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张华林; 陆妩; 任迪远; 余学峰; 郭旗;
中国核学会;
MOSFET; 电离辐照; 数字集成电路; 阈电压漂移;
机译:不同剂量率下伽马射线对H栅PDSOI MOS器件的总电离剂量效应
机译:不同剂量率下SiGe HBT中电离辐射损伤的偏倚
机译:在各种剂量率下长时间暴露于电离辐射下的剂量率效应和细胞周期分布的研究
机译:Gigarad全电离剂量和28 nM散装MOSFET的辐照效应
机译:在不同放射敏感性的人乳腺癌细胞系中评估有/无轻度热疗时不同剂量率的放射反应
机译:在低剂量率下职业暴露于电离辐射的工人队伍中恶性皮肤肿瘤的风险
机译:在Nasa计划的低剂量率总电离剂量(TID)测试下评估高性能转换器
机译:药物在不同剂量率和过程下的经皮控制输送。
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