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目录
第一章 绪论
1.1 纳米MOSFET的总剂量辐照效应的研究意义
1.2 MOSFET总剂量辐照效应的研究进展
1.3 本文的研究工作和论文安排
第二章 MOSFET的总剂量辐照效应综述
2.1 总剂量辐照效应
2.2 MOSFET的总剂量辐照效应
2.3 纳米尺寸器件的总剂量辐照效应
2.4 总剂量辐照效应的加固技术
2.5 65nm工艺下高κ栅氧化层的辐照特性
2.6 本章小结
第三章 65nm nMOSFET总剂量辐照效应的仿真研究
3.1 仿真工具的介绍
3.2 65nm nMOSFET器件结构的建立
3.3 65nm nMOSFET总剂量辐照效应研究
3.4 总剂量辐照效应对晶体管参数的影响
3.5 总剂量辐照下的增强效应
3.6 本章小结
第四章 总剂量辐照效应的加固研究
4.1 nMOSFET总剂量辐照加固的必要性
4.2 衬底掺杂的抗辐照优化设计
4.3 抗辐照器件栅结构的优化设计
4.4 本章小结
第五章 总结与展望
5.1 研究内容总结
5.2 展望
参考文献
致谢
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