可靠性及例行试验属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有602篇,会议文献有160篇,学位文献有114篇等,可靠性及例行试验的主要作者有韩英歧、李志国、恩云飞,可靠性及例行试验的主要机构有中国电子科技集团公司第58研究所、四川斯瑞可靠性工程研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有抗高频、耐高温、大功率、抗辐射等特性,在核反应堆、宇宙探测等辐射环境中具有广阔的应用前景。借助SRIM软件仿真1...
2.[期刊]
摘要: 随着GaN功率应用朝着更高集成度与更高功率密度的方向发展,器件的自热效应及可靠性问题将变得更加严重。提出了一种开态漏极电流注入技术,模拟器件自热状态用以研究1...
3.[期刊]
摘要: 在微电子产品的研发过程中,由于技术要求变更或故障维修等需求,需要对已焊接完成的电路板进行芯片的返修操作,而返修过程所涉及的高温时效和多次回流必然会对芯片本身及...
4.[期刊]
摘要: 基于0.18μm CMOS工艺,采用浅槽隔离(STI)注入法对1.8 V LVNMOS器件进行总剂量加固,并对比分析了^(60)Co(315 keV)与X射线...
5.[期刊]
^(60)Co γ射线对增强型GaN HEMT直流特性的影响
摘要: 利用^(60)Coγ射线对P型栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)开展零偏置状态下总剂量辐射试验及常温退火试验,测试GaN HEMT直流特性参...
6.[期刊]
摘要: p-GaN HEMT凭借高频、高功率密度的优势,已逐渐应用于高频电源领域。负载短路、错误的栅控信号等因素均会导致器件处于严重的短路状态。目前,研究重点多聚焦于...
7.[期刊]
长期湿热下塑封电路Cu-Al和Au-Al的金属间化合物生长差异探究
摘要: 为探究塑封电路Cu-Al、Au-Al键合点在长期湿热环境下的可靠性,分别设置2组湿热应力试验条件加速Cu-Al、Au-Al键合退化。采用扫描电子显微镜(SEM...
8.[期刊]
摘要: 第三代宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件在航天、航空和核工业等强辐射领域的极端环境下应用时会受到辐照损伤的影响诱生缺陷,最终导致器件性能退化或者失效。简要介...
9.[期刊]
摘要: 针对MEMS陀螺仪因材质特性,制造工艺等差异导致输出数据受温度影响的问题。本文在传统温度误差补偿的基础上,提出将深度学习与神经网络相结合,通过LSTM神经网络...
10.[期刊]
摘要: LED灯具有节能环保、智能操控、响应时间短、寿命长等诸多优点,因而广泛应用于动车组等轨道交通车辆的照明系统上。但也发现部分LED灯具出现明显光衰、照度均匀性变...
11.[期刊]
摘要: 肖特基二极管在高温反向偏置(High Temperature Reverse Bias,HTRB)试验后失效,烘烤或化学开盖后芯片电参数恢复。通过超声扫描分层...
12.[期刊]
重离子在SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)宽禁带半导体材料及器件中的辐照效应研究
摘要: 针对近年来出现的新型宽禁带半导体材料和器件,介绍了SiC,GaN,Ga_(2)O_(3)材料和器件重离子辐照效应的一些研究成果:SiC材料对重离子辐照不敏感,...
13.[期刊]
摘要: 与大量电子元器件货架产品仅有2至5年的流通时间不同,武器装备从研制到结束服役通常历时数十年,电子元器件过时问题日趋严峻。作为美国国防部为解决该问题而成立的专职...
14.[期刊]
摘要: 可靠性验收试验是检验产品是否达到可靠性要求而进行的试验。试验方案的确定需要保证使用方风险和生产方风险可控。当前GJB899A中定时截尾试验方案往往需要较长的试...
15.[期刊]
摘要: 为降低抗辐射设计对元器件基本性能的影响,基于0.18μm CMOS加固工艺,通过场区注入工艺实现总剂量(Total Ionizing Dose,TID)加固,...
16.[期刊]
摘要: 唇形密封圈作为一种常见的动密封件,考虑其尺寸多样、工况复杂、失效形式多等特点,基于失效物理建立的剩余寿命预测模型会存在较大误差.本文依靠对密封圈的关键性能参数...
17.[期刊]
摘要: 产品在加工时总会有不可控的因素影响产品质量的稳定性,为解决这一问题,本文从可靠性分布函数的角度提出了提高电阻质量的方法.本文通过对金属膜电阻进行步进应力加速寿...
18.[期刊]
摘要: 针对复杂储运环境中储运监测系统的失效和可靠性降低问题,提出一种多物理场作用下监测系统瞬态分析方法。该方法不仅分析了温度冲击瞬态载荷单独作用下的系统响应,还首次...
19.[期刊]
摘要: 采用有限元分析方法,对有无钼缓冲层的两种封装结构进行了热循环和稳态热机械可靠性对比研究。结果表明,在封装中加入钼缓冲层后对芯片的金属化层的影响较小,但使碳化硅...
20.[期刊]
单粒子辐射导致的VDMOS体二极管反向I-V曲线蠕变现象研究
摘要: 单粒子辐射后,VDMOS器件体二极管反向I-V曲线发生蠕变的特殊失效现象被首次观察到。室温下,当VDMOS的栅极浮空,漏极电压加到一定值时(远低于VDMOS击...
1.[会议]
摘要: 经由专用发展而成通用的ATE的新趋势之一是并行测试。并行系统的设计原理揭示自阿姆达尔定律。依据ITRS-2009对比2005年的ATE基础数据,计算分析了多点...
2.[会议]
摘要: 介绍了如何通过设计芯片置放载体,达成把单一功能的老炼(Burn-In,BI)与最终测试(Final Test,FT)板扩充成为通用功能型的试验板。由于产品的不...
3.[会议]
摘要: X射线辐照源由于其具有安全、剂量率控制准确等优点,特别适用于半导体器件和电路的抗总剂量辐照加固试验。本文首先从电离辐照导致氧化层陷阱电荷和界面态的物理形成过程...
4.[会议]
摘要: LED在室内外显示屏、交通灯、灯饰尤其是照明市场的广泛应用,对LED器件的可靠性提出了新的要求和挑战,主要表现为照明产品不能出现死灯、暗灯等一系列可靠性问题。...
5.[会议]
摘要: 对国产1W大功率LED器件进行加速寿命试验时发现,在试验过程中发现了一种新的失效模式,即随着时间增加,正向电压VF逐渐变大。对以前做过加速寿命试验的大功率LE...
6.[会议]
摘要: 针对发光二极管(LED)芯片寿命试验存在的问题,提出了一种发光二极管芯片寿命试验方法。将芯片直接浸入液体中,即液体为芯片寿命试验的环境介质,从而排除了影响芯片...
7.[会议]
摘要: 可靠性试验是可靠性工程最基本的内容和最重要的工作项目,本文介绍了电子设备可靠性试验的特点和分类、采用的应力类型及适用阶段,阐述了可靠性试验对于提高电子设备可靠...
8.[会议]
摘要: 静电放电损伤是导致半导体器件失效的重要原因,因此静电放电损伤失效分析对于判断半导体器件失效的原因,制定改善措施具有重要的作用.通过半导体器件静电放电失效分析典...
9.[会议]
摘要: 大功率智能图示仪是用来测量功率半导体器件直流及I/V参数的测试设备,是半导体器件质量控制的必备设备.脉冲测试法为该类设备内部参数测量原理,目前校准难点主要体现...
10.[会议]
摘要: 本文首先介绍了课题研究的背景,其次分析了GaN器件特性测试研究及成果,接下来介绍了GaN器件应用研究及成果,最后对已完成新器件相关项目以及后续拟开展的相关项目...
11.[会议]
摘要: 双脉冲平台测试的精准性取决于测试平台的搭建和数据的后期处理.本文基于650V增强型GaN器件给出了平台关键元件的设计方法、测量仪器的选取依据及数据处理算法,减...
12.[会议]
摘要: 如今,航天航空、军事等领域的电子元器件与IC一般都具有极高可靠性,在包括加速寿命试验方法在内的寿命试验中通常只有少量失效或者没有失效出现。电子元器件与IC的失...
13.[会议]
摘要: 目前影响塑封IC可靠性的分层问题越来越受到半导体生产厂商和整机厂商的关注和重视.本文首先对塑封IC分层产生的机理进行了说明,随后介绍了一种可快速检测封装分层的...
14.[会议]
摘要: 随着集成电路(IC)的不断发展,IC技术进入了"功耗限制"的时代,功耗成为集成电路发展的核心瓶颈问题,面向不同集成电路技术代、不同电路系统应用的新器件技术备受...
15.[会议]
摘要: 可靠性技术是质量保证,创立自有知识产权的品牌的关键。本文从可靠性技术背景、技术内容、可靠性设计、可靠性分析工具与CAD/CAE,以及可靠性技术的发展及标准等方...
16.[会议]
摘要: GaAs器件寿命试验中,器件的性能参数退化与结温密切相关,本文对其如何确定结温问题进行展开,介绍了热阻的定义以及目前测试热阻常用的方法。针对GaAs器件的长期...
17.[会议]
摘要: 文章对DLY-2型P-N导电类型鉴别仪的原理、结构及计量特性进行了阐述,给出了校准P-N导电类型鉴别仪的方法,并对本仪器校准结果进行了处理.
18.[会议]
摘要: 工艺尺寸的不断缩减,使电路的可靠性面临着严峻的挑战,提高系统可靠性成为设计者面临的主要问题。为此,本文提出了一种多故障检测结构MFSC,并改进了相应的检测结果...
19.[会议]
摘要: 针对电子产品的不断小型化、高密度发展趋势,本文建立了新型VQFN(两圈排列)封装结构的1/4几何模型。利用Anand模型描述了Sn3.0Ag0.5Cu焊料的本...
20.[会议]
摘要: 本文分析了应用四探针法与涡流感应法测试硅多晶硅电阻率时,晶界对测试结果的影响.实验表明,应用四探针法测试晶界处电阻率时,测试结果对探针的相对位置极为敏感;而应...
1.[学位]
摘要: 伴随着科技的进步,电力电子技术的发展蒸蒸日上,其在电力系统领域中得到了广泛应用,这在一定程度上也促进了电力电子器件的开发与应用。绝缘栅双极晶体管(IGBT)作...
2.[学位]
摘要: 电力电子器件在电网的直流输电、新能源发电并网、电动汽车充电等领域得到广泛运用。目前,在特高压直流中已经开始使用压包式IGBT,但其故障过程与机理尚有待研究。<...
3.[学位]
摘要: LIGBT因为其具有低导通压降、低泄漏电流、高输入阻抗、易于集成等优良特性成为功率集成电路领域耀眼的新星器件。LIGBT导通时阳极注入空穴,使漂移区发生调制,...
4.[学位]
摘要: 作为新一代宽禁带半导体材料,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)已经展现出优良的电学、热学特性,基于SiC材料的功率器件具有耐高温、耐高压、低损耗...
5.[学位]
摘要: 随着半导体技术的不断发展,功率器件的研究日益成熟,其性能也在进行不断的完善,在诸多领域得到了广泛的应用。在非平稳工况下,IGBT在运行过程中因使用不当,工作周...
6.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)材料相比于传统硅(Si)材料具有很多优异的特性,表现为禁带宽度大、本征温度高、击穿场强高、热导率高等。SiC材料制造技术的发展,为实现基于Si...
7.[学位]
摘要: 随着军用电子设备的使用环境越来越复杂,对产品的可靠性要求越来越苛刻,而电子元器件是电子设备的基本组成部分,电子元器件的可靠性的提高成了当前亟待解决的问题。本论...
8.[学位]
摘要: 高频电力电子技术的快速发展对电路中常用主开关器件(如IGBT、GTO及IGCT等)的性能要求不断提升,同时要求与之配套使用的续流二极管具有优良的电学性能和较高...
9.[学位]
摘要: 在新型电力电子器件的应用中,都需要一个快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)续流。随着IGBT功率模块的广泛应用,对其中续流二极管的电...
10.[学位]
摘要: 动态雪崩是影响电力半导体器件可靠性的一个重要因素。随着近年来集成门极换流晶闸管(IGCT)的应用范围不断拓展,失效问题也越来越多,因此对其动态雪崩的诱发因素和...
11.[学位]
摘要: 近些年来,半导体照明在工业领域和日常生活中的应用越来越广泛,并且成为了学术研究的热点。GaN基LED的衬底材料主要有蓝宝石、碳化硅、硅三种,而硅衬底LED相比...
12.[学位]
摘要: 随着开关电源和功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)技术在医疗器械、三维打印和航空航天等领域广泛应用,能够有效提高电源电能质量...
13.[学位]
550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理及寿命模型研究
摘要: 厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon On Insulator-Lateral Insulated Gate BipolarTransisto...
14.[学位]
摘要: 碳化硅(Silicon Carbide,SiC)基纵向双扩散金属氧化物半导体晶体管(VDMOS)具有高阻断电压和工作频率及低导通电阻和开关损耗等优点,已被应用...
15.[学位]
摘要: 功率变换器可靠性和寿命预测已逐步成为近年来研究的热点,其中绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor-IGBT)因...