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INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较

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本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在"闪光I"和<'60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在5.88Χ10<'3>Gy(Si)以上,远远高于INTEL的产品,而抗瞬时电离辐射的能力则相差不大.

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来源
《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2007年|146-149|共4页
会议地点重庆
作者
詹峻岭; 赵刚; 徐曦; 赵汝清;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类微处理机;
关键词
国产加固型; 80C196KC20; 单片机; 抗辐射性能; 电离辐射;
入库时间 2022-08-17 10:17:24

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