一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计

摘要

随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的结果表明：与传统6管和7管相比,这种8管呈现出更好的读噪声容限、写裕度和保持存储数据的能力。