SRAM六管存储单元单粒子翻转效应二维数值模拟

摘要

本文首先建立了重离子入射在单管器件MOSFET漏区时单粒子翻转损伤模型,计算结果与电荷漏斗模型相吻合,表明所建立的物理模型的正确性。在建立的单管器件模型基础上,采用器件/电路混合模拟方式,针对静态存储器SRAM六管存储单元的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟计算。并根据模拟计算,提出了几种针对单粒子翻转的加固方法。