阈值约为5.96MeV/mg/cm<'2>。国微生产的486单粒子翻转阈值约为5.3MeV/mg/cm<'2>,饱和翻转截面约为5.08×10<'-3>cm<'2>,Intel生产的80486CPU单粒子翻转阈值约为5.2MeV/mg/cm<'2>,饱和翻转截面为3.27×10<'-3>cm<'2>。
78.SRAM六管存储单元单粒子翻转效应二维数值模拟
- 郭红霞;罗尹虹;张凤祁;陈雨生;周辉;陆虹;苏秀娣;杨筱莉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/电路混合模拟方式,针对静态存储器SRAM六管存储单元的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟计算。并根据模拟计算,提出了几种针对单粒子翻转的加固方法。
79.Intel 80386EX单粒子效应激光模拟实验研究
- 薛玉雄;曹洲;杨世宇;刘淑芬;褚楠;曹海宁;尚智
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文利用实验室从俄罗斯引进的激光模拟单粒子效应试验系统,初步进行了大规模集成电路Intel386EX单片机单粒子效应的地面模拟试验研究,验证了Intel386EX单片机在激光辐照下存在单粒子效应。本文中详细地介绍Intel386EX芯片单粒子效应激光模拟的实验方法,实验系统的软硬件组成,实验过程和实验结果及实验结果的分析,并给出了地面模拟Intel386EX CPU的单粒子翻转阈值。
80.JFET输入运算放大器的ELDRS效应及加速损伤方法初探
- 陆妩;任迪远;郭旗;余学峰
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：介绍了二种不同型号的JFET输入运算放大器在不同剂量率辐照下的响应规律和退火特性,及在三种不同加速评估方法中的模拟结果。总剂量实验结果显示:不同于双极类器件,JFET输入运放既有ELDRS效应又有时间相关效应;模拟结果表明:采用美军标针对双极类混合电路的加速评估方法,不能有效地模拟出JFET输入运放ELDRS效应的最大损伤,而采用与MOS器件损伤特性相关的实验方法进行评估,则能获得较好的实验结果。文中对引起这种现象的机理进行了分析和探讨.
81.NVSRAM与FLASHROM存储器抗γ瞬时辐射性能研究
- 朱小锋;赵洪超;杨有莉
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分析。试验表明:FLASHROM能在10<'9>GY(Si)/s剂量率下不丢失数据,而NVSRaM在10<'7>Gy(Si)/s剂量率下就发生数据错误,选择FASHROM作为单片机系统的存储器能够满足抗辐射指标的要求。
82.星敏感器用CCD抗辐射加固技术研究
- 梁珣
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文针对我国目前星敏感器的发展状况,对星敏感器用CCD器件的抗辐射特性进行研究,利用Co<'60>γ射线对SONY公司ICX285AL芯片进行辐照试验,完成星敏感器用CCD器件的初步摸底试验,为星敏感器加固奠定基础。
83.不同偏置、不同剂量率下双极晶体管的电离辐射损伤
- 李达;刘书焕;陈伟;李瑞宾
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文研究了NPN型锗硅异质结晶体管TH3356A、NPN型硅双极晶体管2SC3356、3DG120在不同偏置、不同剂量率下的电离辐射损伤.研究表明,TH3356A和3DG120在低剂量率辐照后,电流增益衰减加剧,具有低剂量率增强效应;TH3356A和2SC3356在EB结反偏的情况下辐照,与其他偏置情况辐照相比较,电流增益衰减更为显著.
84.MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨
- 袁国火;詹峻岭
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy(Si)的总剂量能力.得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
85.抗总剂量辐照加固的PDSOIJ80C51RH微控制器
- 郭天雷;姜明哲;张英武;袁国顺;许高博;赵发展;刘刚;李多力;毕津顺;海潮和;韩郑生;李素杰
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约为11万个MOSFETs组成,采用辐照加固的1.2μm PDSOI CMOS工艺技术制备,其工作频率可达33MHz,经辐照试验证明,该微控制器首次在国内实现抗总剂量辐照能力在1×10<'6>rad(Si)以上,完全可以满足军事及航空航天电子系统的要求。
86.电源芯片60Co伽马射线总剂量辐照特性初探
- 牛振红;刘生东;崔帅;刘洪艳;曹雷团;张力
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：对TI公司生产的TPS5461X和TPS5120电源芯片进行了动态<'60>Co伽马射线总剂量辐照试验,获得了其输出电压的辐照特性,并检测了测试电路板的工作电流,对TPS5461X和TPS5120电源芯片的辐照特性进行了比较。
87.SiGe HBT伽马辐照效应研究
- 杨晨;程兴华;龚敏;石瑞英;刘伦才;谭开洲
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10<'6>rad(Si)时,其直流电流增益极大值的减小量不超过8％,表现出了良好的抗伽马辐照特性。其电流增益的减小主要是集电极电流的减小引起的,而不像其它文献那样是由于基极电流的增加产生的。文中同时研究了辐照时偏置条件对器件辐照特性的影响,发现辐照时的偏置条件对SiGe HBT器件的辐照效应影响不大.文中对实验现象进行了分析和讨论。
88.偏置条件对功率MOS场效应晶体管总剂量辐射性能的影响
- 孟猛;于庆奎;朱恒静;张海明;孙吉兴
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同辐射剂量率和累积总剂量条件下,不同的偏置条件器件辐照损伤不同。
89.提高抗辐照功率VDMOS栅可靠性技术研究
- 段雪;刘英坤;郎秀兰;邓建国;胡顺欣;苏丽娟
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文分析了当前主流半导体加工工艺中的离子注入、干法刻蚀和光刻胶灰化等工艺过程对抗辐照功率VDMOS栅氧化层产生损伤的机理,针对提高抗辐照功率VDMOS栅的可靠性进行了栅氧侧面钝化技术研究。通过对栅氧化层侧面钝化屏蔽离子注入对栅氧的影响,并同时减小栅氧受到的等离子体工艺损伤(P2ID),有效控制了工艺过程在抗辐照功率VDMOS栅氧化层中引入的损伤,提高了抗辐照功率VDMOS栅的可靠性。采用该技术研制出的器件样品经总剂量300krads/Si辐照实验,阈值电压为1.75V,达到实用要求.
90.多路检测控制电路的抗总剂量加固技术研究
- 石红;谭开洲
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：介绍了一种具有同时检测10个电平信号,输出为0～5V负脉冲信号,同时还具有将其它信号进行放大功能的检测电路。
91.一种星用抗辐射加固铁氧体移相驱动器的研制
- 江军;杨伟;羊庆玲
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃～125℃全温范围内,输出延迟时间≤300ns,输出上升时间≤100ns,输出高电平≥19V,输出低电平≤0.3V,抗总剂量指标达到1×10<'5>rad(Si)。
92.不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
- 余学峰;艾尔肯;陆妩;郭旗;任迪远
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
93.反熔丝0N0工艺技术研究
- 陈桂梅;唐冬
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文针对国外反熔丝的技术在存储器等方面的应用及国内用户的需求,开展反熔丝的工艺技术研究,通过反熔丝结构的设计、工艺、测试的试验研究,达到满足在此方面的需要的工艺条件。
94.全耗尽S0IMOSFET器件总剂量抗辐射的研究
- 王宁娟;刘忠立;李宁;于芳;李国花
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文主要研究了全耗尽SOIMOSFET的总剂量的抗辐射特性,特别是不同的偏置条件下器件对总剂量的抗辐射的能力。着重分析了埋氧层以及在埋氧层/顶硅界面处的电荷以及伴随的电场的产生与分布是如何对全耗尽器件产生影响的。通过器件模拟发现,辐射过程中器件在不同的偏置条件下,其有源区和埋氧层中产生不同的电场分布。而陷获电荷的产生与分布强烈地依赖电场,因此电场的不同分布必然造成陷获电荷的不同,进而对器件的电学性能产生不同的影响。模拟结果表明,在本文所研究的三种不同偏置条件下,OFF态下背沟道处的陷获电荷密度最高,阈值电压的漂移器件的泄漏电流也最大。
95.有机绝缘材料的快中子辐射效应
- 邹保山
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文研究了工业有机玻璃、航空有机玻璃和聚四氟乙烯材料即三种有机绝缘材料的快中子辐射效应,分析了中子辐照对材料的力学性能和电学性能的影响。
96.光电耦合器件中子辐照损伤研究
- 周开明;杨有莉;李小伟
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考.
97.过程信息处理系统中子辐射效应研究
- 刘生东;崔帅;刘洪艳;曹雷团;李志峰;牛振红;张力
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文从数字电路中子损伤机理分析入手,针对抗辐射性能需求,围绕信息处理系统设计了辐照测试系统,主要测试信息处理系统在中子混合场辐照环境下工作的稳定性和可靠性,经过试验研究,对信息处理系统中子位移效应有了基本的了解,分析系统的薄弱环节,为以后辐照防护研究奠定了基础。
98.欧洲窄带高功率微波实验设施综述
- 蔡武川
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了欧洲四国(法国,德国,瑞典和英国)的窄带高功率微波源技术发展及在空旷区域内的相关高功率微波射频实验能力。随着微波功率能量的发展局限和在研究方向变化的条件下,同时描述了高功率微波实验设备的现状及发展。
99.星载计算机抗辐射加固技术
- 章斌;卫新国
- 《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》 | 2007年
摘要：本文介绍了星载计算机的抗辐射加固设计技术,以型号卫星为背景,从系统设计、CPU板设计、抗闩锁、三模冗余、软件加固设计等方面讨论了可以工程中应用的加固措施。