Total ionizing dose; TID; 28 nm bulk CMOS; Gate oxide; Shallow trench isolation; Annealing; HL-LHC;
机译:Gigarad-TID引起的28nm体MOSFET漏极漏电流的表征和建模
机译:晕轮注入对超高剂量辐照的28nm pMOSFET总电离剂量响应的影响
机译:超高剂量的电离 - 辐射响应和28纳米MOSFET的低频噪声
机译:Gigarad全电离剂量和28 nM散装MOSFET的辐照效应
机译:单事件瞬态和总电离剂量对低于10 nm节点CMOS的III-V MOSFET产生影响。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:GigaRad电离剂量的影响\ ud 用于未来HL-LHC的28 nm体MOSFET上
机译:mOsFET器件的总电离剂量效应为77 K.