公开/公告号CN103971731B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-21
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201310148777.8
发明设计人 廖忠志;
申请日2013-04-25
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:03:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-21
授权
授权
2014-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20130425
实质审查的生效
2014-09-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/413 申请日:20130425
实质审查的生效
2014-08-06
公开
公开
2014-08-06
公开
公开
机译: 四个终端存储器单元,两个晶体管的SRAM单元,一个SRAM阵列,一个计算机系统,一个用于形成SRAM单元的过程,一个用于关闭SRAM单元的过程,一个用于写入SRAM单元的过程以及一个用于读取数据的过程从SRAM单元
机译: 四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元
机译: 四端子存储单元,两晶体管SRAM单元,SRAM阵列,计算机系统,用于形成SRAM单元的过程,用于关闭SRAM单元的过程,用于写入SRAM单元的过程以及用于读取数据的过程来自SRAM单元