应用截面偏倚方法和Geant4模拟低能中子在微波SiGe HBT器件中的能量沉积

摘要

介绍了截面偏倚减方差方法和Geant4基本结构功能;应用模拟计算了不同能量(1MeV、14MeV和反应堆中子源)中子在微波SiGe HBT器件中产生的的电离、非电离和声子能量沉积、粒子径迹及微剂量谱;分析了中子辐射损伤特点。