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张露漩; 乔树山; 郝旭丹;
中国科学院大学微电子学院;
中国科学院微电子研究所;
中芯国际集成电路制造有限公司;
SRAM存储单元; 稳定性; 读辅助电路; 写能力;
机译:考虑可变性的亚阈值操作的4T和6T FinFET SRAM单元比较-基于模型的方法
机译:功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
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机译:SUB-32 NM双栅极技术中的一种新型4T不对称单端SRAM单元
机译:面向未来超低功耗微电子的新型8-T CNFET SRAM单元设计。
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机译:一种新型双轴氦原子光谱仪的设计,构造和应用。
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机译:具有NFET和PFET的超高密度和稳定的4T SRAM单元设计
机译:具有Nfets和Pfets的超致密且稳定的4T SRAM单元设计
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