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【2h】

A Novel Approach to Design SRAM Cells for Low Leakage and Improved Stability

机译：一种设计SRAM电池的新方法，用于低泄漏和提高稳定性

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作者
Tripti Tripathi; Durg Chauhan; Sanjay Singh;
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年度 2018
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1. Design and analysis of a 32 nm PVT tolerant CMOS SRAM cell for low leakage and high stability [J] . Sheng Lin, Yong-Bin Kim, Fabrizio Lombardi Integration . 2010,第2期

机译：具有低泄漏和高稳定性的32nm PVT耐压CMOS SRAM单元的设计与分析
2. Subthreshold FinFET SRAM at 20nm Technology with Improved Stability and Lower Leakage Power [J] . Shilpi Birla Indian Journal of Science and Technology . 2017,第3期

机译：亚阈值FinFET SRAM，采用20nm技术，具有更高的稳定性和更低的泄漏功率
3. SRAM CELL DESIGN FOR NANOSCALE MEMORIES WITH LOW POWER AND LOW LEAKAGE CURRENT [J] . Balwant Raj, Anita Suman, Gurmohan Singh International journal of computing & information technology . 2011,第1期

机译：低功耗，低漏电流的纳米级存储器的SRAM单元设计
4. A novel 7T SRAM cell design for reducing Leakage Power and improved stability [C] . Kumar Vipin, Khanna Gargi International Conference on Advanced Communication Control and Computing Technologies . 2014

机译：新颖的7T SRAM单元设计可降低泄漏功率并提高稳定性
5. Leakage Power Attack-resilient Designs of a SRAM Cell in 7NM FinFET Technology [D] . Chen, Kangqi. 2019

机译：采用7NM FinFET技术的SRAM单元的漏电攻击恢复设计
6. A Low-Dose β1-Blocker in Combination with Milrinone Improves Intracellular Ca2+ Handling in Failing Cardiomyocytes by Inhibition of Milrinone-Induced Diastolic Ca2+ Leakage from the Sarcoplasmic Reticulum [O] . Shigeki Kobayashi, Takehisa Susa, Hironori Ishiguchi, 2015

机译：低剂量的β1受体阻滞剂与米力农合用通过抑制米力农诱导的肌浆网Ca2 +泄漏改善了衰竭心肌细胞的细胞内Ca2 +处理。
7. Noise margin and leakage in ultra-low leakage SRAM cell design [O] . Terence B. Hook, Matt Breitwisch, Jeff Brown, 2002

机译：超低泄漏sRam单元设计中的噪声容限和泄漏

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