公开/公告号CN106158010B
专利类型发明专利
公开/公告日2019-02-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院电子学研究所;
申请/专利号CN201510154890.6
申请日2015-04-02
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人曹玲柱
地址 100190 北京市海淀区北四环西路19号
入库时间 2022-08-23 10:25:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-02-19
授权
授权
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/413 申请日:20150402
实质审查的生效
2016-12-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20150402
实质审查的生效
2016-11-23
公开
公开
2016-11-23
公开
公开
机译: 静态半导体存储器(SRAM),用于CMOS存储单元的LV操作,每个存储单元具有六个具有指定电导率的晶体管
机译: 具有存储单元SRAM(静态随机存取存储器)的存储设备以及控制存储单元晶体管盒的极化
机译: SRAM阵列,SRAM单元,微处理器,方法和SRAM存储器(包含逻辑部分的SRAM存储器和微处理器在高性能硅基板和SRAM阵列部分上实现,其中包括场效应晶体管具有链接的主体和方法)