机译:四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元
公开/公告号US2003048657A1
专利类型
公开/公告日2003-03-13
原文格式PDF
申请/专利权人 FORBES LEONARD;
申请/专利号US20020202551
发明设计人 LEONARD FORBES;
申请日2002-07-23
分类号G11C11/00;
国家 US
入库时间 2022-08-22 00:12:06