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1MeV中子辐照对微波SiGe HBT器件特征参数影响的数值模拟

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分析了SiGe HBT器件中子辐照效应机理,运用MEDICI软件,对SiGeHBT器件中子辐照效应的数值模拟进行了探索性研究.计算了1MeV中子在不同辐照注量下对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律;中子辐照损伤与SiGe HBT器件中Ge组分含量关系;以及不同缺陷类型对SiGe HBT器件交直流特征参数的影响规律.

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来源
《第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会》|2007年|335-341|共7页
会议地点重庆
作者
王祖军; 刘敏波; 唐本奇; 刘书焕; 陈伟; 周辉; 李达; 黄绍艳; 肖志刚; 张勇;
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作者单位

中国核学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8;
关键词
SiGeHBT; 中子辐照; 缺陷能级; 直流增益; 截止频率; MEDICI; 数值模拟;

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