一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法

摘要

一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法，存储单元在传统6管SRAM存储单元基础上，增加了读通路隔离管，采用独立的读位线和写位线，实现读写通路分离，增加了写通路列选通管和读通路列选通管。由于增加了列字线对访问的存储单元进行精确控制，使读写过程均不会影响其他不需访问的存储单元，由于通过增加读隔离管和专用的读位线和写位线，可实现高噪声容限设计；由于存储单元噪声容限的提高，电路对电源电压变动的敏感性降低，存储状态更加稳定，因此可实现低电压操作；由于读写访问精确至对应存储单元，无需像现有SRAM电路架构中的全行工作，因此，能够使电路动态功耗有效降低。